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公开(公告)号：CN107117831B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201710386655.0
申请日：2017-05-26
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34 , D06M11/48 , C01G41/02 , B82Y40/00 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种WO3纳米片阵列的制备方法。首先通过草酸、乙醇和六氯化钨溶剂热法在FTO、碳布、硅片表面生长带有氧缺陷的WO3‑x·H2O纳米片阵列薄膜，再在马弗炉中以一定的温度煅烧得到结晶性较好的WO3纳米片阵列。在基底上所制备的WO3呈现规则的、垂直取向的纳米片阵列，大幅提高了其比表面积，0.5mol/L Na2SO4电解质中，0.7个太阳光光强，1.2V的偏压下，WO3纳米片的光电流达到0.8mA/cm2。该方法操作简便、易于控制，制备的WO3纳米片阵列薄膜，具有大的比表面积、高的光电化学活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN111514911A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010380130.8
申请日：2020-05-08
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种具有介孔结构的碳掺杂WP纳米片电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)制备片层WO3·2H2O粉末：(2)WO3/胺类物质杂化物前驱体粉末的制备：取WO3·2H2O块状粉末和胺类物质加入到聚四氟乙烯反应釜中在100‑200℃下反应24‑72h得到白色沉淀，用乙醇离心清洗数次，然后干燥得到WO3/胺类物质杂化物前驱体白色固体粉末；(3)WP@C的制备：以次亚磷酸钠作为磷源，使用双温控真空气氛管式炉先使WO3/胺类物质杂化物前驱体分解为WOx@C复合物，然后将WOx@C复合物磷化还原为片状WP@C电催化材料。本发明方法制得的碳掺杂WP纳米片电催化材料具有较高的比表面积和导电性。
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公开(公告)号：CN107029755B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201710246895.0
申请日：2017-04-16
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/04 , C02F1/30 , C02F101/30
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: 本发明公开了一种Ag2S/SnS2异质结光催化剂及其制备方法。首先通过水热法合成SnS2纳米片，再在含有SnS2纳米片的水溶液中加入银离子，使其与二硫化锡发生离子交换反应，得到Ag2S/SnS2异质结复合光催化剂。Ag2S纳米颗粒与SnS2纳米片的结合明显地增强了它们的光电性能与光催化性能，Ag2S(8wt％)/SnS2复合物，光生电密度是的SnS22倍。异质结光催化降解甲基橙的活性显然优于Ag2S和SnS2纳米片。该方法操作简便、条件温和、产率高，所制备的SnS2超薄纳米片具有很高的光催化活性。
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公开(公告)号：CN107195469B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201710385074.5
申请日：2017-05-26
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/Ag/AgVO3纳米带复合物的制备方法。首先通过AgNO3、NH4VO3和吡啶混合溶液水热法合成AgVO3，再在洗涤后的产物中加入1mL C9H23NO3Si，搅拌反应后再加入1mg/mL的氧化石墨烯，水热反应得到石墨烯/AgVO3。通过加入一定量的水合肼还原石墨烯/AgVO3中部分的银离子，得到石墨烯/Ag/AgVO3纳米带复合物。石墨烯包裹Ag/AgVO3纳米带复合物明显增强了它们的光催化活性与电容比容量。石墨烯/Ag/AgVO3(含银15％)催化降解甲基橙效率明显AgVO3。与石墨烯包裹AgVO3复合材料的循环伏安曲线相比较，将样品中部分银离子还原后，循环性能较稳定，组装的柔性电容器的比容量更大。
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公开(公告)号：CN111514911B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010380130.8
申请日：2020-05-08
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/188 , B01J35/10 , C25B11/091 , C25B1/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种具有介孔结构的碳掺杂WP纳米片电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)制备片层WO3·2H2O粉末：(2)WO3/胺类物质杂化物前驱体粉末的制备：取WO3·2H2O块状粉末和胺类物质加入到聚四氟乙烯反应釜中在100‑200℃下反应24‑72h得到白色沉淀，用乙醇离心清洗数次，然后干燥得到WO3/胺类物质杂化物前驱体白色固体粉末；(3)WP@C的制备：以次亚磷酸钠作为磷源，使用双温控真空气氛管式炉先使WO3/胺类物质杂化物前驱体分解为WOx@C复合物，然后将WOx@C复合物磷化还原为片状WP@C电催化材料。本发明方法制得的碳掺杂WP纳米片电催化材料具有较高的比表面积和导电性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107230551A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710385073.0
申请日：2017-05-26
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种TiO2/GQDs/NiS异质结光阳极及其制备方法，解决了TiO2光电转换效率较低的问题。本发明以钛片为基体，含有石墨烯量子点的乙二醇、氟化铵水溶液为电解液，通过阳极氧化法，制备出含有石墨烯量子点(GQDs)的TiO2复合膜。再通过连续离子层吸附‑沉淀反应将NiS纳米颗粒沉积到TiO2表面，然后在氮气管式炉中，退火20min得到TiO2/GQDs/NiS复合光阳极。TiO2/GQDs/NiS(浸渍8次)复合膜光电流密度是TiO2纳米管的2倍。本发明方法简便、易于操作，所制备的TiO2/GQDs/NiS复合光电极具有很高的光催化活性及稳定性。
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公开(公告)号：CN107029755A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710246895.0
申请日：2017-04-16
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/04 , C02F1/30 , C02F101/30
CPC classification number: Y02W10/37 , B01J27/04 , B01J35/004 , B01J37/031 , C02F1/30 , C02F2101/308 , C02F2305/10
Abstract: 本发明公开了一种Ag2S/SnS2异质结光催化剂及其制备方法。首先通过水热法合成SnS2纳米片，再在含有SnS2纳米片的水溶液中加入银离子，使其与二硫化锡发生离子交换反应，得到Ag2S/SnS2异质结复合光催化剂。Ag2S纳米颗粒与SnS2纳米片的结合明显地增强了它们的光电性能与光催化性能，Ag2S(8wt％)/SnS2复合物，光生电密度是的SnS22倍。异质结光催化降解甲基橙的活性显然优于Ag2S和SnS2纳米片。该方法操作简便、条件温和、产率高，所制备的SnS2超薄纳米片具有很高的光催化活性。
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公开(公告)号：CN107230551B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710385073.0
申请日：2017-05-26
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种TiO2/GQDs/NiS复合光阳极及其制备方法，解决了TiO2光电转换效率较低的问题。本发明以钛片为基体，含有石墨烯量子点的乙二醇、氟化铵水溶液为电解液，通过阳极氧化法，制备出含有石墨烯量子点(GQDs)的TiO2复合膜。再通过连续离子层吸附‑沉淀反应将NiS纳米颗粒沉积到TiO2表面，然后在氮气管式炉中，退火20min得到TiO2/GQDs/NiS复合光阳极。TiO2/GQDs/NiS(浸渍8次)复合膜光电流密度是TiO2纳米管的2倍。本发明方法简便、易于操作，所制备的TiO2/GQDs/NiS复合光电极具有很高的光催化活性及稳定性。
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公开(公告)号：CN107117831A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710386655.0
申请日：2017-05-26
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34 , D06M11/48 , C01G41/02 , B82Y40/00 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种WO3纳米片阵列的制备方法。首先通过草酸、乙醇和六氯化钨溶剂热法在FTO、碳布、硅片表面生长带有氧缺陷的WO3‑x·H2O纳米片阵列薄膜，再在马弗炉中以一定的温度煅烧得到结晶性较好的WO3纳米片阵列。在基底上所制备的WO3呈现规则的、垂直取向的纳米片阵列，大幅提高了其比表面积，0.5mol/L Na2SO4电解质中，0.7个太阳光光强，1.2V的偏压下，WO3纳米片的光电流达到0.8mA/cm2。该方法操作简便、易于控制，制备的WO3纳米片阵列薄膜，具有大的比表面积、高的光电化学活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN111514912B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010380225.X
申请日：2020-05-08
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C25B1/04 , C25B11/075
Abstract: 本发明提供了一种三维Co掺杂WP2纳米片阵列电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)将导电基质材料置于有乙醇、草酸、六氯化钨和氯化钴混合溶液的聚四氟乙烯反应釜中，在100‑220℃的条件下进行溶剂热反应6‑12h，再在马弗炉中烧结得到Co掺杂WO3纳米片阵列；(2)以次亚磷酸钠为磷源，在双温控真空气氛管式炉中使用原位磷化还原的方法，在氩气环境下，将导电基质材料上的钴掺杂三氧化钨纳米片阵列磷化还原为钴掺杂二磷化钨纳米片阵列，得到Co掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料。本发明方法制得的三维Co掺杂WP2纳米片阵列电极材料具有较大暴露的比表面积，较高的电催化析氢活性和稳定性。
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