一种TiO2/GQDs/NiS异质结光阳极及其制备方法

    公开(公告)号:CN107230551B

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201710385073.0

    申请日:2017-05-26

    Abstract: 本发明公开了一种TiO2/GQDs/NiS复合光阳极及其制备方法,解决了TiO2光电转换效率较低的问题。本发明以钛片为基体,含有石墨烯量子点的乙二醇、氟化铵水溶液为电解液,通过阳极氧化法,制备出含有石墨烯量子点(GQDs)的TiO2复合膜。再通过连续离子层吸附‑沉淀反应将NiS纳米颗粒沉积到TiO2表面,然后在氮气管式炉中,退火20min得到TiO2/GQDs/NiS复合光阳极。TiO2/GQDs/NiS(浸渍8次)复合膜光电流密度是TiO2纳米管的2倍。本发明方法简便、易于操作,所制备的TiO2/GQDs/NiS复合光电极具有很高的光催化活性及稳定性。

    一种WO<base:Sub>3</base:Sub>纳米片阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN107117831A

    公开(公告)日:2017-09-01

    申请号:CN201710386655.0

    申请日:2017-05-26

    Abstract: 本发明公开了一种WO3纳米片阵列的制备方法。首先通过草酸、乙醇和六氯化钨溶剂热法在FTO、碳布、硅片表面生长带有氧缺陷的WO3‑x·H2O纳米片阵列薄膜,再在马弗炉中以一定的温度煅烧得到结晶性较好的WO3纳米片阵列。在基底上所制备的WO3呈现规则的、垂直取向的纳米片阵列,大幅提高了其比表面积,0.5mol/L Na2SO4电解质中,0.7个太阳光光强,1.2V的偏压下,WO3纳米片的光电流达到0.8mA/cm2。该方法操作简便、易于控制,制备的WO3纳米片阵列薄膜,具有大的比表面积、高的光电化学活性和稳定性。

    一种NiZn-MOFs/WO3纳米片阵列复合光催化剂的制备方法

    公开(公告)号:CN110898858B

    公开(公告)日:2023-01-06

    申请号:CN201911288416.7

    申请日:2019-12-16

    Abstract: 本发明提供了一种NiZn‑MOFs/WO3纳米片阵列复合光催化剂的制备方法,包括以下步骤:(1)在基质上制备WO3纳米片阵列薄膜;(2)在反应釜中,加入草酸和无水乙醇,搅拌溶解后,通入氩气排出空气,加入WCl6,将制备的表面覆有WO3纳米片阵列薄膜的基质倾斜放入反应釜反应,反应完成后清洗干燥,再进行煅烧;(3)将步骤(2)处理的WO3纳米片阵列薄膜放入含硝酸锌、醋酸镍、2‑甲基咪唑和乙醇的反应器中,搅拌后加热反应,反应完后冷却,取出干燥即得到NiZn‑MOFs/WO3纳米片阵列复合光催化剂材料。制备的NiZn‑MOFs/WO3纳米片阵列复合材料较纯相的WO3纳米片阵列具有更强光催化性能。

    一种TiO<base:Sub>2</base:Sub>/GQDs/NiS异质结光阳极及其制备方法

    公开(公告)号:CN107230551A

    公开(公告)日:2017-10-03

    申请号:CN201710385073.0

    申请日:2017-05-26

    Abstract: 本发明公开了一种TiO2/GQDs/NiS异质结光阳极及其制备方法,解决了TiO2光电转换效率较低的问题。本发明以钛片为基体,含有石墨烯量子点的乙二醇、氟化铵水溶液为电解液,通过阳极氧化法,制备出含有石墨烯量子点(GQDs)的TiO2复合膜。再通过连续离子层吸附‑沉淀反应将NiS纳米颗粒沉积到TiO2表面,然后在氮气管式炉中,退火20min得到TiO2/GQDs/NiS复合光阳极。TiO2/GQDs/NiS(浸渍8次)复合膜光电流密度是TiO2纳米管的2倍。本发明方法简便、易于操作,所制备的TiO2/GQDs/NiS复合光电极具有很高的光催化活性及稳定性。

    一种WO3纳米片阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN107117831B

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN201710386655.0

    申请日:2017-05-26

    Abstract: 本发明公开了一种WO3纳米片阵列的制备方法。首先通过草酸、乙醇和六氯化钨溶剂热法在FTO、碳布、硅片表面生长带有氧缺陷的WO3‑x·H2O纳米片阵列薄膜,再在马弗炉中以一定的温度煅烧得到结晶性较好的WO3纳米片阵列。在基底上所制备的WO3呈现规则的、垂直取向的纳米片阵列,大幅提高了其比表面积,0.5mol/L Na2SO4电解质中,0.7个太阳光光强,1.2V的偏压下,WO3纳米片的光电流达到0.8mA/cm2。该方法操作简便、易于控制,制备的WO3纳米片阵列薄膜,具有大的比表面积、高的光电化学活性和稳定性。

    一种多孔WO3/C纳米片介孔复合光催化剂的制备方法

    公开(公告)号:CN110918085A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201911289926.6

    申请日:2019-12-16

    Abstract: 本发明提供了一种多孔WO3/C纳米片介孔复合光催化剂的制备方法,将有机胺插层WO3·2H2O的杂化物加入瓷舟中,然后放入管式炉中,通入氮气,加热升温,保温反应,反应完后自然冷却至室温,即得到多孔WO3/C纳米片介孔复合光催化剂材料。本发明方法制备的多孔WO3/C纳米片介孔复合光催化剂由C与多孔的WO3纳米片形成的介孔结构的复合材料,具有良好的光吸收性能和较大的比表面积,在光照下能够高效的转化氮气成硝酸根,具有较好的光催化氧化活性。

    一种NiZn-MOFs/WO3纳米片阵列复合光催化剂的制备方法

    公开(公告)号:CN110898858A

    公开(公告)日:2020-03-24

    申请号:CN201911288416.7

    申请日:2019-12-16

    Abstract: 本发明提供了一种NiZn-MOFs/WO3纳米片阵列复合光催化剂的制备方法,包括以下步骤:(1)在基质上制备WO3纳米片阵列薄膜;(2)在反应釜中,加入草酸和无水乙醇,搅拌溶解后,通入氩气排出空气,加入WCl6,将制备的表面覆有WO3纳米片阵列薄膜的基质倾斜放入反应釜反应,反应完成后清洗干燥,再进行煅烧;(3)将步骤(2)处理的WO3纳米片阵列薄膜放入含硝酸锌、醋酸镍、2-甲基咪唑和乙醇的反应器中,搅拌后加热反应,反应完后冷却,取出干燥即得到NiZn-MOFs/WO3纳米片阵列复合光催化剂材料。制备的NiZn-MOFs/WO3纳米片阵列复合材料较纯相的WO3纳米片阵列具有更强光催化性能。

    一种石墨烯包裹Ag/AgVO3纳米带复合物的制备方法

    公开(公告)号:CN107195469B

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201710385074.5

    申请日:2017-05-26

    Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/Ag/AgVO3纳米带复合物的制备方法。首先通过AgNO3、NH4VO3和吡啶混合溶液水热法合成AgVO3,再在洗涤后的产物中加入1mL C9H23NO3Si,搅拌反应后再加入1mg/mL的氧化石墨烯,水热反应得到石墨烯/AgVO3。通过加入一定量的水合肼还原石墨烯/AgVO3中部分的银离子,得到石墨烯/Ag/AgVO3纳米带复合物。石墨烯包裹Ag/AgVO3纳米带复合物明显增强了它们的光催化活性与电容比容量。石墨烯/Ag/AgVO3(含银15%)催化降解甲基橙效率明显AgVO3。与石墨烯包裹AgVO3复合材料的循环伏安曲线相比较,将样品中部分银离子还原后,循环性能较稳定,组装的柔性电容器的比容量更大。

    一种WO3/石墨烯量子点复合膜光阳极的制备方法

    公开(公告)号:CN107164780B

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201710250255.7

    申请日:2017-04-17

    Abstract: 本发明提供了一种WO3/GQDs复合光阳极的制备方法,解决了WO3光电转换效率较低的问题。本发明以钨片为基体,含有石墨烯量子点的氟化钠、硫酸钠水溶液为电解液,通过脉冲阳极氧化法,制备出含有石墨烯量子点(GQDs)的多孔三氧化钨复合膜。将复合膜在氮气管式炉中,升至300~700℃,保温3小时,有利于提高WO3/GQDs复合膜的结晶性。相较于单纯的WO3薄膜样品,GQDs/WO3复合膜光电流明显增大,且具有很好的循环寿命。本发明方法简便,易于操作,所制备的GQDs/WO3复合膜具有很高的光催化活性和稳定性。

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