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公开(公告)号：CN111514912B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010380225.X
申请日：2020-05-08
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C25B1/04 , C25B11/075
Abstract: 本发明提供了一种三维Co掺杂WP2纳米片阵列电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)将导电基质材料置于有乙醇、草酸、六氯化钨和氯化钴混合溶液的聚四氟乙烯反应釜中，在100‑220℃的条件下进行溶剂热反应6‑12h，再在马弗炉中烧结得到Co掺杂WO3纳米片阵列；(2)以次亚磷酸钠为磷源，在双温控真空气氛管式炉中使用原位磷化还原的方法，在氩气环境下，将导电基质材料上的钴掺杂三氧化钨纳米片阵列磷化还原为钴掺杂二磷化钨纳米片阵列，得到Co掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料。本发明方法制得的三维Co掺杂WP2纳米片阵列电极材料具有较大暴露的比表面积，较高的电催化析氢活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN111514912A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010380225.X
申请日：2020-05-08
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种三维Co掺杂WP2纳米片阵列电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)将导电基质材料置于有乙醇、草酸、六氯化钨和氯化钴混合溶液的聚四氟乙烯反应釜中，在100‑220℃的条件下进行溶剂热反应6‑12h，再在马弗炉中烧结得到Co掺杂WO3纳米片阵列；(2)以次亚磷酸钠为磷源，在双温控真空气氛管式炉中使用原位磷化还原的方法，在氩气环境下，将导电基质材料上的钴掺杂三氧化钨纳米片阵列磷化还原为钴掺杂二磷化钨纳米片阵列，得到Co掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料。本发明方法制得的三维Co掺杂WP2纳米片阵列电极材料具有较大暴露的比表面积，较高的电催化析氢活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN112864260A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201911190847.X
申请日：2019-11-28
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件，包括H‑TiO2纳米管阵列层和覆盖于H‑TiO2纳米管阵列层上的SnSe2纳米层。还提供了上述SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件制备方法，包括以下步骤：(1)采用阳极氧化法制备不定型TiOx纳米管阵列；(2)将不定型TiOx纳米管阵列进行退火处理，得到TiO2纳米管阵列；(3)以硒粉与SnCl4·5H2O为原料，用化学气相沉积方法，在TiO2纳米管阵列表面沉积SnSe2纳米层，沉积SnSe2纳米层时同时通入氢气，将TiO2氢化为H‑TiO2，即得到SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制备的SnSe2/H‑TiO2异质结光电器件材料具有较高的光电响应性能并且扩大了器件的探测范围，且该制备方法简单、成本低、反应条件容易控制。
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公开(公告)号：CN110639582A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910820417.5
申请日：2019-09-01
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/24
Abstract: 本发明公开了一种具有2D/0D结构的g-C3N4/WO3复合光催化剂的制备方法。首先将g-C3N4加入乙醇，然后加入WCl6，超声分散后，转移至高压反应釜中进行水热反应，冷却、洗涤、干燥。最后将所得粉末样品放入马弗炉中以5℃/min的升温速率升至450℃，保温3小时，即制得具有2D/0D结构的g-C3N4/WO3复合光催化剂。所制备的样品是WO3量子点分布在g-C3N4纳米片表面，是一种2D/0D结构的复合光催化剂。本发明方法操作简便、产率高，所制备的具有2D/0D结构的g-C3N4/WO3复合光催化剂具有较高的光催化活性，且光催化析氢性能稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110918085A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911289926.6
申请日：2019-12-16
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种多孔WO3/C纳米片介孔复合光催化剂的制备方法，将有机胺插层WO3·2H2O的杂化物加入瓷舟中，然后放入管式炉中，通入氮气，加热升温，保温反应，反应完后自然冷却至室温，即得到多孔WO3/C纳米片介孔复合光催化剂材料。本发明方法制备的多孔WO3/C纳米片介孔复合光催化剂由C与多孔的WO3纳米片形成的介孔结构的复合材料，具有良好的光吸收性能和较大的比表面积，在光照下能够高效的转化氮气成硝酸根，具有较好的光催化氧化活性。
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公开(公告)号：CN110898858A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911288416.7
申请日：2019-12-16
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种NiZn-MOFs/WO3纳米片阵列复合光催化剂的制备方法，包括以下步骤：(1)在基质上制备WO3纳米片阵列薄膜；(2)在反应釜中，加入草酸和无水乙醇，搅拌溶解后，通入氩气排出空气，加入WCl6，将制备的表面覆有WO3纳米片阵列薄膜的基质倾斜放入反应釜反应，反应完成后清洗干燥，再进行煅烧；(3)将步骤(2)处理的WO3纳米片阵列薄膜放入含硝酸锌、醋酸镍、2-甲基咪唑和乙醇的反应器中，搅拌后加热反应，反应完后冷却，取出干燥即得到NiZn-MOFs/WO3纳米片阵列复合光催化剂材料。制备的NiZn-MOFs/WO3纳米片阵列复合材料较纯相的WO3纳米片阵列具有更强光催化性能。
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公开(公告)号：CN110898858B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201911288416.7
申请日：2019-12-16
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J31/22 , B01J31/34 , B01J35/00 , C25B1/04 , C25B11/095
Abstract: 本发明提供了一种NiZn‑MOFs/WO3纳米片阵列复合光催化剂的制备方法，包括以下步骤：(1)在基质上制备WO3纳米片阵列薄膜；(2)在反应釜中，加入草酸和无水乙醇，搅拌溶解后，通入氩气排出空气，加入WCl6，将制备的表面覆有WO3纳米片阵列薄膜的基质倾斜放入反应釜反应，反应完成后清洗干燥，再进行煅烧；(3)将步骤(2)处理的WO3纳米片阵列薄膜放入含硝酸锌、醋酸镍、2‑甲基咪唑和乙醇的反应器中，搅拌后加热反应，反应完后冷却，取出干燥即得到NiZn‑MOFs/WO3纳米片阵列复合光催化剂材料。制备的NiZn‑MOFs/WO3纳米片阵列复合材料较纯相的WO3纳米片阵列具有更强光催化性能。
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公开(公告)号：CN110639581B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201910820408.6
申请日：2019-09-01
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/24
Abstract: 本发明公开了一种WP2/g‑C3N4异质结光催化剂的制备方法。采用原位固相合成技术，通过双控温区管式炉，氩气保护，磷化WO3·2H2O/有机胺复合物，合成WP2纳米片，然后将WP2纳米片加入到乙醇中，再加入g‑C3N4，混合均匀后倒入高压反应釜，一定温度下反应3h，取出沉淀产物放入马弗炉中以0.5℃/min的升温速率升温到350℃，保温3小时，冷却至室温后，即制得WP2/g‑C3N4异质结光催化剂。该方法操作简便，产率高，所制备的WP2/g‑C3N4异质结光催化剂不加助催化剂也具有较高的产氢效率，同时具有很高的光催化活性，这对于WP2/g‑C3N4异质结光催化剂在光催化领域的应用具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN110639581A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910820408.6
申请日：2019-09-01
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/24
Abstract: 本发明公开了一种WP2/g-C3N4异质结光催化剂的制备方法。采用原位固相合成技术，通过双控温区管式炉，氩气保护，磷化WO3·2H2O/有机胺复合物，合成WP2纳米片，然后将WP2纳米片加入到乙醇中，再加入g-C3N4，混合均匀后倒入高压反应釜，一定温度下反应3h，取出沉淀产物放入马弗炉中以0.5℃/min的升温速率升温到350℃，保温3小时，冷却至室温后，即制得WP2/g-C3N4异质结光催化剂。该方法操作简便，产率高，所制备的WP2/g-C3N4异质结光催化剂不加助催化剂也具有较高的产氢效率，同时具有很高的光催化活性，这对于WP2/g-C3N4异质结光催化剂在光催化领域的应用具有重要的意义。
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