公开(公告)号：CN107230551B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201710385073.0

申请日：2017-05-26

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 刘勇平 ,  杨之书 ,  吕慧丹 ,  耿鹏 ,  林剑飞 ,  米喜红 ,  林佩怡

IPC: H01G9/04 ,  H01G9/042

Abstract: 本发明公开了一种TiO2/GQDs/NiS复合光阳极及其制备方法，解决了TiO2光电转换效率较低的问题。本发明以钛片为基体，含有石墨烯量子点的乙二醇、氟化铵水溶液为电解液，通过阳极氧化法，制备出含有石墨烯量子点(GQDs)的TiO2复合膜。再通过连续离子层吸附‑沉淀反应将NiS纳米颗粒沉积到TiO2表面，然后在氮气管式炉中，退火20min得到TiO2/GQDs/NiS复合光阳极。TiO2/GQDs/NiS(浸渍8次)复合膜光电流密度是TiO2纳米管的2倍。本发明方法简便、易于操作，所制备的TiO2/GQDs/NiS复合光电极具有很高的光催化活性及稳定性。

公开(公告)号：CN107230551A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710385073.0

申请日：2017-05-26

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 刘勇平 ,  杨之书 ,  吕慧丹 ,  耿鹏 ,  林剑飞 ,  米喜红 ,  林佩怡

IPC: H01G9/04 ,  H01G9/042

Abstract: 本发明公开了一种TiO2/GQDs/NiS异质结光阳极及其制备方法，解决了TiO2光电转换效率较低的问题。本发明以钛片为基体，含有石墨烯量子点的乙二醇、氟化铵水溶液为电解液，通过阳极氧化法，制备出含有石墨烯量子点(GQDs)的TiO2复合膜。再通过连续离子层吸附‑沉淀反应将NiS纳米颗粒沉积到TiO2表面，然后在氮气管式炉中，退火20min得到TiO2/GQDs/NiS复合光阳极。TiO2/GQDs/NiS(浸渍8次)复合膜光电流密度是TiO2纳米管的2倍。本发明方法简便、易于操作，所制备的TiO2/GQDs/NiS复合光电极具有很高的光催化活性及稳定性。