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公开(公告)号：CN112844349A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201911191738.X
申请日：2019-11-28
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种利用激光刻蚀Ti片制备TiOx光阳极的方法，将Ti片进行激光刻蚀，使得Ti片表面刻蚀和氧化同步进行，即可得到TiOx光阳极。本发明利用激光刻蚀Ti片制备TiOx光阳极的方法采用激光刻蚀Ti片直接制备TiOx材料，可以根据改变参数控制TiOx的氧缺陷含量，得到光电催化性能较好的光阳极材料，该制备方法简单、成本低、产率高、反应条件容易控制。
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公开(公告)号：CN111495399A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010380228.3
申请日：2020-05-08
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种S掺杂WP2纳米片阵列电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)将导电基底材料置于有乙醇、草酸和六氯化钨混合溶液的聚四氟乙烯反应釜中，在100-220℃的条件下进行溶剂热反应6-12h，再在马弗炉中烧结得到WO3纳米片阵列；(2)以次亚磷酸钠和硫粉作为磷源和掺杂硫源，在双温控真空气氛管式炉中使用原位磷化还原的方法，在氩气环境下，将导电基底材料上的三氧化钨纳米片阵列磷化还原为二磷化钨纳米片阵列，并在此过程中将硫掺杂到二磷化钨纳米片中，得到S掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料。本发明方法制得到的S掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料具有较高的电催化析氢活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN112844349B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201911191738.X
申请日：2019-11-28
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种利用激光刻蚀Ti片制备TiOx光阳极的方法，将Ti片进行激光刻蚀，使得Ti片表面刻蚀和氧化同步进行，即可得到TiOx光阳极。本发明利用激光刻蚀Ti片制备TiOx光阳极的方法采用激光刻蚀Ti片直接制备TiOx材料，可以根据改变参数控制TiOx的氧缺陷含量，得到光电催化性能较好的光阳极材料，该制备方法简单、成本低、产率高、反应条件容易控制。
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公开(公告)号：CN111495399B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010380228.3
申请日：2020-05-08
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/065 , C25B1/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种S掺杂WP2纳米片阵列电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)将导电基底材料置于有乙醇、草酸和六氯化钨混合溶液的聚四氟乙烯反应釜中，在100‑220℃的条件下进行溶剂热反应6‑12h，再在马弗炉中烧结得到WO3纳米片阵列；(2)以次亚磷酸钠和硫粉作为磷源和掺杂硫源，在双温控真空气氛管式炉中使用原位磷化还原的方法，在氩气环境下，将导电基底材料上的三氧化钨纳米片阵列磷化还原为二磷化钨纳米片阵列，并在此过程中将硫掺杂到二磷化钨纳米片中，得到S掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料。本发明方法制得到的S掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料具有较高的电催化析氢活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN110639582A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910820417.5
申请日：2019-09-01
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/24
Abstract: 本发明公开了一种具有2D/0D结构的g-C3N4/WO3复合光催化剂的制备方法。首先将g-C3N4加入乙醇，然后加入WCl6，超声分散后，转移至高压反应釜中进行水热反应，冷却、洗涤、干燥。最后将所得粉末样品放入马弗炉中以5℃/min的升温速率升至450℃，保温3小时，即制得具有2D/0D结构的g-C3N4/WO3复合光催化剂。所制备的样品是WO3量子点分布在g-C3N4纳米片表面，是一种2D/0D结构的复合光催化剂。本发明方法操作简便、产率高，所制备的具有2D/0D结构的g-C3N4/WO3复合光催化剂具有较高的光催化活性，且光催化析氢性能稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110898858B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201911288416.7
申请日：2019-12-16
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J31/22 , B01J31/34 , B01J35/00 , C25B1/04 , C25B11/095
Abstract: 本发明提供了一种NiZn‑MOFs/WO3纳米片阵列复合光催化剂的制备方法，包括以下步骤：(1)在基质上制备WO3纳米片阵列薄膜；(2)在反应釜中，加入草酸和无水乙醇，搅拌溶解后，通入氩气排出空气，加入WCl6，将制备的表面覆有WO3纳米片阵列薄膜的基质倾斜放入反应釜反应，反应完成后清洗干燥，再进行煅烧；(3)将步骤(2)处理的WO3纳米片阵列薄膜放入含硝酸锌、醋酸镍、2‑甲基咪唑和乙醇的反应器中，搅拌后加热反应，反应完后冷却，取出干燥即得到NiZn‑MOFs/WO3纳米片阵列复合光催化剂材料。制备的NiZn‑MOFs/WO3纳米片阵列复合材料较纯相的WO3纳米片阵列具有更强光催化性能。
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公开(公告)号：CN110639581B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201910820408.6
申请日：2019-09-01
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/24
Abstract: 本发明公开了一种WP2/g‑C3N4异质结光催化剂的制备方法。采用原位固相合成技术，通过双控温区管式炉，氩气保护，磷化WO3·2H2O/有机胺复合物，合成WP2纳米片，然后将WP2纳米片加入到乙醇中，再加入g‑C3N4，混合均匀后倒入高压反应釜，一定温度下反应3h，取出沉淀产物放入马弗炉中以0.5℃/min的升温速率升温到350℃，保温3小时，冷却至室温后，即制得WP2/g‑C3N4异质结光催化剂。该方法操作简便，产率高，所制备的WP2/g‑C3N4异质结光催化剂不加助催化剂也具有较高的产氢效率，同时具有很高的光催化活性，这对于WP2/g‑C3N4异质结光催化剂在光催化领域的应用具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN110639581A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910820408.6
申请日：2019-09-01
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/24
Abstract: 本发明公开了一种WP2/g-C3N4异质结光催化剂的制备方法。采用原位固相合成技术，通过双控温区管式炉，氩气保护，磷化WO3·2H2O/有机胺复合物，合成WP2纳米片，然后将WP2纳米片加入到乙醇中，再加入g-C3N4，混合均匀后倒入高压反应釜，一定温度下反应3h，取出沉淀产物放入马弗炉中以0.5℃/min的升温速率升温到350℃，保温3小时，冷却至室温后，即制得WP2/g-C3N4异质结光催化剂。该方法操作简便，产率高，所制备的WP2/g-C3N4异质结光催化剂不加助催化剂也具有较高的产氢效率，同时具有很高的光催化活性，这对于WP2/g-C3N4异质结光催化剂在光催化领域的应用具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN113058589A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110344179.2
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种Ce掺杂W18O49纳米线光催化剂制备方法，包括以下步骤：将一定量的乙醇、六氯化钨进行混合并搅拌，然后加入铈盐搅拌，得到混合溶液，最后将混合溶液移至聚四氟乙烯反应釜中，在150‑240℃的条件下进行溶剂热反应3‑24h，反应结束后进行离心，并用乙醇清洗，然后置于烘箱中烘干，得到Ce掺杂的W18O49纳米线材料。本发明方法制得到的Ce掺杂W18O49纳米线光催化剂具有较高的光催化固氮活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN110918085A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911289926.6
申请日：2019-12-16
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种多孔WO3/C纳米片介孔复合光催化剂的制备方法，将有机胺插层WO3·2H2O的杂化物加入瓷舟中，然后放入管式炉中，通入氮气，加热升温，保温反应，反应完后自然冷却至室温，即得到多孔WO3/C纳米片介孔复合光催化剂材料。本发明方法制备的多孔WO3/C纳米片介孔复合光催化剂由C与多孔的WO3纳米片形成的介孔结构的复合材料，具有良好的光吸收性能和较大的比表面积，在光照下能够高效的转化氮气成硝酸根，具有较好的光催化氧化活性。
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