公开(公告)号：CN101339960B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200810137904.3

申请日：2008-07-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  铃木幸惠 ,  桑原秀明

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明的目的在于提出批量生产性高地制造包括电特性良好且可靠性高的薄膜晶体管的发光装置的方法。本发明的要旨在于：在包括反交错型薄膜晶体管的发光装置的反交错型薄膜晶体管中，在栅电极上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成用作沟道形成区域的微晶半导体膜，在微晶半导体膜上形成缓冲层，在缓冲层上形成一对源区域及漏区域，以使源区域及漏区域的一部分露出的方式形成与源区域及漏区域接触的一对源电极及漏电极。

公开(公告)号：CN101339342B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200810130468.7

申请日：2008-07-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  铃木幸惠 ,  桑原秀明 ,  木村肇

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的为提供一种方法，其中批量生产性高地制造具有电特性良好且可靠性高的薄膜晶体管的液晶显示装置。在具有反交错型薄膜晶体管的液晶显示装置中，在反交错型薄膜晶体管中的栅电极上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成用作沟道形成区域的微晶半导体膜，在微晶半导体膜上形成缓冲层，在缓冲层上形成一对源区域及漏区域，以使源区域及漏区域的一部分露出的方式形成与源区域及漏区域接触的一对源电极及漏电极。

公开(公告)号：CN100565307C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200510064080.8

申请日：2005-02-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  铃木幸惠

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H04N5/44

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L24/73 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78678 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的目的是提供一种制备具有高驱动能力(即，大W/L)的半导体器件的方法，根据本方法，材料的使用效率，以及生产量和生产率都得到了提高。本发明提供一种制备半导体器件的方法，其步骤包括：形成与半导体区相连的第一导电层、通过液滴喷射或涂覆在第一导电层上形成绝缘层、用激光辐照部分绝缘层形成掩模图案和通过借助该掩模图案作为掩模蚀刻形成分开的第一导电层。

公开(公告)号：CN101339342A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810130468.7

申请日：2008-07-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  铃木幸惠 ,  桑原秀明 ,  木村肇

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的为提供一种方法，其中批量生产性高地制造具有电特性良好且可靠性高的薄膜晶体管的液晶显示装置。在具有反交错型薄膜晶体管的液晶显示装置中，在反交错型薄膜晶体管中的栅电极上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成用作沟道形成区域的微晶半导体膜，在微晶半导体膜上形成缓冲层，在缓冲层上形成一对源区域及漏区域，以使源区域及漏区域的一部分露出的方式形成与源区域及漏区域接触的一对源电极及漏电极。

公开(公告)号：CN101064347A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200710100942.7

申请日：2007-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  铃木幸惠 ,  荒井康行 ,  守屋芳隆 ,  池田佳寿子 ,  棚田好文 ,  高桥修平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42368 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种半导体器件，其具有半导体层、覆盖所述半导体层的端部的栅电极和用于使所述半导体层和所述栅电极绝缘的绝缘层。使所述半导体层与所述栅电极相互重叠的区域绝缘的绝缘层的膜厚度大于覆盖所述半导体层的中央部分绝缘层的膜厚度。

公开(公告)号：CN1832169A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610058896.4

申请日：2006-03-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 铃木幸惠 ,  荒井康行 ,  山崎舜平

IPC: H01L25/16 ,  H01L27/12 ,  G06K19/07 ,  G09F3/02

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L21/84 ,  H01L23/49855 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2924/0002 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q9/0407 ,  H01Q9/27 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有高机械强度的无线芯片。而且，本发明还提供了一种能够防止电波被阻挡的无线芯片。在本发明的无线芯片中，通过各向异性导电粘合剂将具有形成在绝缘衬底上的薄膜晶体管的层固定到天线，并将薄膜晶体管连接到天线。天线具有介电层、第一导电层、和第二导电层；第一导电层与第二导电层之间是介电层；第一导电层用作发射电极；第二电极用作接地体。

公开(公告)号：CN102460721B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201080025840.3

申请日：2010-05-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  铃木幸惠 ,  西和夫 ,  荒井康行

IPC: H01L31/048 ,  H01L31/043 ,  H01L31/046 ,  H01L31/18 ,  H02S40/38

CPC classification number: H01L31/1896 ,  H01L31/043 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/048 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H02S40/38 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种不使制造工序复杂化而提高机械强度的光电转换装置。所述光电转换装置包括：具备光电转换功能的第一单元；具备光电转换功能的第二单元；将第一单元及第二单元牢固接合的包括纤维体的结构体。其结果，pin结与其中使纤维体浸渍有机树脂的结构体即所谓的预浸料贴合，所以可以在抑制制造成本的同时实现提高机械强度的光电转换装置。

公开(公告)号：CN102460722B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201080025869.1

申请日：2010-05-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  铃木幸惠 ,  西和夫

IPC: H01L25/04 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/076 ,  B60T1/10

CPC classification number: H01L31/076 ,  B60T1/10 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/043 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0488 ,  H01L31/0687 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种可以用简单的方法制造的多结光电转换装置。此外，提供一种不使制造工序复杂化而提高机械强度的光电转换装置。本发明的一种光电转换装置，包括：具备光电转换功能的第一单元；具备光电转换功能的第二单元；具备将第一单元及第二单元彼此牢固地接合并电连接的纤维体的结构体。其结果，可以提供一种确保pin结和pin结之间的充分的电连接并使半导体结串联连接的多结光电转换装置。

公开(公告)号：CN101872097B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201010206781.1

申请日：2008-07-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  铃木幸惠 ,  桑原秀明 ,  木村肇

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/02

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的为提供一种方法，其中批量生产性高地制造具有电特性良好且可靠性高的薄膜晶体管的液晶显示装置。在具有反交错型薄膜晶体管的液晶显示装置中，在反交错型薄膜晶体管中的栅电极上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成用作沟道形成区域的微晶半导体膜，在微晶半导体膜上形成缓冲层，在缓冲层上形成一对源区域及漏区域，以使源区域及漏区域的一部分露出的方式形成与源区域及漏区域接触的一对源电极及漏电极。

公开(公告)号：CN101142715B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200680008486.7

申请日：2006-03-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 铃木幸惠 ,  荒井康行 ,  山崎舜平

IPC: H01Q23/00 ,  H01L27/12 ,  G06K19/00 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/84 ,  H01L23/64 ,  H01L23/66 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29447 ,  H01L2224/29464 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32265 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/142 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H01Q23/00 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/83

Abstract: 本发明的一个目标是提供提高机械强度的无线芯片。此外，本发明的一个目标是提供可以防治电波被阻断的无线芯片。本发明为无线芯片，其中具有薄膜晶体管的层通过各向异性导电粘合剂或导电层固定在天线上，并且薄膜晶体管连接到天线。天线具有介质层、第一导电层和第二导电层。介质层夹在第一导电层和第二导电层之间。第一导电层作为发射电极并且第二导电层作为接地体。