半导体装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101308853B

    公开(公告)日:2011-10-05

    申请号:CN200810088351.7

    申请日:2008-03-27

    Inventor: 棚田好文

    CPC classification number: H01L27/1237 H01L27/12 H01L27/1233

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置的结构及其制造方法,其中在电路群中,形成被要求高速工作和低电压工作的电路与被要求当施加高电压时的充分可靠性的电路。在半导体装置中,在同一衬底上具有多种包括从单晶半导体衬底分离且接合的厚度不同的单晶半导体层的晶体管。使被要求高速工作的晶体管的单晶半导体层的厚度比被要求对电压的高耐压性的晶体管的单晶半导体层的厚度薄。

    显示装置及其驱动方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1816836A

    公开(公告)日:2006-08-09

    申请号:CN200480019364.9

    申请日:2004-06-30

    Inventor: 棚田好文

    CPC classification number: G09G3/30 G09G2300/0809 G09G2320/0233

    Abstract: 提供一种显示装置及其驱动方法。在有源矩阵型显示装置中,减轻像素部中的电压降引起的亮度分布的产生,得到均匀的显示。该显示装置具有设置在像素部外围的多个电流供给路径,其特征在于:利用从上述多个电路供给路径之中选择的任一个电流供给路径,向上述像素部供给电流,此外,通过随时间切换上述被选择的电流供给路径,在时间上使电压分布平均化。

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