-
公开(公告)号：CN101156162B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200680011098.4
申请日：2006-03-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01Q9/0407 , G06K19/07745 , G06K19/07749 , G06K19/07786 , H01L23/66 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L27/088 , H01L2223/6677 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16265 , H01L2224/32225 , H01L2224/32265 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/01025 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07811 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/13091 , H01L2924/3011 , H01M10/0436 , H01M10/465 , H01M2220/30 , H01Q1/2208 , H01Q1/2283 , H01Q23/00 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 目的是提供一种能够增加机械强度的无线芯片，和一种具有高耐用性的无线芯片。无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线和连接芯片和天线的导电层。另外，无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线、传感器装置、连接芯片和天线的导电层、以及连接芯片和传感器装置的导电层。另外，无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线、电池、连接芯片和天线的导电层以及连接芯片和电池的导电层。
-
公开(公告)号：CN102270316A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110104534.5
申请日：2006-03-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , H01Q1/22 , H01Q9/04 , H01Q23/00
CPC classification number: H01Q9/0407 , G06K19/07745 , G06K19/07749 , G06K19/07786 , H01L23/66 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L27/088 , H01L2223/6677 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16265 , H01L2224/32225 , H01L2224/32265 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/01025 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07811 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/13091 , H01L2924/3011 , H01M10/0436 , H01M10/465 , H01M2220/30 , H01Q1/2208 , H01Q1/2283 , H01Q23/00 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明涉及无线芯片以及具有无线芯片的电子设备。本发明提供一种能够增加机械强度的无线芯片，和一种具有高耐用性的无线芯片。无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线和连接芯片和天线的导电层。另外，无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线、传感器装置、连接芯片和天线的导电层、以及连接芯片和传感器装置的导电层。另外，无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线、电池、连接芯片和天线的导电层以及连接芯片和电池的导电层。
-
公开(公告)号：CN101872097A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010206781.1
申请日：2008-07-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1362 , H01L27/02
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/1339 , G02F1/134309 , G02F1/136286 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L27/1288 , H01L29/04 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78678 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的目的为提供一种方法，其中批量生产性高地制造具有电特性良好且可靠性高的薄膜晶体管的液晶显示装置。在具有反交错型薄膜晶体管的液晶显示装置中，在反交错型薄膜晶体管中的栅电极上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成用作沟道形成区域的微晶半导体膜，在微晶半导体膜上形成缓冲层，在缓冲层上形成一对源区域及漏区域，以使源区域及漏区域的一部分露出的方式形成与源区域及漏区域接触的一对源电极及漏电极。
-
公开(公告)号：CN100570834C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200510106745.7
申请日：2005-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/1277 , H01L27/1292 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/42384 , H01L29/458 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , H01L29/78696 , H01L51/0005 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/5281 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , Y02P80/30
Abstract: 本发明提供了一种用于制造显示装置的方法，该显示装置具有高速工作的TFT，同时利用少量光掩模并提高了材料的应用效率，其中阈值很难发生改变。在本发明中，将催化成分用于非晶形半导体膜中，对该非晶形半导体膜进行加热而形成结晶半导体膜。从该结晶半导体膜中清除掉膜该催化成分之后，制成具有平面结构的顶栅型薄膜晶体管。此外，通过使用选择性地形成显示装置元件的微滴释放法，可简化该过程并降低材料的损耗。
-
公开(公告)号：CN100533746C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200510091032.8
申请日：2005-08-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供了一种显示器件的制造方法，所述显示器件具有能够在较小阈值电压改变的情况下高速操作的TFT，其中高效率使用所述材料并且需要少量光掩模。本发明的显示器件包括形成在绝缘表面上的栅电极层和像素电极层、形成在栅电极层上的栅绝缘层、形成在栅绝缘层上的晶体半导体层、形成得与晶体半导体层相接触的具有一种导电类型的半导体层、形成得与具有一种导电类型的半导体层相接触的源电极层和漏电极层、稍后形成在源电极层、漏电极层和像素电极层上的绝缘层、形成在绝缘层中以到达源电极层或漏电极层的第一开口、形成在栅绝缘层和绝缘层中以到达像素电极层的第二开口、以及形成在第一开口和第二开口中以便于将源电极层或漏电极层与像素电极层电连接的配线层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101369587A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810131294.6
申请日：2008-08-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/12 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1233 , H01L27/3262 , H01L29/04 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的目的在于提供一种显示装置及生产率高地制造其的方法，所述显示装置具有电特性优越且可靠性高的p沟道型薄膜晶体管及n沟道型薄膜晶体管。本发明之一是一种显示装置，包括：反交错型p沟道型薄膜晶体管和n沟道型薄膜晶体管，该p沟道型薄膜晶体管和n沟道型薄膜晶体管在栅电极上顺序层叠有栅极绝缘膜、微晶半导体膜、以及非晶半导体膜，并且还包括形成在非晶半导体膜上的一对n型半导体膜或p型半导体膜、以及形成在一对n型半导体膜或p型半导体膜上的一对布线，其中微晶半导体膜包含1×1016atoms/cm3以下的氧。此外，n沟道型薄膜晶体管的迁移率为10cm2/V·s以上且45cm2/V·s以下，而p沟道型薄膜晶体管的迁移率为0.3cm2/V·s以下。
-
公开(公告)号：CN101142715A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200680008486.7
申请日：2006-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L24/32 , H01L21/6836 , H01L21/84 , H01L23/64 , H01L23/66 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L2221/68327 , H01L2221/6835 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2223/6677 , H01L2224/03002 , H01L2224/03009 , H01L2224/06181 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29118 , H01L2224/2912 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29364 , H01L2224/2939 , H01L2224/29439 , H01L2224/29444 , H01L2224/29447 , H01L2224/29464 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32265 , H01L2224/32501 , H01L2224/33181 , H01L2224/83005 , H01L2224/83007 , H01L2224/83851 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06565 , H01L2924/07811 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/142 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01Q23/00 , H01L2924/00 , H01L2224/03 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/83
Abstract: 本发明的一个目标是提供提高机械强度的无线芯片。此外，本发明的一个目标是提供可以防治电波被阻断的无线芯片。本发明为无线芯片，其中具有薄膜晶体管的层通过各向异性导电粘合剂或导电层固定在天线上，并且薄膜晶体管连接到天线。天线具有介质层、第一导电层和第二导电层。介质层夹在第一导电层和第二导电层之间。第一导电层作为发射电极并且第二导电层作为接地体。
-
公开(公告)号：CN1767159A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510106745.7
申请日：2005-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/1277 , H01L27/1292 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/42384 , H01L29/458 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , H01L29/78696 , H01L51/0005 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/5281 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , Y02P80/30
Abstract: 本发明提供了一种用于制造显示装置的方法，该显示装置具有高速工作的TFT，同时利用少量光掩模并提高了材料的应用效率，其中阈值很难发生改变。在本发明中，将催化成分用于非晶形半导体膜中，对该非晶形半导体膜进行加热而形成结晶半导体膜。从该结晶半导体膜中清除掉膜该催化成分之后，制成具有平面结构的顶栅型薄膜晶体管。此外，通过使用选择性地形成显示装置元件的微滴释放法，可简化该过程并降低材料的损耗。
-
公开(公告)号：CN102270316B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201110104534.5
申请日：2006-03-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , H01Q1/22 , H01Q9/04 , H01Q23/00
CPC classification number: H01Q9/0407 , G06K19/07745 , G06K19/07749 , G06K19/07786 , H01L23/66 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L27/088 , H01L2223/6677 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16265 , H01L2224/32225 , H01L2224/32265 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/01025 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07811 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/13091 , H01L2924/3011 , H01M10/0436 , H01M10/465 , H01M2220/30 , H01Q1/2208 , H01Q1/2283 , H01Q23/00 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明涉及无线芯片以及具有无线芯片的电子设备。本发明提供一种能够增加机械强度的无线芯片，和一种具有高耐用性的无线芯片。无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线和连接芯片和天线的导电层。另外，无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线、传感器装置、连接芯片和天线的导电层、以及连接芯片和传感器装置的导电层。另外，无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线、电池、连接芯片和天线的导电层以及连接芯片和电池的导电层。
-
公开(公告)号：CN101577280B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN200910006746.2
申请日：2009-02-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L23/60 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/0296 , H01L27/124 , H01L27/1248
Abstract: 本发明提供一种显示装置。本发明的目的在于减少保护电路的占有面积。本发明的目的还在于提高含保护电路的显示装置的可靠性。本发明的保护电路包括衬底上的第一布线、第一布线上的绝缘膜以及绝缘膜上的第二布线。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
40
records
(took 0.036 seconds)
