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公开(公告)号：CN104465578A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410053381.X
申请日：2014-02-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L24/83 , H01L23/24 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/04026 , H01L2224/05582 , H01L2224/05583 , H01L2224/05584 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32013 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/8346 , H01L2224/8384 , H01L2924/00014 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种半导体装置，上述半导体装置包括半导体元件和金属膜。上述半导体元件具有第1面以及与第1面相反的一侧的第2面。上述金属膜设置在上述半导体元件的上述第2面。上述金属膜含Cr。上述半导体元件也可以含有动作确保温度比Si的动作确保温度高的材料。
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公开(公告)号：CN103681527A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310061142.4
申请日：2013-02-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/76841 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29118 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29166 , H01L2224/2917 , H01L2224/29171 , H01L2224/29172 , H01L2224/32225 , H01L2224/32503 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2224/83825 , H01L2924/01322 , H01L2924/1301 , H01L2924/15747 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供耐热性、可靠性高并且能够以低成本制造的半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置(10)具有安装基板(11)、半导体芯片(12)、接合层(13)以及软质金属层(14b)。半导体芯片(12)通过接合层(13)以及软质金属层(14b)来与安装基板(11)接合。接合层(13)具有合金层，该合金层以（A）成分以及（B）成分为主成分来构成，所述（A）成分是选自Sn、Zn、In中的任意一种金属或者Sn、Zn、In的合金，所述（B）成分是选自Cu、Ni、Ag、Cr、Zr、Ti、V中的任意一种金属或者选自Cu、Ni、Ag、Cr、Zr、Ti、V中的任意一种金属与选自Sn、Zn、In中的任意一种金属的合金。软质金属层(14b)包含选自Cu、Al、Zn、Ag中的任意一种金属。
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公开(公告)号：CN101737422B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200910225237.9
申请日：2009-11-18
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B22F7/08 , F16C17/06 , F16C33/203 , F16C33/208 , F16C2208/02 , F16C2208/58 , F16C2240/06 , F16C2240/60 , F16C2300/14 , F16C2300/34 , Y10T428/12021
Abstract: 本发明涉及一种复合轴承构件(10)，其包括：其表面接触旋转部分的轴承滑动材料(20)；用与构成轴承滑动材料(20)的材料不同的材料制成的轴承基座材料(30)；和结合轴承滑动材料(20)和轴承基座材料(30)的结合层(40)。此外，轴承滑动材料(20)具有使旋转部分在其表面滑动的滑动层(50)。此外，轴承滑动材料(20)具有在滑动层(50)和结合层(40)之间的组份递变层(60)，该组份递变层(60)分散地包含与构成结合层(40)的金属材料相同的金属材料，在组份递变层(60)中金属材料的含量向着结合层(40)增加。
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公开(公告)号：CN101069816A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710088731.6
申请日：2007-03-20
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的目的在于实现膜组件的节省空间，同时减小原水的过滤阻力，从而使透过流束大于在通常水道用途中使用的精密滤膜或超滤膜的透过流束。本发明使用在容器(2)中装填使用了各向异性多孔质材料的膜(1)而成为一体的膜组件，装入原水进行过滤。
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公开(公告)号：CN1962039A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610143936.5
申请日：2006-11-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B01D69/02 , B01D61/14 , B01D2325/021 , C02F1/44 , Y10T428/12153 , Y10T428/249953 , Y10T428/249956 , Y10T428/249975 , Y10T428/249976 , Y10T428/29
Abstract: 本发明提供一种用于流体过滤器的各向异性多孔材料，它可以高度精确地进行大量流体的分离过程、可以实现高流量、并且改善净化性能。各向异性多孔材料包括多个孔隙。每个孔隙具有各向异性形状，其中可以限定出主轴和次轴。孔隙的布置具有定向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104916557A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410287004.2
申请日：2014-06-24
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/60 , H01L23/495 , H01L23/482
CPC classification number: H01L24/26 , C04B37/026 , C04B2237/12 , C04B2237/126 , C04B2237/343 , C04B2237/407 , H01L21/4882 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L23/492 , H01L23/564 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/32227 , H01L2224/45124 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2224/85447 , H01L2924/00011 , H01L2924/00015 , H01L2924/01027 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/014 , H01L2924/16152 , H01L2924/186 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2224/83205 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01083 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L24/27 , H01L24/33
Abstract: 实施方式提供一种具有使抗热疲劳性提高的接合部的高可靠的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备基座部、设置在所述基座部上的基板、以及设置在所述基板上的半导体元件。并且，还具备接合部，该接合部设置在所述基座部与所述基板之间、以及所述基板与所述半导体元件之间的至少某一方，包含锡、锑以及钴。
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公开(公告)号：CN104458788A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410068978.1
申请日：2014-02-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01N25/00
CPC classification number: G01N25/72 , G01R31/311
Abstract: 一种半导体装置的检查方法，具备：边对将半导体元件和基板以包含金属微颗粒的接合件进行了接合的半导体装置进行加热、边随时间推移地取得所述半导体装置中的热分布的图像数据的工序；基于所述图像数据，求出分形维数的时间变化的工序；求出所述分形维数的时间变化的斜率的工序；以及对所述斜率与预先设定的基准的斜率进行比较来判定所述半导体装置的好坏的工序。
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公开(公告)号：CN104064476A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201310308392.3
申请日：2013-07-22
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/48 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/49866 , H01L23/3735 , H01L23/49844 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/29111 , H01L2224/29311 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83205 , H01L2224/83455 , H01L2224/83825 , H01L2224/8384 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供能够通过抑制冷热循环引起的热膨胀以及热收缩来提高产品的可靠性的功率半导体装置的制造方法以及通过该制造方法制造的功率半导体装置。本实施方式涉及的功率半导体装置的制造方法，是包括表面具有导体层的基底基板以及安装于上述基底基板的半导体元件的功率半导体装置的制造方法，具有在上述导体层的表面形成硬化层的工序。
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公开(公告)号：CN101209516B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200610130968.1
申请日：2006-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B23K35/26 , B23K35/02 , B23K101/00 , B23K101/36
CPC classification number: C22C13/00 , B23K35/262
Abstract: 本发明提供一种无铅焊料，其具有良好的抗氧化性能，并能容易并良好地进行塑性加工。该无铅焊料及无铅焊料成形制品可提供焊接接合制品，特别是电子部件，其有很高的可靠性，例如，机械强度和连接强度。本发明还提供用该无铅焊料连接而成的焊接接合产品及电子部件。
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公开(公告)号：CN100531870C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200710088731.6
申请日：2007-03-20
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的目的在于实现膜组件的节省空间，同时减小原水的过滤阻力，从而使透过流束大于在通常水道用途中使用的精密滤膜或超滤膜的透过流束。本发明使用在容器(2)中装填使用了各向异性多孔质材料的膜(1)而成为一体的膜组件，装入原水进行过滤。
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