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公开(公告)号：CN101051663A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710008395.X
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明在发光元件等的表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。这种发光元件表面是通过以下方式形成的：采用一种树脂组合物在发光元件表面上形成薄膜，该树脂组合物含有嵌段共聚物或者接枝共聚物并且通过自组织形成微相分离结构，然后将在表面上形成的该薄膜的微相分离结构中的至少一个相选择性地除去，采用该剩余相作为腐蚀掩模对该发光元件的表面进行腐蚀。
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公开(公告)号：CN112444273B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202010160792.4
申请日：2020-03-10
Applicant: 株式会社东芝(JP)
IPC: G01D5/12
Abstract: 根据一个实施方式，涉及的传感器包括基体、第1可动构造体以及第1固定构造体。所述第1可动构造体包括多个第1可动电极。多个第1可动电极与基体之间的沿着第1方向的距离可变，所述第1方向是从基体朝向多个第1可动电极的方向。从多个第1可动电极中的一个朝向多个第1可动电极中的另一个的方向沿着与第1方向交叉的第2方向。所述第1固定构造体包括多个第1固定电极。多个第1固定电极中的一个位于多个第1可动电极中的所述一个与多个第1可动电极中的所述另一个之间。多个第1可动电极中的所述一个的沿着第1方向的第1可动电极长度比多个第1固定电极中的所述一个的沿着第1方向的第1固定电极长度短。由此，提供具有高检测能力的传感器。
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公开(公告)号：CN104424964A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410033231.2
申请日：2014-01-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 在磁记录介质形成面内均匀性良好的周期性图案。根据实施方式，在磁记录层上涂布包含微粒子的微粒子涂布液，形成单层的微粒子层，所述微粒子被保护层被覆，且至少在表面具有选自Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Y、Zr、Sn、Mo、Ta、W及其氧化物中的材料，所述保护层包含第1添加剂和第2添加剂的混合物，所述第1添加剂具有用于提高对磁记录层的润湿性的直链结构以及羧基等，所述第2添加剂具有羧基等以及聚合性官能团，应用热能或者光能，使聚合性官能团反应而使保护层固化，并且固着于磁记录层上，形成周期性图案。
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公开(公告)号：CN102479904A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110248634.5
申请日：2011-08-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: 实施方式涉及的半导体发光元件具备：发光体、第一电极层、第二电极层、焊盘电极和辅助电极部。发光体在一侧设有第一导电型的第一半导体层，在另一侧设有第二导电型的第二半导体层，在第一半导体层和第二半导体层之间设有发光层。第一电极层在第二半导体层的与第一半导体层相反的一侧设置，且具有金属层和沿从第一半导体层朝向第二半导体层的第一方向贯通上述金属层的多个开口部。第二电极层与第一半导体层导通。焊盘电极与第一电极层导通。辅助电极部与第一电极层导通，且在与第一方向正交的第二方向上延伸。
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公开(公告)号：CN101393779B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200810215745.4
申请日：2008-09-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01B5/14 , H01J17/04 , H01J9/02 , G02F1/1343
CPC classification number: H01L31/022491 , G02F1/13439 , H01J2211/225 , H01L51/5234
Abstract: 本发明提供一种对光透明的金属电极，其是具备透明基板和具有多个开口部的金属电极层而构成的光透射型金属电极。该金属电极层无裂缝地连续，并且，未被上述开口部阻碍的连续的金属部位的直线距离小于等于所利用的可见光区域波长380nm～780nm的1/3的部位占全部面积的90％以上，平均开口部直径处于大于等于10nm、小于等于入射光的波长的1/3的范围，上述开口部的中心间间距处于大于等于平均开口部直径、小于等于入射光的波长的1/2的范围，进而上述金属电极层的膜厚处于大于等于10nm小于等于200nm的范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100524861C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710008395.X
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明在发光元件等的表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。这种发光元件表面是通过以下方式形成的：采用一种树脂组合物在发光元件表面上形成薄膜，该树脂组合物含有嵌段共聚物或者接枝共聚物并且通过自组织形成微相分离结构，然后将在表面上形成的该薄膜的微相分离结构中的至少一个相选择性地除去，采用该剩余相作为腐蚀掩模对该发光元件的表面进行腐蚀。
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公开(公告)号：CN1430290A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN02160828.8
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明在发光元件等的表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。这种发光元件表面是通过以下方式形成的：采用一种树脂组合物在发光元件表面上形成薄膜，该树脂组合物含有嵌段共聚物或者接枝共聚物并且通过自组织形成微相分离结构，然后将在表面上形成的该薄膜的微相分离结构中的至少一个相选择性地除去，采用该剩余相作为腐蚀掩模对该发光元件的表面进行腐蚀。
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公开(公告)号：CN106611605A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201610066010.4
申请日：2016-01-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/667 , G11B5/7315 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/8408 , G11B5/851 , G11B5/714 , G11B5/70626
Abstract: 本发明的实施方式得到磁记录特性良好、且改善了耐腐蚀性的磁记录介质以及使用该磁记录介质的磁记录再生装置。实施方式涉及的磁记录介质具有：基板；由Ni合金或Ag合金构成的取向控制层；与取向控制层接触而设置的非磁性种子层；以及，以Fe或Co、和Pt为主成分的垂直磁记录层，非磁性种子层由Ag粒子、Ge粒界和化合物X构成，化合物X选自Al、Ti、Cr、Si、Ta各元素的氧化物、氮化物和碳化物，且分布于Ag粒子和Ge粒界这两者中。
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公开(公告)号：CN104424967A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410344999.1
申请日：2014-07-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/84
Abstract: 本发明提供一种图案形成方法、磁记录介质的制造方法及微粒子分散液，所述图案形成方法能够形成面内均匀性良好的周期性图案。根据实施方式，提供一种图案形成方法，所述方法包括以下工序：在基板或掩模层上涂布微粒子涂布液从而在基板或掩模层上形成微粒子层的工序，所述微粒子涂布液含有微粒子、粘度调节剂和溶剂，所述微粒子具有表面极性接近的保护基且至少在表面具有选自Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Y、Zr、Sn、Mo、Ta、W、Au、Ag、Pd、Cu、Pt、及它们的氧化物中的材料，所述溶剂用于调节粘度调节剂与具有保护基的微粒子的混合。
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