公开(公告)号：CN1433088A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN03101715.0

申请日：2003-01-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 杉山仁 ,  大桥健一 ,  山下敦子 ,  鹫塚章一 ,  赤池康彦 ,  吉武春二 ,  浅川钢児 ,  江头克 ,  藤本明

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/22

Abstract: 一种半导体发光器件包括：具有第1表面和第2表面的衬底；以及在上述衬底的上述第1表面上形成的半导体叠层和包含一个光发射层和一个电流扩散层，其中一个光射出面具有微小凹凸，上述微小凹凸的99％以上是凸部部高度为100nm以上，底边长度为10～500nm的锥体形状。

公开(公告)号：CN1229877C

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN03101715.0

申请日：2003-01-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 杉山仁 ,  大桥健一 ,  山下敦子 ,  鹫塚章一 ,  赤池康彦 ,  吉武春二 ,  浅川钢児 ,  江头克 ,  藤本明

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/22

Abstract: 一种半导体发光器件包括：具有第1表面和第2表面的衬底；以及在上述衬底的上述第1表面上形成的半导体叠层和包含一个光发射层和一个电流扩散层，其中一个光射出面具有微小凹凸，上述微小凹凸的99%以上是凸部部高度为100nm以上，底边长度为10～500nm的锥体形状。