公开(公告)号：CN106505061A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610011822.9

申请日：2016-01-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 稻积贤 ,  大野博登 ,  江头克

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L28/86 ,  H01L28/90 ,  H01L23/5222 ,  H01L28/40

Abstract: 实施方式的电容元件具备第一电极、第二电极、及第一通孔。第一电极设置在第一配线层内。第二电极设置在第一配线层内，且以闭路包围第一电极的周围。第一通孔连接于第一电极，且贯通第一配线层而设置。

公开(公告)号：CN1229877C

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN03101715.0

申请日：2003-01-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 杉山仁 ,  大桥健一 ,  山下敦子 ,  鹫塚章一 ,  赤池康彦 ,  吉武春二 ,  浅川钢児 ,  江头克 ,  藤本明

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/22

Abstract: 一种半导体发光器件包括：具有第1表面和第2表面的衬底；以及在上述衬底的上述第1表面上形成的半导体叠层和包含一个光发射层和一个电流扩散层，其中一个光射出面具有微小凹凸，上述微小凹凸的99%以上是凸部部高度为100nm以上，底边长度为10～500nm的锥体形状。

公开(公告)号：CN1379464A

公开(公告)日：2002-11-13

申请号：CN02118043.1

申请日：2002-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 江头克

IPC: H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/84

Abstract: 一种半导体器件,包括:由具有平坦表面的单晶硅构成的半导体衬底、第一元件形成区域、第二元件形成区域、第三元件形成区域和在第一到第三元件形成区域的每一个上形成的用途不同的半导体元件。第一元件形成区域具有从半导体衬底表面埋入到规定深度处的第一埋置绝缘膜。第二元件形成区域具有从半导体衬底表面埋入到比第一埋置绝缘膜浅的位置处的第二埋置绝缘膜。第三元件形成区域从半导体衬底表面到与该表面相反的背面之间由单晶硅构成。

公开(公告)号：CN1260804C

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN02118043.1

申请日：2002-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 江头克

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/84

Abstract: 一种半导体器件，包括：由具有平坦表面的单晶硅构成的半导体衬底、第一元件形成区域、第二元件形成区域、第三元件形成区域和在第一到第三元件形成区域的每一个上形成的用途不同的半导体元件。第一元件形成区域具有从半导体衬底表面埋入到规定深度处的第一埋置绝缘膜。第二元件形成区域具有从半导体衬底表面埋入到比第一埋置绝缘膜浅的位置处的第二埋置绝缘膜。第三元件形成区域从半导体衬底表面到与该表面相反的背面之间由单晶硅构成。

公开(公告)号：CN1433088A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN03101715.0

申请日：2003-01-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 杉山仁 ,  大桥健一 ,  山下敦子 ,  鹫塚章一 ,  赤池康彦 ,  吉武春二 ,  浅川钢児 ,  江头克 ,  藤本明

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/22

Abstract: 一种半导体发光器件包括：具有第1表面和第2表面的衬底；以及在上述衬底的上述第1表面上形成的半导体叠层和包含一个光发射层和一个电流扩散层，其中一个光射出面具有微小凹凸，上述微小凹凸的99％以上是凸部部高度为100nm以上，底边长度为10～500nm的锥体形状。