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公开(公告)号：CN1199291C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN01132996.3
申请日：2001-09-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/305
Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件，具备：由用n型和p型的包覆层(12、14)把有源层(13)夹在中间的III-V族化合物半导体构成的双异质结构造部分；直接键合到p型包覆层(14)上的p型GaP衬底(20)；在上述p型包覆层(14)与p型GaP衬底(20)之间形成的由InGaAlP构成的Zn扩散防止层(15)，Zn扩散防止层(15)同时掺入p型掺杂剂的Zn和n型掺杂剂的Si，在设Zn、Si的杂质浓度分别为Na、Nd时，满足Na＞Nd，且Nd＞2×1017cm-3。能防止p掺杂剂向有源层扩散，抑制非发光中心的形成，实现高辉度化和稳定化。
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公开(公告)号：CN103283042B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201180062905.6
申请日：2011-07-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/14 , H01L33/38 , H01L33/405
Abstract: 根据实施方式，发光元件具备：包括发光层的半导体层叠体；在半导体层叠体之上与半导体层叠体直接地连接的第一上部电极；至少一个第二上部电极，从第一上部电极延伸，在半导体层叠体之上隔着第一接触层与半导体层叠体连接；以及设置在半导体层叠体之下的下部电极。发光元件具备：透明导电层，设置在半导体层叠体与下部电极之间，透射从发光层发出的光；设置在透明导电层与下部电极之间的光反射层；以及电流阻止层，设置在半导体层叠体与透明导电层之间以及半导体层叠体与第一上部电极以及第二上部电极之间的至少任一方，从相对于发光层的主面垂直的方向观察时，选择性地设置有至少一个狭缝。
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公开(公告)号：CN105374865A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510096580.3
申请日：2015-03-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66348 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/7397
Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够提高耐压及降低损失的半导体装置。实施方式的半导体装置包括：第二导电型的第二半导体层，选择性地设置在第一导电型的第一半导体层上；第一导电型的第三半导体层，设置在所述第二半导体层上；第二导电型的第四半导体层，选择性地设置在所述第一半导体层上；及控制电极，隔着绝缘膜而与所述第二半导体层及所述第三半导体层相邻，且位于所述第二半导体层与所述第四半导体层之间。而且，还包括半导体区域，所述半导体区域隔着所述绝缘膜而与所述控制电极的底部相邻，并设置于所述第一半导体层中或所述第四半导体层中的至少任一者中，且包含至少一种电惰性的元素。
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公开(公告)号：CN102194933A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110066967.6
申请日：2011-03-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L33/0079
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件的制造方法，用于使具有第一基板、半导体层和第一金属层的第一层叠体与具有第二基板和第二金属层的第二层叠体贴合，其特征在于，包括：将上述第一层叠体的劈开方向与上述第二层叠体的劈开方向错开，使上述第一金属层与上述第二金属层接触而重叠的工序，以及在对上述第一层叠体与上述第二层叠体之间施加负载的状态下进行升温，使上述第一层叠体与上述第二层叠体贴合的工序。
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公开(公告)号：CN106531698A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610111557.1
申请日：2016-02-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/29 , H01L23/31 , H01L29/868
CPC classification number: H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/402 , H01L29/417 , H01L29/7397 , H01L29/8611 , H01L29/872
Abstract: 根据一个实施方式，半导体装置具备：第一电极；第二电极；半导体基板，至少一部分设置在第一电极与第二电极之间，具有第一面和第二面，具有第一导电型的第一区域和和多个第二导电型的第二区域，该多个第二导电型的第二区域与第一面相接触地设置在第一电极的周围；第一绝缘膜，设置在第二区域上，包含正电荷；及第二绝缘膜，设置在第二区域上，包含负电荷。
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公开(公告)号：CN1242497C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN03119983.6
申请日：2003-03-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种光取出效率高且良品率高、寿命长的半导体发光芯片及半导体发光器件。一种半导体发光芯片，其特征在于，具有：发光层，其放射光；及衬底，其对来自上述发光层的上述光具有透光性，具备设有上述发光层的上表面、与上述上表面相对的底面、连接上述上表面和上述底面的侧面，上述侧面有从上述上表面侧朝向上述底面侧的第1侧面、从该第1侧面朝向上述底面侧的第2侧面、从该第2侧面朝向上述底面侧的第3侧面，上述第3侧面朝上述上表面扩展倾斜，上述第2侧面朝上述上表面扩展倾斜从而将来自上述发光层的上述光的一部分向外部射出，上述第1侧面是通过沿解理面解理而成的侧面。
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公开(公告)号：CN1347160A
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN01132996.3
申请日：2001-09-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/305
Abstract: 防止p掺杂剂向有源层扩散,抑制非发光中心的形成,实现高辉度化和稳定化。发光二极管具备由用n型和p型的包层12、14把有源层13夹在中间的III－V族化合物半导体构成的双异质结构造部分;直接键合到p型包层14上的p型GaP衬底20;在上述p型包层14与p型GaP衬底20之间形成的由InGaAIP构成的Zn扩散防止层15,Zn扩散防止层15同时掺入p型掺杂剂的Zn和n型掺杂剂的Si,在设Zn、Si的杂质浓度分别为Na、Nd时,满足Na>Nd,且Nd>2×1017cm－3。
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