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公开(公告)号：CN100409319C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200480028831.4
申请日：2004-10-05
CPC classification number: G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/7325
Abstract: 一种垂直磁性记录介质，包括：衬底；在所述衬底上方形成的至少一个底层；以及在所述至少一个底层上方形成的垂直磁性记录层，该垂直磁性记录层的容易磁化轴垂直于所述衬底，该垂直磁性记录层包括磁性晶体微粒和包围该磁性晶体微粒的颗粒边界，其中所述颗粒边界包含具有硅氧化物和从由Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr和Ba组成的组中选出的至少一个元素，以及垂直磁性记录层中的Si、Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr和Ba的物质的总量的比例不小于1mol%，且不大于20mol%。
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公开(公告)号：CN1864205A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200480028831.4
申请日：2004-10-05
CPC classification number: G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/7325
Abstract: 一种垂直磁性记录介质，包括：衬底；在所述衬底上方形成的至少一个底层；以及在所述至少一个底层上方形成的垂直磁性记录层，该垂直磁性记录层的容易磁化轴垂直于所述衬底，该垂直磁性记录层包括磁性晶体微粒和包围该磁性晶体微粒的颗粒边界，其中所述颗粒边界包含具有硅氧化物和从由Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr和Ba组成的组中选出的至少一个元素，以及垂直磁性记录层中的Si、Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr和Ba的物质的总量的比例不小于1mol％，且不大于20mol％。
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公开(公告)号：CN1674105A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059497.5
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656
Abstract: 本发明公开了一种垂直磁记录媒体，该垂直磁记录媒体包括：非磁性衬底；第一垫层，形成在该非磁性衬底上，主要由从包括Fe2O3、Co3O4、MgO、MoO3、Mn3O4、SiO2、Al2O3、TiO2以及ZrO2的组中选择的至少两种构成，而且具有以柱形生长的晶粒和包围该晶粒的晶粒边界；非磁性第二垫层，形成在第一垫层上，而且具有生长在第一垫层的晶粒上、具有面心立方晶格结构和六方紧密堆积结构之一的晶粒；磁性层，形成在第二垫层上；以及保护层，形成在该磁性层上。
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公开(公告)号：CN1551122A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410007277.3
申请日：2004-02-27
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 磁记录介质和包含该磁记录介质的磁记录/再现装置，其中磁记录介质包含具有粒状结构的取向控制层(3)，该取向控制层在衬底(1)和磁记录层(4)之间形成并包含基底材料和分散在基底材料上的颗粒并且具有小于颗粒粒径的厚度。
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公开(公告)号：CN104795079A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410178875.0
申请日：2014-04-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/84
CPC classification number: C30B23/08 , C23C14/185 , G11B5/7325 , H01F10/123
Abstract: 本发明得到具有结晶取向性及低粒径分散性良好的磁性粒子且记录再现特性优良的垂直磁记录介质。实施方式涉及的垂直磁记录介质具有在基板上依次形成的、软磁性基底层、以具有面心立方结构的Ni为主成分得配向控制层、具有15％以下的间距分散的多个金属氧化物柱及包括在由多个金属氧化物柱划分的区域内生长的具有密排六方结构或面心立方结构的结晶微粒的粒径控制层以及垂直磁记录层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101256779A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810092003.7
申请日：2008-01-25
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 岩崎刚之
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404
Abstract: 本发明涉及一种垂直磁记录介质和磁记录/再现装置。在该垂直磁记录介质中，软磁性层(2)，具有精细晶体结构并且由Pd或Pd合金构成的第一非磁性衬层(3)，由Ru和Ru合金构成的第二非磁性衬层(4)，和垂直磁记录层(5)层叠在非磁性衬底(1)上。
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公开(公告)号：CN1898726A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200480038388.9
申请日：2004-12-24
CPC classification number: G11B5/7325 , C23C14/0688 , C23C14/185 , G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/712 , G11B5/85
Abstract: 一种磁记录介质62，其中包括：衬底11；在衬底11上形成的底涂层13和14；以及磁记录层15，其包括磁性晶粒和包围所述晶粒的晶粒间界区域。晶粒间界区域包括钛氧化物，且磁记录层15中的钛氧化物的物质含量的比率为5mol％至15mol％之间，所述钛氧化物包括至少TiO和/或Ti2O3。
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公开(公告)号：CN1275231C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200410031899.X
申请日：2004-03-31
IPC: G11B5/62
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656
Abstract: 本文公开了垂直磁记录介质和磁记录/再现装置。一种垂直磁记录介质(10)，在垂直磁记录层(4)之下形成了一个内涂层(3)，它具有若干晶体颗粒和一种含有碳化物或硼化物的颗粒边界材料，在上述内涂层(3)之下形成了另一个内涂层(2)，它含有形成晶体颗粒的元素之一。通过进一步缩小垂直磁记录层(4)的颗粒尺寸，它能够进行高密度记录。
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公开(公告)号：CN1823371A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200480019931.0
申请日：2004-07-13
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/656 , G11B5/732 , G11B5/7325
Abstract: 一种具有磁记录层的磁记录介质，该磁记录层由具有改善取向性的精细晶粒制成。在非磁性基片1上依次形成软磁性层3、籽晶层4、垫层5和磁记录层7，其中籽晶层4由包含Ni的材料制成，垫层5具有颗粒隔离型结构，在该结构中由非磁性材料制成的颗粒被隔离在非磁性阵列中，并且该非磁性阵列由包含Y2O3的材料制成。具有这种结构，改善了垫层5在颗粒的均匀性、颗粒边界的清晰度、颗粒的精细度和晶体取向性方面的特征，从而改善了在垫层上所形成的磁记录层7在颗粒的均匀性、颗粒边界的清晰度、颗粒的精细度和晶体取向性方面的特征。因此，改善了介质噪声和矫顽力，从而可以进行高密度记录。
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公开(公告)号：CN1674102A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059299.9
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325
Abstract: 提供一种磁记录媒体、记录媒体的制造方法和磁记录装置。在包含Cu晶粒层和Cu晶粒层表面上的淀积氮原子层的垫层上形成磁记录层。从而得到具有非常小的平均晶粒直径和非常窄的晶粒直径分布的磁记录层。包含上述磁记录层的磁记录媒体在高密度记录的条件下表现出优异的信噪比特性。
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