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公开(公告)号：CN1763983B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200510106305.1
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明的发光元件在表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。
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公开(公告)号：CN100403555C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN02160828.8
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明在发光元件等的表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。这种发光元件表面是通过以下方式形成的：采用一种树脂组合物在发光元件表面上形成薄膜，该树脂组合物含有嵌段共聚物或者接枝共聚物并且通过自组织形成微相分离结构，然后将在表面上形成的该薄膜的微相分离结构中的至少一个相选择性地除去，采用该剩余相作为腐蚀掩模对该发光元件的表面进行腐蚀。
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公开(公告)号：CN104465742B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410376732.0
申请日：2014-08-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/778 , H01L29/205
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/4236 , H01L29/7783
Abstract: 实施方式的半导体装置具备第1GaN类半导体的第1半导体层、带隙比第1GaN类半导体小的第2GaN类半导体的第2半导体层、带隙比第2GaN类半导体大的第3GaN类半导体的第3半导体层、带隙比第3GaN类半导体小的第4GaN类半导体的第4半导体层、带隙比第4GaN类半导体大的第5GaN类半导体的第5半导体层、一端位于第5半导体层且另一端位于第3半导体层的沟槽、设置在沟槽内壁上的栅极绝缘膜、设置在栅极绝缘膜上的栅极电极、设置在第5半导体层上的源极电极、以及在第5半导体层上相对于源极电极设置在栅极电极的相反侧的漏极电极。
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公开(公告)号：CN101051663A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710008395.X
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明在发光元件等的表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。这种发光元件表面是通过以下方式形成的：采用一种树脂组合物在发光元件表面上形成薄膜，该树脂组合物含有嵌段共聚物或者接枝共聚物并且通过自组织形成微相分离结构，然后将在表面上形成的该薄膜的微相分离结构中的至少一个相选择性地除去，采用该剩余相作为腐蚀掩模对该发光元件的表面进行腐蚀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1763983A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510106305.1
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明的发光元件在表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。
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公开(公告)号：CN104465742A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410376732.0
申请日：2014-08-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/778 , H01L29/205
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/4236 , H01L29/7783
Abstract: 实施方式的半导体装置具备第1GaN类半导体的第1半导体层、带隙比第1GaN类半导体小的第2GaN类半导体的第2半导体层、带隙比第2GaN类半导体大的第3GaN类半导体的第3半导体层、带隙比第3GaN类半导体小的第4GaN类半导体的第4半导体层、带隙比第4GaN类半导体大的第5GaN类半导体的第5半导体层、一端位于第5半导体层且另一端位于第3半导体层的沟槽、设置在沟槽内壁上的栅极绝缘膜、设置在栅极绝缘膜上的栅极电极、设置在第5半导体层上的源极电极、以及在第5半导体层上相对于源极电极设置在栅极电极的相反侧的漏极电极。
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公开(公告)号：CN100524861C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710008395.X
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明在发光元件等的表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。这种发光元件表面是通过以下方式形成的：采用一种树脂组合物在发光元件表面上形成薄膜，该树脂组合物含有嵌段共聚物或者接枝共聚物并且通过自组织形成微相分离结构，然后将在表面上形成的该薄膜的微相分离结构中的至少一个相选择性地除去，采用该剩余相作为腐蚀掩模对该发光元件的表面进行腐蚀。
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公开(公告)号：CN1430290A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN02160828.8
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明在发光元件等的表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。这种发光元件表面是通过以下方式形成的：采用一种树脂组合物在发光元件表面上形成薄膜，该树脂组合物含有嵌段共聚物或者接枝共聚物并且通过自组织形成微相分离结构，然后将在表面上形成的该薄膜的微相分离结构中的至少一个相选择性地除去，采用该剩余相作为腐蚀掩模对该发光元件的表面进行腐蚀。
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