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公开(公告)号：CN106575642B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201480080405.9
申请日：2014-07-10
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L23/36 , H01L23/367 , H01L23/38 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2924/1815 , H05K7/20 , H05K7/2039 , H01L2924/00014
Abstract: 电子装置具备主体部和散热片。主体部由第一材料形成，散热片由热传导率比第一材料高的第二材料形成。散热片覆盖主体部，并具有散热板、和在与散热板的顶部不同的位置与该散热板热连接并且与电子部件热连接的被连接部。
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公开(公告)号：CN106575642A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201480080405.9
申请日：2014-07-10
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L23/36 , H01L23/367 , H01L23/38 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2924/1815 , H05K7/20 , H05K7/2039 , H01L2924/00014
Abstract: 电子装置具备主体部和散热片。主体部由第一材料形成，散热片由热传导率比第一材料高的第二材料形成。散热片覆盖主体部，并具有散热板、和在与散热板的顶部不同的位置与该散热板热连接并且与电子部件热连接的被连接部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100477139C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN03822757.6
申请日：2003-04-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/4853 , H01L24/11 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L2224/1134 , H01L2224/1184 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/29298 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73104 , H01L2224/749 , H01L2224/75 , H01L2224/75252 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/15788 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/29099
Abstract: 本发明使半导体基板(1)的背面(1b)吸附在基板支承台(11)的支承面(11a)上而使其固定。这时，由于对背面(1b)的平整化处理，成为半导体基板(1)的厚度一定的状态，背面(1b)由于向支承面(11a)吸附而被强制性地成为没有起伏的状态，这样，背面(1b)成为表面(1a)的平整化的基准面。在该状态下，使用刀具(10)对表面(1a)中的各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表层进行切削加工，进行平整化处理，使得各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表面连续且平整。这样，取代CMP，能够廉价且高速地使形成在基板上的微细的凸块的表面平整化。
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公开(公告)号：CN112486728A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202010934575.6
申请日：2020-09-08
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 提供了障碍同步电路、障碍同步方法以及并行信息处理装置。一种障碍同步电路，其对由多个处理电路并行执行的多个处理执行障碍同步，该障碍同步电路包括：第一确定电路，其被配置成确定多个处理电路中已经完成处理的第一处理电路的数目是否等于或大于第一阈值；以及指示电路，其被配置成在通过第一确定电路确定该数目等于或大于第一阈值的情况下，指示多个处理电路中尚未完成处理的第二处理电路强制停止处理。
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公开(公告)号：CN106062948B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201480075879.4
申请日：2014-07-08
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明涉及散热部件、散热部件的制造方法、电子装置、电子装置的制造方法、集成模块以及信息处理系统。电子装置具备：主体部、散热材料以及覆盖部。主体部由第一材料形成，散热片由比第一材料热传导率高的第二材料形成。散热片设置于主体部，并具有翅片、与该翅片在与顶部不同的位置彼此进行了热连接的其他翅片、以及将翅片与电子部件进行热连接的被连接部。覆盖部由第一材料形成，并对翅片与其他翅片之间的槽的底部中的至少一部分进行覆盖。
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公开(公告)号：CN106062948A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201480075879.4
申请日：2014-07-08
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H05K7/20436 , G08G1/042 , H01L21/4878 , H01L21/4882 , H01L21/565 , H01L23/3121 , H01L23/36 , H01L23/3675 , H01L23/373 , H01L23/4334 , H01L24/48 , H01L35/02 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73215 , H01L2924/00014 , H01L2924/1815 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及散热部件、散热部件的制造方法、电子装置、电子装置的制造方法、集成模块以及信息处理系统。电子装置具备：主体部、散热材料以及覆盖部。主体部由第一材料形成，散热片由比第一材料热传导率高的第二材料形成。散热片设置于主体部，并具有翅片、与该翅片在与顶部不同的位置彼此进行了热连接的其他翅片、以及将翅片与电子部件进行热连接的被连接部。覆盖部由第一材料形成，并对翅片与其他翅片之间的槽的底部中的至少一部分进行覆盖。
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公开(公告)号：CN102044413A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010526085.9
申请日：2003-04-22
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/4853 , H01L24/11 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L2224/1134 , H01L2224/1184 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/29298 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73104 , H01L2224/749 , H01L2224/75 , H01L2224/75252 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/15788 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/29099
Abstract: 本发明使半导体基板(1)的背面(1b)吸附在基板支承台(11)的支承面(11a)上而使其固定。这时，由于对背面(1b)的平整化处理，成为半导体基板(1)的厚度一定的状态，背面(1b)由于向支承面(11a)吸附而被强制性地成为没有起伏的状态，这样，背面(1b)成为表面(1a)的平整化的基准面。在该状态下，使用刀具(10)对表面(1a)中的各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表层进行切削加工，进行平整化处理，使得各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表面连续且平整。这样，取代CMP，能够廉价且高速地使形成在基板上的微细的凸块的表面平整化。
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