公开(公告)号：CN101410969A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780011319.2

申请日：2007-05-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·克莱文格 ,  T·J·多尔顿 ,  L·L-C·许 ,  C·J·雷登斯 ,  V·拉马钱德兰 ,  K·K·H·黄 ,  杨智超

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/957 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了用于制造具有高Q片上电容器的半导体IC(集成电路)芯片的方法，在所述芯片背面上形成所述高Q片上电容器并使用穿晶片互连将所述高Q片上电容器连接到在所述芯片正面上的集成电路。在一方面，半导体器件包括半导体衬底，所述半导体衬底具有正面、背面、和在所述衬底的所述正面与背面之间插入的掩埋绝缘层。在所述半导体衬底的所述正面上形成集成电路，在所述半导体衬底的所述背面上形成集成电容器，以及形成穿过所述掩埋绝缘层的互连结构以将所述集成电容器连接到所述集成电路。

公开(公告)号：CN101268549A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200680034290.5

申请日：2006-09-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  K·占达 ,  L·克莱文格 ,  王允愈 ,  D·杨

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种互连结构以及制造所述互连结构的方法。所述互连结构包括具有构图的开口的介质层、在所述构图的开口中设置的金属特征、以及覆盖所述金属特征的介质帽。所述介质帽具有内部拉伸应力，所述应力有助于避免产生沿离开所述金属线路的方向的电迁徙，特别是当所述金属线路具有拉伸应力时。

公开(公告)号：CN101110431A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710136085.6

申请日：2007-07-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： V·拉马钱德兰 ,  许履尘 ,  C·拉登斯 ,  杨智超 ,  L·A·克莱文格 ,  T·J·达尔顿 ,  黄洸汉

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5227 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了用于制造具有高Q芯片上电感器的半导体IC(集成电路)芯片的方法，所述电感器形成于芯片背面上并使用穿过晶片的互连连接到芯片正面上的集成电路。例如，具有背面集成电感器的半导体器件包括半导体衬底，所述衬底具有正面、背面和介于衬底背面和正面之间的掩埋绝缘层。在半导体衬底的正面上形成集成电路而在半导体衬底的背面上形成集成电感器。形成穿过掩埋绝缘层的互连结构，以连接集成电感器和集成电路。所述半导体衬底可以是SOI(绝缘体上硅)结构。

公开(公告)号：CN101079409A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200710104832.8

申请日：2007-05-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 林庆煌 ,  T·A·斯普纳 ,  杨智超 ,  G·博尼拉

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了增强在化学蚀刻的介质材料和贵金属衬里之间的粘附的互连结构及其制造方法。根据本发明，化学蚀刻介质材料经历修改介质材料的化学特性的处理步骤以使处理的表面具有疏水性。处理步骤在沉积贵金属衬里之前执行并辅助增强化学蚀刻的介质材料和贵金属衬里之间的粘附。

公开(公告)号：CN101068013A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200710097015.4

申请日：2007-04-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  考施克·查恩达

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76844 ,  C23C14/046 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846

Abstract: 半导体结构及其制造方法，提供了一种互连结构，其在部件侧壁上的阻挡材料覆盖度大于在部件底部上所述阻挡材料的厚度，并提供了制造这种互连结构的方法。本发明的互连结构与现有技术的互连结构相比，其中阻挡材料通过传统的PVD处理、传统的离子化等离子体沉积、CVD或ALD加以形成，对半导体工业而言具有更高的技术可扩展性。根据本发明，提供了一种互连结构，其在部件侧壁上的阻挡材料厚度(wt)大于在部件底部上的阻挡材料厚度(ht)。也就是说，在本发明的互连结构中，wt/ht的比值等于或大于100％。

公开(公告)号：CN101038907A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710135957.7

申请日：2007-03-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  K·K·H·黄 ,  N·R·克林科 ,  C·C·帕克斯

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种单或双镶嵌型的互连结构及其形成方法，其基本上减小了在贵金属籽晶层上镀敷导电材料的表面氧化问题。根据本发明，使用氢等离子体处理来处理贵金属籽晶层，以使处理过的贵金属籽晶层具有高抗表面氧化性。本发明的抗氧化贵金属籽晶层具有低的C含量和/或低的氮含量。

公开(公告)号：CN101034696A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710086005.0

申请日：2007-03-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： W·R·通蒂 ,  L·L-C·许 ,  W·P·霍维斯 ,  J·A·曼德尔曼 ,  杨智超

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于集成电路的电编程熔丝结构及其制造方法，其中电编程熔丝具有通过熔丝元件互连的第一端部和第二端部。第一端部和第二端部相对于熔丝结构的支撑面位于不同的高度，互连熔丝元件在第一端部和第二端部的不同高度之间转变。第一和第二端部取向为与支撑面平行，而熔丝元件包括取向为与支撑面垂直的部分，并且包括至少一个直角弯角，在所述弯角从第一和第二端部的至少一个转变成熔丝元件的垂直取向部分。

公开(公告)号：CN1976035A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610142995.0

申请日：2006-10-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杰克·阿兰·迈德曼 ,  许履尘 ,  杨智超 ,  威廉·罗伯特·汤迪

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/525 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L21/268 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种包括位于半导体衬底(大块或绝缘体上半导体)中的沟槽内嵌入的至少一个e－熔丝的半导体结构。根据本发明，该e－熔丝与位于该半导体衬底内的掺杂剂区域电接触。本发明还提供了一种制造这种半导体结构的方法，其中该嵌入的e－熔丝基本上与沟槽隔离区域同时形成。

公开(公告)号：CN1971876A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610163558.7

申请日：2006-11-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·L·拉思 ,  杨智超 ,  S·波诺斯 ,  K·K·H·黄

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: 通过以下步骤制造导体－电介质互连结构：提供包括其中具有已构图部件的介电层的结构；在所述已构图部件中所述介电层上沉积镀敷籽晶层；在过孔中所述镀敷籽晶层上沉积牺牲籽晶层；通过转向镀敷减小所述牺牲籽晶层的厚度；以及在所述已构图部件中所述牺牲籽晶层上镀敷导电金属。并且提供其中具有过孔的介电层；在已构图部件中所述介电层上镀敷籽晶层；以及位于所述已构图部件中的不连续牺牲籽晶层。

公开(公告)号：CN1622323A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410094953.5

申请日：2004-11-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  劳伦斯·A.·克莱温格 ,  蒂莫西·J.·达尔顿 ,  许履尘 ,  卡尔·拉登斯 ,  黄洸汉

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于高布线密度半导体的制造“Lego”形互锁接触的结构和方法，特征在于在接触过孔中形成的阻挡衬里只有一部分向上延伸到相邻的布线层中。因而，可以避免电流拥挤和与常规现有技术互连结构相关的可靠性问题，并且增强接触过孔(金属栓塞)结构的结构完整性。由于表面积的增加，所制造的向上延伸的新颖的“王冠”形的Lego形互锁接触结构可以用于其它集成电路应用，包括形成电容器(例如， MIMCAP)和热沉结构。