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公开(公告)号：CN101034696B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200710086005.0
申请日：2007-03-07
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/525 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于集成电路的电编程熔丝结构及其制造方法，其中电编程熔丝具有通过熔丝元件互连的第一端部和第二端部。第一端部和第二端部相对于熔丝结构的支撑面位于不同的高度，互连熔丝元件在第一端部和第二端部的不同高度之间转变。第一和第二端部取向为与支撑面平行，而熔丝元件包括取向为与支撑面垂直的部分，并且包括至少一个直角弯角，在所述弯角从第一和第二端部的至少一个转变成熔丝元件的垂直取向部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101221534A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810001751.X
申请日：2008-01-08
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G06F13/161 , G06F12/0802
Abstract: 在控制包括多个存储器位置的计算机可读存储器的方法中，确定多个数据单元的使用频率。当每次发生预定事件时，确定针对该多个存储器位置中每一个的存储器延迟。在该预定事件之后，将具有高使用频率的数据单元存储在具有低延迟的存储器位置中。
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公开(公告)号：CN100511485C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200610144544.0
申请日：2006-11-10
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G11C17/18
Abstract: 在芯片上的eFuse参考单元提供参考电压，所述参考电压大于由所述芯片上的具有未熔断的eFuse的eFuse单元产生的最大电压，但小于由所述芯片上的具有熔断的eFuse的eFuse单元产生的最小电压。参考电流流经电阻器和所述eFuse参考单元中的未熔断eFuse，产生所述参考电压。所述参考电压用于产生所述eFuse单元中的所述参考电流的镜反射复制。所述参考电流的所述镜反射复制流经所述eFuse单元中的eFuse。比较器接收所述参考电压和由所述eFuse单元产生的电压。所述比较器产生输出逻辑电平，所述输出逻辑电平响应于由与所述参考电压比较的所述eFuse单元产生的电压。
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公开(公告)号：CN101034696A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710086005.0
申请日：2007-03-07
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/525 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于集成电路的电编程熔丝结构及其制造方法，其中电编程熔丝具有通过熔丝元件互连的第一端部和第二端部。第一端部和第二端部相对于熔丝结构的支撑面位于不同的高度，互连熔丝元件在第一端部和第二端部的不同高度之间转变。第一和第二端部取向为与支撑面平行，而熔丝元件包括取向为与支撑面垂直的部分，并且包括至少一个直角弯角，在所述弯角从第一和第二端部的至少一个转变成熔丝元件的垂直取向部分。
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公开(公告)号：CN101221534B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810001751.X
申请日：2008-01-08
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G06F13/161 , G06F12/0802
Abstract: 在控制包括多个存储器位置的计算机可读存储器的方法中，确定多个数据单元的使用频率。当每次发生预定事件时，确定针对该多个存储器位置中每一个的存储器延迟。在该预定事件之后，将具有高使用频率的数据单元存储在具有低延迟的存储器位置中。
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公开(公告)号：CN1979684A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610144544.0
申请日：2006-11-10
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G11C17/18
Abstract: 在芯片上的eFuse参考单元提供参考电压，所述参考电压大于由所述芯片上的具有未熔断的eFuse的eFuse单元产生的最大电压，但小于由所述芯片上的具有熔断的eFuse的eFuse单元产生的最小电压。参考电流流经电阻器和所述eFuse参考单元中的未熔断eFuse，产生所述参考电压。所述参考电压用于产生所述eFuse单元中的所述参考电流的镜反射复制。所述参考电流的所述镜反射复制流经所述eFuse单元中的eFuse。比较器接收所述参考电压和由所述eFuse单元产生的电压。所述比较器产生输出逻辑电平，所述输出逻辑电平响应于由与所述参考电压比较的所述eFuse单元产生的电压。
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