公开(公告)号：CN1271686C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN03131382.5

申请日：2003-05-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  庄平 ,  林俞良 ,  周梅生 ,  罗冠腾

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  G03F7/26 ,  B08B3/00

Abstract: 本发明涉及一种清洗孔洞材料的方法及其装置；此方法及其装置是在利用超临界流体清洗孔洞材料上的工艺残余物时，先在低压状态下使流体注入孔洞，再将反应压力从低压渐升至产生超临界流体的高压；如此一来，可平衡孔洞材料的内外压力，达到降低压力对孔洞材料的冲击的目的。

公开(公告)号：CN1638031A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410104161.1

申请日：2004-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴学昌 ,  张知天 ,  陆志诚 ,  陈炳宏 ,  周梅生

IPC: H01L21/00 ,  G05D23/00

CPC classification number: H01L21/67248 ,  F27B5/04 ,  F27B5/14 ,  F27B5/18 ,  F27B17/0025 ,  F27D19/00 ,  F27D21/0014 ,  F27D2019/0037 ,  H01L21/67109

Abstract: 一种半导体组件制造系统，包括一制程腔室、一温度控制次系统以及一热力补偿次系统，其中温度控制次系统具有一制程次系统加热组件藉以产生一制程温度曲线。上述热力补偿次系统包括一温度传感器、一补偿热力控制单元以及一补偿加热组件，其中温度传感器用以侦测制程腔室温度曲线，而补偿热力控制单元用以计算制程温度曲线与一目标温度曲线间的差值，补偿加热组件则根据上述补偿热力控制单元所得的温度差值，而改变制程温度曲线。

公开(公告)号：CN1619782A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410062690.X

申请日：2004-08-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俞良 ,  庄平 ,  周梅生

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31675 ,  H01L21/76801

Abstract: 本发明提供一种制造介电层的方法，包括下列步骤：提供一流体至一基底，其中该流体是一气胶态；于该基底附近产生一超临界制程环境，该超临界制程环境具有该选择流体的一超临界制程温度与一超临界制程压力；以及使该基底接触该选择流体，其中藉一介于该基底与该流体间的反应形成一于该基底上的介电层。本发明另提供一种制造介电层的系统。

公开(公告)号：CN2796093Y

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200420118690.2

申请日：2004-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴学昌 ,  张知天 ,  陆志诚 ,  陈炳宏 ,  周梅生

IPC: H01L21/00 ,  G05D23/00

CPC classification number: H01L21/67248 ,  F27B5/04 ,  F27B5/14 ,  F27B5/18 ,  F27B17/0025 ,  F27D19/00 ,  F27D21/0014 ,  F27D2019/0037 ,  H01L21/67109

Abstract: 一种半导体组件制造系统，包括一制程腔室、一温度控制次系统以及一热力补偿次系统，其中温度控制次系统具有一制程次系统加热组件藉以产生一制程温度曲线。上述热力补偿次系统包括一温度传感器、一补偿热力控制单元以及一补偿加热组件，其中温度传感器用以侦测制程腔室温度曲线，而补偿热力控制单元用以计算制程温度曲线与一目标温度曲线间的差值，补偿加热组件则根据上述补偿热力控制单元所得的温度差值，而改变制程温度曲线。

公开(公告)号：CN2710024Y

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200420049667.2

申请日：2004-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧义理 ,  周梅生 ,  彭进兴 ,  黄见翎 ,  陈择毅 ,  李俊仪 ,  吴学昌

IPC: G05D23/00

Abstract: 一种具有温度补偿特征的温度控制装置，用来控制一受控体于一标准受控温度值，其中所述温度控制装置至少包括：一主温度控制装置，其根据一主温度特性曲线来操作；一补偿温度控制装置，其根据一补偿温度特性曲线来操作，其中该补偿温度特性曲线以该标准受控温度值为基准，而与该主温度特性曲线互为镜射。主温度控制装置可为具有主冷却液(Coolant)槽的冷却机(Chiller)，或PN接口(Junction)温度控制装置等，而补偿温度控制装置可为具有温度补偿冷却液槽的冷却机，或PN接口温度控制装置等，其中此补偿温度控制装置可为开放回路或封闭回路的自动控制方式。

公开(公告)号：CN2765320Y

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200420084350.2

申请日：2004-08-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俞良 ,  庄平 ,  周梅生

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31675 ,  H01L21/76801

Abstract: 本实用新型提供一种制造介电层的系统。包括：一超临界制程环境，是包含一于一制程腔室中的基底，该制程腔室内具有一制程温度与一制程压力；一控制装置，是控制该制程腔室于一超临界状态；一流体扰乱装置，是提供一气胶态的非超临界流体至该制程腔室中；以及一加热装置，是加热该基底至一超临界温度，其中该流体是因该制程腔室中的该制程压力与该制程温度而转变为一超临界流体，且藉由该基底与该超临界流体的接触形成一介电层。

公开(公告)号：CN2756337Y

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200420104898.9

申请日：2004-10-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  庄平 ,  林俞良 ,  周梅生 ,  罗冠腾

IPC: B08B3/04 ,  H01L21/304

Abstract: 本实用新型涉及一种清洗多孔材料的装置，至少包括：一流体储存槽，用以储放一流体；一泵，其中该泵连接该流体储存槽，且该泵提供具不同压力的该流体；一处理反应室，其中该处理反应室连接该泵，且该处理反应室用以放置并清洗该多孔材料；以及一终点检测器，其中该终点检测器连接该处理反应室，且该终点检测器用以检测出该多孔材料的清洗终点。运用此清洗多孔材料的装置时，可在利用超临界流体清洗多孔材料上的制备工艺残余物时，先在低压状态下使流体注入孔洞，再将反应压力从低压渐升至产生超临界流体的高压。如此一来，可平衡多孔材料的内外压力，达到降低压力对多孔材料的冲击的目的。

公开(公告)号：CN2731706Y

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200420084786.1

申请日：2004-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾伟雄 ,  庄平 ,  涂宏荣 ,  王静亚 ,  林俞良 ,  罗冠腾 ,  周梅生

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76802 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76877

Abstract: 本实用新型揭示一种整合蚀刻后续清洁制程(post－etching cleaningprocess)与沉积制程所形成的半导体装置，其包括一基底、一低介电常数材料层、以及一内联机结构。低介电常数材料层是设置于基底上方，其具有至少一镶嵌开口位于被一超临界流体所清洁过的一区域中。内联机结构设置于镶嵌开口内，且其是于实施清洁制程之后，利用超临界流体作为一反应媒介且利用一有机金属错合物作为一沉积前驱物而临场(in－situ)形成的。