公开(公告)号：CN100334692C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200310103697.7

申请日：2003-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张知天 ,  吴学昌 ,  巫尚霖 ,  黄见翎 ,  彭进兴 ,  周梅生

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/00

CPC classification number: F16K1/223 ,  C23C16/4412 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/86944 ,  Y10T137/87378 ,  Y10T137/87523

Abstract: 一种制程反应室的定压控制方法，通过一PID控制器控制第一阀门和至少一个第二阀门，对制程反应室执行第一预定压力控制，且第一阀门的反应时间比第二阀门的反应时间较长，该定压控制方法叙述如下：(a)第一阀门提供该制程反应室第二预定压力；(b)第二阀门对制程反应室执行压力的控制，将压力由第二预定压力调整至第一预定压力。本发明还提供一种用于制程反应室定压的调压阀，以实现上述控制方法。

公开(公告)号：CN103426794B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201210350834.6

申请日：2012-09-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张知天 ,  巫尚霖 ,  王若飞 ,  牟忠一 ,  林进祥

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H05B1/0233

Abstract: 本发明公开了一种设备，系统和方法。示例设备包括：晶圆加工室。该设备进一步包括：设置在不同区域中并可操作以加热位于晶圆加工室内的晶圆不同部分的辐射加热元件。该设备进一步包括：设置在晶圆加工室外面并可操作以监测设置在不同区域的辐射加热元件的能量的传感器。该设备进一步包括：配置以利用传感器表征设置在不同区域中的辐射加热元件并为设置在不同区域中的辐射加热元件提供校准的计算机，从而在整个晶圆的表面保持基本均一的温度分布。本发明提供晶圆加工室灯模块的实时校准。

公开(公告)号：CN1638031A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410104161.1

申请日：2004-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴学昌 ,  张知天 ,  陆志诚 ,  陈炳宏 ,  周梅生

IPC: H01L21/00 ,  G05D23/00

CPC classification number: H01L21/67248 ,  F27B5/04 ,  F27B5/14 ,  F27B5/18 ,  F27B17/0025 ,  F27D19/00 ,  F27D21/0014 ,  F27D2019/0037 ,  H01L21/67109

Abstract: 一种半导体组件制造系统，包括一制程腔室、一温度控制次系统以及一热力补偿次系统，其中温度控制次系统具有一制程次系统加热组件藉以产生一制程温度曲线。上述热力补偿次系统包括一温度传感器、一补偿热力控制单元以及一补偿加热组件，其中温度传感器用以侦测制程腔室温度曲线，而补偿热力控制单元用以计算制程温度曲线与一目标温度曲线间的差值，补偿加热组件则根据上述补偿热力控制单元所得的温度差值，而改变制程温度曲线。

公开(公告)号：CN103426794A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201210350834.6

申请日：2012-09-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张知天 ,  巫尚霖 ,  王若飞 ,  牟忠一 ,  林进祥

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H05B1/0233

Abstract: 本发明公开了一种设备，系统和方法。示例设备包括：晶圆加工室。该设备进一步包括：设置在不同区域中并可操作以加热位于晶圆加工室内的晶圆不同部分的辐射加热元件。该设备进一步包括：设置在晶圆加工室外面并可操作以监测设置在不同区域的辐射加热元件的能量的传感器。该设备进一步包括：配置以利用传感器表征设置在不同区域中的辐射加热元件并为设置在不同区域中的辐射加热元件提供校准的计算机，从而在整个晶圆的表面保持基本均一的温度分布。本发明提供晶圆加工室灯模块的实时校准。

公开(公告)号：CN1508852A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN200310103697.7

申请日：2003-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张知天 ,  吴学昌 ,  巫尚霖 ,  黄见翎 ,  彭进兴 ,  周梅生

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/00

CPC classification number: F16K1/223 ,  C23C16/4412 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/86944 ,  Y10T137/87378 ,  Y10T137/87523

Abstract: 一种制程反应室的定压控制方法，通过一PID控制器控制第一调压阀和至少一个第二调压阀，对制程反应室执行第一预定压力控制，且第一调压阀的反应时间比第二调压阀的反应时间较长，该定压控制方法叙述如下：(a)第一调压阀提供该制程反应室第二预定压力；(b)第二调压阀对制程反应室执行压力的控制，将压力由第二预定压力调整至第一预定压力。本发明还提供一种用于制程反应室定压的调压阀，以实现上述控制方法。

公开(公告)号：CN2796093Y

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200420118690.2

申请日：2004-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴学昌 ,  张知天 ,  陆志诚 ,  陈炳宏 ,  周梅生

IPC: H01L21/00 ,  G05D23/00

CPC classification number: H01L21/67248 ,  F27B5/04 ,  F27B5/14 ,  F27B5/18 ,  F27B17/0025 ,  F27D19/00 ,  F27D21/0014 ,  F27D2019/0037 ,  H01L21/67109

Abstract: 一种半导体组件制造系统，包括一制程腔室、一温度控制次系统以及一热力补偿次系统，其中温度控制次系统具有一制程次系统加热组件藉以产生一制程温度曲线。上述热力补偿次系统包括一温度传感器、一补偿热力控制单元以及一补偿加热组件，其中温度传感器用以侦测制程腔室温度曲线，而补偿热力控制单元用以计算制程温度曲线与一目标温度曲线间的差值，补偿加热组件则根据上述补偿热力控制单元所得的温度差值，而改变制程温度曲线。