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公开(公告)号：CN111128845A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911292324.6
申请日：2019-12-16
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 马迎功 , 董博宇 , 郭冰亮 , 武学伟 , 武树波 , 赵晨光 , 翟洪涛 , 杨依龙 , 杨健 , 甄梓杨 , 宋玲彦 , 孙鲁阳 , 李新颖 , 刘玉杰 , 许文学 , 张璐 , 崔亚欣
IPC: H01L21/687 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/50
Abstract: 一种应用于薄膜沉积装置的托盘，包括：第一盘体、第二盘体以及连接组件。第一盘体包括用于承载晶圆的多个通孔，且第一盘体下表面设置有多个第一槽位。第二盘体的尺寸与第一盘体的尺寸相对应，且第二盘体上表面设置有多个第二槽位。第二槽位的形状及位置与第一槽位的形状及位置相对应。连接组件位于一一对应的第一槽位及第二槽位之间，用于实现第一盘体和第二盘体的固定连接。第一盘体采用第一材质制备，第二盘体采用第二材质制备,且第一材质的热膨胀系数与待沉积薄膜的热膨胀系数的相对偏差值小于20％，以减少对所述晶圆沉积薄膜时的应力影响；第一材质的体积电阻率大于第二材质的体积电阻率，以使在对晶圆沉积薄膜时第一盘体形成绝缘体。
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公开(公告)号：CN118547258A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410592739.X
申请日：2024-05-13
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/50 , H01L21/687
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室，其包括：腔体、屏蔽件、挡环、压环组件和支撑组件；屏蔽件承载于腔体的上端部，腔体接地，屏蔽件套设于腔体内，挡环和压环组件均套设于屏蔽件内，压环组件承载于屏蔽件，挡环罩设于压环组件上方，挡环承载于屏蔽件，支撑组件用于承载晶圆；在支撑组件上升至工艺位置的情况下，支撑组件托起压环组件，压环组件的内侧边缘压盖于晶圆的周缘，压环组件分别与挡环和屏蔽件绝缘分隔。半导体工艺腔室的挡环可以对压环起到遮挡作用，以防止压环上堆积过多电荷；且压环能够在工艺流程结束后释放电荷，可以避免压环与晶圆之间发生打火现象。
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公开(公告)号：CN118522657A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202310180855.6
申请日：2023-02-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , C23C14/34 , C23C14/04 , C23C14/50 , C23C14/16 , H01L21/687 , H01L21/677
Abstract: 本申请公开一种半导体工艺腔室，属于半导体工艺技术。该工艺腔室包括：腔体，侧壁设置有传片口；基座，包括用于承载晶圆的开设有多个通孔的第一表面；工艺组件，包括沉积环、隔离环以及遮盖环，以共同配合围绕第一表面设置，进而在腔体的上部形成工艺隔离空间；升降支撑组件，升降连接于腔体的底壁上，其多个第一支撑体的顶端均用于抵接遮盖环的下表面，以通过驱动遮盖环升降，实现工艺隔离空间与传片口的活动连通，其多个第二支撑体的顶端一一对应置于多个通孔中，且其多个第一支撑体的顶端所在的最高平面高于其多个第二支撑体的顶端所在的最高平面。本技术方案可在无基座升降机构下满足工艺腔室的传片和工艺需求，以有效降低腔室的整体高度。
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公开(公告)号：CN117778967A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202211149344.X
申请日：2022-09-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/34 , C23C14/50 , C23C14/56 , H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本申请公开一种工艺腔室及半导体工艺设备，工艺腔室包括腔室本体、内衬件和承载装置；内衬件将腔室本体的内腔分隔为溅射空间和传输空间，腔室本体开设有传片口和抽气口，传片口与传输空间相连通，内衬件开设有通气通道；承载装置可升降地设于传输空间内，承载装置包括承载台和第一波纹管，第一波纹管的两端分别与腔室本体的底壁和承载台面向腔室本体的底壁的一侧密封连接，第一波纹管与抽气口相连通；在承载台上升至工艺位置的情况下，第一波纹管朝向承载台的一端与内衬件密封连接，溅射空间通过通气通道与第一波纹管的内部空间相连通，传片口与第一波纹管的内部空间相隔断。上述方案能够解决工艺腔室的工艺效率较低的问题。
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公开(公告)号：CN115928034A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211673888.6
申请日：2022-12-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种薄膜沉积方法和薄膜沉积设备，该包括：向预清洁腔室中通入还原气体，以通过与晶圆的待沉积表面上的氧化层发生还原反应，来去除氧化层；在第一沉积腔室中采用第一磁控溅射方法在晶圆的待沉积表面上沉积能够与晶圆互溶的第一金属层；其中，通过控制第一磁控溅射方法采用的基座温度，来获得第一金属层与晶圆的互溶组织。本发明提供的薄膜沉积方法和薄膜沉积设备，可以减少晶圆表面损伤，改善金属与晶圆的互溶效果，获得较理想的互溶组织，从而可以降低芯片接触电阻，提高产品性能，同时还可以简化工艺步骤，提高产能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111235537A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010047837.7
申请日：2020-01-16
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种薄膜制备方法，其包括：第一沉积步，向工艺腔室中通入工艺气体，并向靶材加载射频功率，以在衬底上沉积薄膜阻挡层，其中，第一沉积步包括至少两个阻挡层沉积时段，每一阻挡层沉积时段采用的射频功率均大于上一阻挡层沉积时段采用的射频功率；第二沉积步，继续向工艺腔室中通入所述工艺气体，并向靶材加载直流功率，以在薄膜阻挡层上沉积薄膜主体层，其中，第二沉积步包括至少两个主体层沉积时段，每一主体层沉积时段采用的直流功率均大于上一主体层沉积时段采用的直流功率。本发明提供的薄膜制备方法，其可以在减少对底部衬底材料或者阻挡层造成的损伤的基础上，提高产能。
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公开(公告)号：CN110079781A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910289447.8
申请日：2019-04-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种冷却腔室、ALN缓冲层生长工艺设备和采用冷却腔室进行冷却处理的方法，其中的冷却腔室包括：腔室本体、设置在腔室本体内的水冷盘、托盘和调节机构；托盘用于承载晶片，水冷盘用于对托盘进行降温；调节机构用于调节托盘与水冷盘之间的距离。本发明的冷却腔室、设备以及冷却处理方法，能够提高托盘和晶片冷却的温度均匀性，保证工艺结果的稳定性和一致性，可以将托盘在不破碎的情况下冷却至较低温度；可以再更少的时间内达到目标温度，提高设备的产能。
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公开(公告)号：CN113192876B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202110481501.6
申请日：2021-04-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687 , C23C14/50
Abstract: 本申请公开一种半导体设备及其承载装置，其中，承载装置包括承载部、保护环和多个绝缘支撑件，承载部包括承载本体和围绕承载本体设置的外延部，外延部与承载本体相连，承载本体用于承载半导体待加工件，每个绝缘支撑件具有支撑面，保护环通过与多个支撑面的接触支撑于外延部上，且多个绝缘支撑件设于保护环与承载部之间，以使保护环与承载部之间形成第一间隙。本申请通过设置绝缘支撑件能够使保护环和承载部的连接可靠性更好，防止承载部和保护环受热膨胀挤压绝缘支撑件而导致绝缘支撑件损坏，进而使得应用承载装置的半导体设备的可靠性更好。
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公开(公告)号：CN116815140A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310745558.1
申请日：2023-06-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开一种半导体工艺设备的工艺腔室，包括腔体、校准机构以及设于腔体之内的承载座、托架和遮蔽部件；校准机构设于腔体；遮蔽部件可随托架在第一位置与第二位置之间切换；在遮蔽部件处在第一位置的情况下，遮蔽部件与承载座错开，且校准机构可将遮蔽部件调整至托架上的预设位置处；在遮蔽部件处在托架上的预设位置处，且托架带动遮蔽部件运动至第二位置的情况下，遮蔽部件位于承载座的上方，且遮蔽部件的中心轴线与承载座的中心轴线之间的间隔距离小于或等于第一预设距离。此方案能解决相关技术涉及的工艺腔室在对遮蔽部件进行位置校准时较易产生颗粒而污染承载座的问题。本申请还公开一种半导体工艺设备。
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公开(公告)号：CN114107931A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111402282.4
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 杨依龙
IPC: C23C14/50 , H01L21/203
Abstract: 本发明提供一种半导体腔室，半导体腔室包括腔体和设置在腔体中的第一遮挡件和可升降的基座组件，其中，第一遮挡件与腔体的内周壁固定连接，且沿腔体的内周壁的周向设置；基座组件包括基座本体、第二遮挡件和定位结构，基座本体与腔体同轴设置，用于承载晶圆；第二遮挡件沿基座本体的周向设置在基座本体上，基座本体位于上升至工艺位时，第二遮挡件与第一遮挡件部分重叠设置，且第二遮挡件的与第一遮挡件相互重叠的部分位于第一遮挡件背离基座本体的一侧；定位结构设置在基座本体与第二遮挡件之间，用于对基座本体与第二遮挡件的相对位置进行定位。本发明提供的半导体腔室能够避免遮挡晶圆，提高晶圆沉积薄膜的均匀性，从而改善芯片性能。
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