公开(公告)号：CN118547258A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410592739.X

申请日：2024-05-13

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 朱超 ,  罗建恒 ,  杨依龙 ,  赵康宁 ,  康广杰

IPC: C23C14/50 ,  H01L21/687

Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室，其包括：腔体、屏蔽件、挡环、压环组件和支撑组件；屏蔽件承载于腔体的上端部，腔体接地，屏蔽件套设于腔体内，挡环和压环组件均套设于屏蔽件内，压环组件承载于屏蔽件，挡环罩设于压环组件上方，挡环承载于屏蔽件，支撑组件用于承载晶圆；在支撑组件上升至工艺位置的情况下，支撑组件托起压环组件，压环组件的内侧边缘压盖于晶圆的周缘，压环组件分别与挡环和屏蔽件绝缘分隔。半导体工艺腔室的挡环可以对压环起到遮挡作用，以防止压环上堆积过多电荷；且压环能够在工艺流程结束后释放电荷，可以避免压环与晶圆之间发生打火现象。

公开(公告)号：CN117352360A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311278499.8

申请日：2023-09-28

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 康广杰 ,  徐奎 ,  罗建恒

IPC: H01J37/32 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体工艺腔室和半导体工艺设备；该半导体工艺腔室包括腔室本体、承载装置、磁控管组件、偏置磁场组件和磁屏蔽件，偏置磁场组件设于腔室本体内，且环绕于承载装置设置；磁屏蔽件设于偏置磁场组件上方，用于对偏置磁场组件上方的偏置磁场进行导磁；以减弱偏置磁场组件与磁控管组件之间的磁场耦合。该半导体工艺设备，包括该半导体工艺腔室。该工艺腔室和半导体工艺设备，能够减弱甚至避免偏置磁场组件与磁控管组件两个磁场之间的磁场耦合叠加，尽可能保证靶材表面的等离子体浓度和溅射速率的均匀性，减少甚至避免靶材电压的异常波动，保证靶材表面的腐蚀深度的均匀性及晶圆表面所沉积的磁性薄膜的均匀性。