半导体装置
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106062950B

    公开(公告)日:2019-05-28

    申请号:CN201580012369.7

    申请日:2015-01-15

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,具有:半导体元件;第一板状部,其与所述半导体元件的上表面侧的电极电连接,并具备从侧面突起的第一接头部,且由导电体构成;第二板状部,其具备从侧面突起的第二接头部,且由导电体构成,所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面以对置的方式被配置,且经由导电性的接合材料而被电连接,在所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面对置的部分处,设置有确保所述第二接头部的顶端上部和所述第一接头部的下表面之间的所述接合材料的厚度的接合材料厚度确保单元。

    具有共同围绕焊料黏结物以防止焊料散布的凹槽的半导体装置

    公开(公告)号:CN105518841B

    公开(公告)日:2018-09-25

    申请号:CN201480048461.4

    申请日:2014-08-29

    Abstract: 半导体装置包括:对置的第一和第二金属板;多个半导体元件,均介于第一和第二金属板之间;金属块,其介于第一金属板和每个半导体元件之间;焊料构件,其介于第一金属板和金属块之间且将第一金属板连接至金属块;和注塑树脂,其密封半导体元件和金属块。第一金属板的一面,其为金属块经由焊料构件连接至第一金属板的一面的对置侧,暴露于注塑树脂外。第一金属板具有沿着其中设置有焊料构件的区域外周形成的凹槽,凹槽共同围绕焊料构件以防止焊料构件在第一金属板的黏结面上散布。每个半导体元件可以是功率半导体开关元件如IGBT,其在转换电功率时进行开关操作,且每个半导体元件可以是为了在中断对应的一个半导体元件时循环电流所需的回流二极管。

    半导体装置
    20.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN114846601A

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202080085890.4

    申请日:2020-10-14

    Abstract: 以夹着在两面具有主电极的半导体元件的方式配置并与对应的主电极电连接的散热部之一即热沉(51),在与发射极端子之间形成焊料接合部。热沉(51)在发射极端子侧的面上具有高浸润区域(151b)、以及在板厚方向的平面视图中与高浸润区域(151b)邻接而设置以规定高浸润区域(151b)的外周、与高浸润区域(151b)相比对焊料的浸润性低的低浸润区域(151a)。高浸润区域(151b)在平面视图中具有重叠区域(151c)和与重叠区域(151c)相连的非重叠区域(151d),重叠区域是与发射极端子的焊料接合部的形成区域重叠的区域,在至少一部分中配置有焊料。非重叠区域(151d)至少包括收容剩余焊料的收容区域(151e)。

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