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公开(公告)号:CN106062950B
公开(公告)日:2019-05-28
申请号:CN201580012369.7
申请日:2015-01-15
Abstract: 本发明提供一种半导体装置,具有:半导体元件;第一板状部,其与所述半导体元件的上表面侧的电极电连接,并具备从侧面突起的第一接头部,且由导电体构成;第二板状部,其具备从侧面突起的第二接头部,且由导电体构成,所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面以对置的方式被配置,且经由导电性的接合材料而被电连接,在所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面对置的部分处,设置有确保所述第二接头部的顶端上部和所述第一接头部的下表面之间的所述接合材料的厚度的接合材料厚度确保单元。
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公开(公告)号:CN105518841B
公开(公告)日:2018-09-25
申请号:CN201480048461.4
申请日:2014-08-29
IPC: H01L21/60 , H01L25/07 , H01L23/051 , H01L23/492 , H01L23/495
Abstract: 半导体装置包括:对置的第一和第二金属板;多个半导体元件,均介于第一和第二金属板之间;金属块,其介于第一金属板和每个半导体元件之间;焊料构件,其介于第一金属板和金属块之间且将第一金属板连接至金属块;和注塑树脂,其密封半导体元件和金属块。第一金属板的一面,其为金属块经由焊料构件连接至第一金属板的一面的对置侧,暴露于注塑树脂外。第一金属板具有沿着其中设置有焊料构件的区域外周形成的凹槽,凹槽共同围绕焊料构件以防止焊料构件在第一金属板的黏结面上散布。每个半导体元件可以是功率半导体开关元件如IGBT,其在转换电功率时进行开关操作,且每个半导体元件可以是为了在中断对应的一个半导体元件时循环电流所需的回流二极管。
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公开(公告)号:CN105900289A
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201480072596.4
申请日:2014-12-30
CPC classification number: H01R13/03 , H01R12/716 , H01R13/05 , H01R13/11 , H01R2201/26
Abstract: 一种端子连接结构,包括:凸端子(16);以及凹端子(31)),其上装配有所述凸端子。所述凸端子包括第一金属材料(161)以及形成在所述凸端子的最外表面上以直接或间接地涂覆所述第一金属材料的第一金属膜(163)。所述凹端子包括第二金属材料(311)以及形成在所述凹端子的最外表面上以直接或间接地涂覆所述第二金属材料的第二金属膜(312)。所述第一金属材料的硬度不同于所述第二金属材料的硬度。
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公开(公告)号:CN104701306A
公开(公告)日:2015-06-10
申请号:CN201410738558.X
申请日:2014-12-05
IPC: H01L25/07
CPC classification number: H01L23/047 , H01L21/565 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种半导体装置,其包括:半导体元件,其设置在平面上;密封树脂,其对所述半导体元件进行密封;端子,其电连接到所述半导体元件并且包括从所述密封树脂的预定表面突出的部分;以及凹部,当沿与所述平面垂直的方向观察时,所述凹部从所述预定表面朝向所述半导体元件侧凹进。当沿与所述平面垂直的方向观察时,在所述半导体元件侧的所述凹部的边包括R形状。
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公开(公告)号:CN104347573A
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:CN201410350640.5
申请日:2014-07-22
IPC: H01L23/495 , H02M7/00 , H02M1/00
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L24/89 , H01L2224/48247 , H01L2224/85001 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及引线框架、电力变换装置、半导体设备及其制造方法。根据本公开,提供一种引线框架,包括:并排地布置的第一岛和第二岛;外周框架;第一引线,第一引线在与第一方向垂直的第二方向上延伸;第二引线,第二引线在第二方向上延伸;第一联结部分,第一联结部分将第一引线联结到框架;第二联结部分,第二联结部分将第二引线联结到框架;中间部分,中间部分在第一方向上形成在第一和第二联结部分之间使得中间部分在第二方向上延伸以在在第一和第二岛之间的空间之前终止;和变形抑制部分,变形抑制部分被形成或者设置在第一引线、第二引线、第一和第二联结部分中的至少一个之中,并且被构造成抑制在模制过程期间第一和第二引线的变形。
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公开(公告)号:CN103493197B
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201280018795.8
申请日:2012-04-18
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L24/30 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/06181 , H01L2224/32245 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37155 , H01L2224/40245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83 , H01L2224/83205 , H01L2224/83801 , H01L2224/84205 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置,包括:第一半导体元件10);第一厚板部(31),由导体形成且电连接到第一半导体元件的下表面侧的电极(11);第二半导体元件(20),其主表面面向第一半导体元件的主表面;第二厚板部(32),由导体形成且电连接到第二半导体元件的下表面侧的电极(21);第三厚板部(41),由导体形成且电连接到第一半导体元件的上表面侧的电极(12);第四厚板部(42),由导体形成且电连接到第二半导体元件的上表面侧的电极(22);第一薄板部(33、34),由导体形成并被设置在第二厚板部上且比第二厚板部薄;以及第二薄板部(43、44),由导体形成并被设置在第三厚板部上且比第三厚板部薄。第一薄板部和第二薄板部固定在一起并且电连接。
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公开(公告)号:CN105849894A
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201480071098.8
申请日:2014-12-18
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L23/051
CPC classification number: H01L23/26 , H01L21/4825 , H01L21/4882 , H01L21/565 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/4952 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/564 , H01L2924/18301
Abstract: 一种半导体装置,包括金属构件(54)、半导体元件(30)、树脂部(66)、底料层、以及剥离抑制部。所述金属构件具有包括半导体元件安装区(540b)和树脂紧密接触区(540a)的表面,所述树脂紧密接触区从所述半导体元件安装区延伸至所述金属构件的外周边缘。所述半导体元件安装在所述半导体元件安装区上。所述树脂部延伸到所述金属构件的侧表面外的位置,与所述树脂紧密接触区紧密接触,并一体地覆盖所述半导体元件和所述金属构件。所述底料层布置在所述树脂紧密接触区和所述树脂部之间。所述剥离抑制部被构造成抑制所述金属构件和所述树脂部在所述树脂紧密接触区的外周部彼此剥离。
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公开(公告)号:CN102315181B
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201110185855.2
申请日:2011-06-30
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/473 , H01L23/48 , H01L23/367
CPC classification number: H01L23/473 , H01L23/3672 , H01L23/3736 , H01L23/427 , H01L23/4334 , H01L23/46 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/06181 , H01L2224/29111 , H01L2224/2929 , H01L2224/29299 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/48227 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/06 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1517 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种包括封装(100)和冷却器(200)的半导体器件。所述半导体封装包括半导体元件(10)、金属构件(20、30)以及用于将所述半导体元件和所述金属构件包封在其中的模制构件(60)。所述金属构件(60)具有热连接到所述半导体元件的金属部(21、31)、在所述金属部上的电绝缘层(22、32)以及在所述绝缘层上的传导层(23、33)。所述传导层至少部分地暴露在所述模制构件的外部并且用作用于辐射所述半导体元件的热的辐射表面。冷却器(200)具有通过其使冷却剂(202)循环的冷却剂通道(201),以冷却所述传导层。所述传导层和所述冷却器电连接在一起。
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公开(公告)号:CN101996957A
公开(公告)日:2011-03-30
申请号:CN201010258186.2
申请日:2010-08-18
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L23/4334 , H01L23/492 , H01L24/01 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05599 , H01L2224/05644 , H01L2224/16 , H01L2224/48491 , H01L2224/73253 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01052 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/13055 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体设备包括用于覆盖第一金属布线(18)的第一保护膜(25)。第二保护膜(26)布置于第一保护膜(25)上,第二保护膜(26)由焊料层(29)覆盖。即使在焊料层(29)形成于第二保护膜(26)上之前裂纹产生于第二保护膜(26)中,也限制裂纹行进入第一保护膜(25)。
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公开(公告)号:CN114846601A
公开(公告)日:2022-08-02
申请号:CN202080085890.4
申请日:2020-10-14
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 以夹着在两面具有主电极的半导体元件的方式配置并与对应的主电极电连接的散热部之一即热沉(51),在与发射极端子之间形成焊料接合部。热沉(51)在发射极端子侧的面上具有高浸润区域(151b)、以及在板厚方向的平面视图中与高浸润区域(151b)邻接而设置以规定高浸润区域(151b)的外周、与高浸润区域(151b)相比对焊料的浸润性低的低浸润区域(151a)。高浸润区域(151b)在平面视图中具有重叠区域(151c)和与重叠区域(151c)相连的非重叠区域(151d),重叠区域是与发射极端子的焊料接合部的形成区域重叠的区域,在至少一部分中配置有焊料。非重叠区域(151d)至少包括收容剩余焊料的收容区域(151e)。
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