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公开(公告)号：CN106802427A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201611177450.3
申请日：2016-12-19
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01T1/02 , G05B19/042
CPC classification number: G01T1/026 , G05B19/0428 , G05B2219/2604 , G05B2219/2656
Abstract: 本发明涉及辐射环境探测技术领域，涉及一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法。该探测系统包括探头模块、恒流源模块、数据采集模块和控制模块；所述控制模块输入端与PC机相连，控制模块输出端与恒流源模块、数据采集模块和探头模块相连；所述恒流源模块与探头模块相连；所述数据采集模块的输入端与探头模块相连，数据采集模块的输出端与PC机相连；所述探头模块包括SOI结构的辐照传感器。本发明实现了星用PMOS剂量计的传感器国产化；提高了灵敏度，可用于更低累积剂量的测试；基于此结构的探测器便携、灵活、易用，适用于空间环境监测、半导体元器件电离效应评估及寿命预测。
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公开(公告)号：CN104133974A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410406739.2
申请日：2014-08-18
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取线性能量传输值随器件深度的变化，编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型，选取离子的典型入射位置，分别开展加固与未加固器件模型的单粒子效应仿真，将加固前器件模型作为参照，与加固后器件模型的单粒子响应进行对比，验证锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的抗辐射加固效果。该方法解决了地面模拟试验成本较高、机时紧张的问题；有效提高了锗硅异质结双极晶体管的抗单粒子效应能力，同时弥补了工艺实验费用昂贵、周期较长的不足。
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公开(公告)号：CN117993199A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410155261.4
申请日：2024-02-04
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种评估面密度铝等效法对单能电子电离剂量计算差异的方法，该方法首先在蒙特卡罗仿真软件中建立三层平板模型，第一层设置实际屏蔽材料的类型和面密度、第二层设置为被屏蔽目标硅探测器、第三层设置为5mm厚度的铝材料，然后设置入射电子能量、电子注量和电子入射角度，最后通过蒙特卡罗仿真计算得到单能电子透过该实际材料屏蔽后在硅探测器中的电离吸收剂量。该实际屏蔽材料面密度铝等效分析法也需要建立同样的三层平板模型，只将第一层实际屏蔽材料替换成与其相等面密度的铝材料，其它层不变，再通过蒙特卡罗仿真软件计算该方法得到的单能电子透过铝材料屏蔽后在硅探测器中的电离吸收剂量，最后把两种方法计算出的电离吸收剂量作差，即得到上述两种方法对单能电子电离剂量屏蔽效果的差异。本发明实时性强，方法简单快速，计算结果准确。
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公开(公告)号：CN113484902A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110840125.5
申请日：2021-07-24
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种PMOS剂量计零温度系数测量及抑制方法，该方法首先将辐射剂量传感器放置于高低温环境试验箱内，开展4个不同温度环境下的应力试验，利用半导体参数测试系统对辐射剂量传感器的输出转移特性曲线Ids‑Vgs进行在线测试，获得Ids‑Vgs曲线簇，并提取出辐射剂量传感器的零温度系数电流值Iztc。再利用电子电路基本原理建立恒流源电路模块为辐射剂量传感器提供恒流Iztc，使得PMOS剂量计温度效应受到抑制，从而保证PMOS剂量计辐射剂量的测量精度。该方法可提高用于探测空间电子元器件被辐照后经电离过程中产生的吸收剂量设备PMOS剂量计的测量精度，为航天器的设计、电子元器件及电子设备可靠性应用提供重要数据支撑，实用性强。
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公开(公告)号：CN108037438B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201711329107.0
申请日：2017-12-13
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法，该方法是由试验样品分组及测试参数选择；试验样品的总剂量辐照及退火试验；试验样品的负偏压温度不稳定性测量组成，为了保证试验结果的一致性和准确性，首先将样品分为预辐照组、对比组及两个摸底试验组，在摸底试验的基础上对预辐照组开展确定条件下总剂量辐照和退火试验，再将对比组和预辐照组开展相同条件下的负偏压温度不稳定性试验，对比试验结果，获得总剂量辐照对样品负偏压温度不稳定性的影响。本发明提供的方法能够表征总剂量辐照对P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏压温度不稳定性的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104853117B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201510305312.8
申请日：2015-06-06
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于Matlab的图像传感器RTS噪声检测分析系统，该系统使用Matlab读取采集的图像，并转化为像素灰度值的像素信号；对每个像素信号进行白噪声滤波得到像素信号；使用梯度检测法得到像素信号的梯度变化信号；通过阈值算法得到像素梯度信号噪声阈值，然后对梯度信号去噪；统计每个像素的梯度脉冲个数，并输出作为RTS噪声检测结果；对像素梯度信号每两个脉冲之间的信号求均值得到像素RTS噪声的平均暗电流基底；结合RTS噪声的平均暗电流基底和梯度脉冲信号得到重建的RTS噪声信号。该系统适用任意可见光图像传感器，可以自动实现RTS噪声检测和全参数分析，解决了目前RTS噪声检测提取困难，分析困难问题，更加深入的研究图像传感器的各种工艺和辐射产生缺陷。
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公开(公告)号：CN105976888B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201610516217.7
申请日：2016-07-04
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及用于元器件电离辐照的X射线辐照方法，该方法涉及辐照装置是由X光管、准直器、限束板、低能散射滤片、电动三维平台、辐照平台、激光指示器、水循环进出口组成，该方法实现了X射线能量、剂量率连续可调、辐照束斑连续可调，且可以去除低能散射对辐照结果的影响，为元器件电离辐照提供较理想的条件。该方法将为元器件电离总剂量辐射效应研究及试验评估提供方便快捷、低成本的电离辐照条件，对提升电子元器件抗辐射加固的基础支撑能力具有重要意义。
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公开(公告)号：CN104459372B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201410629535.5
申请日：2014-11-10
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于p‑i‑n结构的位移损伤剂量探测方法，该方法包括筛选p‑i‑n结构的探头，探测器参数调整及确认，在不同放射源下获取探测器响应并标定；根据不同放射源对探头材料的非电离能损NIEL，将探测器响应与不同放射源注量或剂量的关系统一成探测器响应与位移损伤剂量的关系；根据实际探测结果确定损伤增强因子。该方法优势在于其探测的物理量是位移损伤剂量，包含任何能够造成位移损伤效应的粒子；与探测粒子种类、能谱相比，能够直接反映半导体元器件的位移损伤程度；基于此结构的探测器便携、灵活、易用，适用于空间环境监测、半导体元器件位移损伤效应评估及寿命预测。
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公开(公告)号：CN103996673B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410220512.9
申请日：2014-05-22
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H01L23/552 , G21F1/12
Abstract: 本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法，包括以下步骤：1)制作单层结构复合材料：2)制作多层结构复合材料：3)测量电子束在复合材料中的透射系数：4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数：5)修正电子透射系数；6)采用屏蔽效果最好的复合材料，在器件的相应芯片处进行二次封装。本发明在保证屏蔽效果最好的同时，使封装质量最小，可提高航天器器件抗电离辐射总剂量效应。
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公开(公告)号：CN106370629A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610720572.6
申请日：2016-08-25
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01N21/63
CPC classification number: G01N21/63
Abstract: 本发明涉及一种用于光电材料光致发光谱辐射损伤分析的测试方法，该方法中涉及装置是由激光器、第一凸透镜、斩波器、低温样品室、载样铜片、待测光电材料、第二凸透镜、第三凸透镜、光栅光谱仪、探测器、锁相放大器和记录仪组成，利用斩波器斩波的具有频率的非连续激光，经过凸透镜聚焦后打在待测光电材料中心位置，样品受激光激发后发出的光经凸透镜收集聚焦并投射入光栅光谱仪的狭缝入口，经光谱仪分光后经由光电探测器接受信号，并经过锁相放大器对信号进行降噪放大，所采集的不同信号得出光电材料的光致发光谱，再将光电材料受高能粒子辐照后，再进行测试一次，即可得到光电材料的光致发光谱辐射损伤。该方法减轻了光电材料辐照前后光致发光谱测试的工作量；结构紧凑，操作简单方便。
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