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公开(公告)号：CN103983874B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201410210427.4
申请日：2014-05-16
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种电子加速器及实现电子束低注量环境的方法，通过多孔衰减的方法，在不变动加速器结构、控制系统的前提下，将电子加速器改造成为满足国军标要求的低通量空间辐射环境地面模拟装置。通过蒙特卡罗模拟计算方法和高分辨率测量方法，研究了通过衰减法降低电子束通量后电子束能谱、次级辐射、辐照场均匀性，能够适应电子元器件、材料辐射效应研究和评估方法研究的要求。解决了现有电子加速器在进行电子元器件辐射效应研究时电子通量高的技术问题。
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公开(公告)号：CN103996673B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410220512.9
申请日：2014-05-22
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H01L23/552 , G21F1/12
Abstract: 本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法，包括以下步骤：1)制作单层结构复合材料：2)制作多层结构复合材料：3)测量电子束在复合材料中的透射系数：4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数：5)修正电子透射系数；6)采用屏蔽效果最好的复合材料，在器件的相应芯片处进行二次封装。本发明在保证屏蔽效果最好的同时，使封装质量最小，可提高航天器器件抗电离辐射总剂量效应。
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公开(公告)号：CN103996673A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410220512.9
申请日：2014-05-22
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H01L23/552 , G21F1/12
Abstract: 本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法，包括以下步骤：1)制作单层结构复合材料：2)制作多层结构复合材料：3)测量电子束在复合材料中的透射系数：4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数：5)修正电子透射系数；6)采用屏蔽效果最好的复合材料，在器件的相应芯片处进行二次封装。本发明在保证屏蔽效果最好的同时，使封装质量最小，可提高航天器器件抗电离辐射总剂量效应。
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公开(公告)号：CN103983874A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410210427.4
申请日：2014-05-16
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种电子加速器及实现电子束低注量环境的方法，通过多孔衰减的方法，在不变动加速器结构、控制系统的前提下，将电子加速器改造成为满足国军标要求的低通量空间辐射环境地面模拟装置。通过蒙特卡罗模拟计算方法和高分辨率测量方法，研究了通过衰减法降低电子束通量后电子束能谱、次级辐射、辐照场均匀性，能够适应电子元器件、材料辐射效应研究和评估方法研究的要求。解决了现有电子加速器在进行电子元器件辐射效应研究时电子通量高的技术问题。
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