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公开(公告)号：CN116123508B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202211714742.1
申请日：2022-12-29
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 一种大角度抗辐射LED照明灯具，解决了目前在核辐射环境中灯具的发光效率低，功耗大，寿命短的问题。本发明中灯具包括连接器、连接器安装座、锥形罩、上连接板、散热器、下连接板、底灯板、侧灯板和串联PCB板；连接器通过长线缆与感应补偿模块连接；连接器通过连接器安装座和锥形罩的上端连接；上连接板安装在锥形罩的下端；散热器的一端与上连接板连接，另一端与下连接板连接；散热器四周设置有多个安装槽，每个安装槽内均安装了一个侧灯板，串联PCB板安装在上连接板的上表面，多个侧灯板通过上连接板依次连接形成串联电路；底灯板设置在下连接板的上端面且与散热器连接，底灯板与串联PCB板连接并且与多个侧灯板形成的串联电路并联。
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公开(公告)号：CN117910404A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410097689.8
申请日：2024-01-24
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06F30/367 , G06F30/373 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 本发明涉及一种总剂量条件下GaN HEMT器件栅可靠性仿真方法，该方法基于器件几何结构和工艺参数，构建GaN HEMT器件二维仿真结构；基于计算机辅助设计仿真器中的电学特性计算工具，设置电学特性仿真计算的模型，计算仿真器件的IG‑VG曲线，分析对比仿真结果与试验结果，修正模型参数，使得仿真结果与试验结果相吻合；基于总剂量效应下GaN HEMT器件辐射损伤的关键物理过程，通过在敏感区域P‑GaN/AlGaN/GaN界面处添加总剂量效应的辐射损伤模型，计算仿真总剂量条件下的IG‑VG曲线，分析对比仿真结果与试验结果，修正总剂量效应模型参数，使得仿真结果与试验结果相吻合。该方法可准确定位总剂量效应敏感区域，揭示辐射损伤机制，并可应用至器件研制过程中，减少迭代次数，降低器件研制成本。
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公开(公告)号：CN116779444A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310856139.5
申请日：2023-07-12
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/26
Abstract: 本发明涉及一种基于负衬底偏压的n型鳍式场效应晶体管加固方法，属于半导体器件抗辐射技术领域，包括辐照前衬底偏置电路搭建、辐照中施加负衬底偏置电压抑制辐射损伤、随着辐照剂量的增加，调整负衬底偏置电压的步骤。还涉及一种n型鳍式场效应晶体管，在衬底端口与集成电路地电位之间设置电压源，提供负偏置电压。本发明不改变晶体管器件的工艺流程，施加负衬底偏压提升晶体管阈值电压，使关态漏电流与初始值之差小于1个数量级，保证了n型鳍式场效应晶体管在辐射环境下正常工作。
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公开(公告)号：CN116056438A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211717787.4
申请日：2022-12-29
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明提供了一种电机驱动装置的精细化辐射屏蔽方法，用于解决现有的屏蔽方法成本较高且屏蔽效果较差的技术问题。该辐射屏蔽方法首先将电机驱动装置的各个芯片分别进行辐照测试，得到各个芯片的抗辐射能力；接着根据各个芯片的抗辐射能力，计算各个芯片屏蔽所需的铅材料的厚度；最后将对应厚度的铅材料覆盖在对应芯片的上下两侧，再将各个芯片组装至相应的位置，即完成电机驱动装置的精细化辐射屏蔽。该方法只需对驱动各芯片进行铅材料包覆，而无需将整个电路板包起来，进而节省了铅材料，降低了包覆的成本，与整机包覆相比，提升了电机驱动装置的整体屏蔽效果。
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公开(公告)号：CN110376631B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN201910788765.9
申请日：2019-08-26
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01T1/02
Abstract: 本发明涉及一种基于存储器特性的新型剂量探测方法，该方法中涉及的剂量探头是由处理器、存储器矩阵、电源芯片、电源端、串口数据端组成，在使用时，将剂量探头放置在辐射场中，按照要求连接好各个端口，确保通信正常，采用50rad(Si)/s的剂量率做试验，通过剂量探头探测到的总剂量除以时间，为51.6rad(Si)/s，故该剂量探头能够满足探测剂量信息的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115729014A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211726729.8
申请日：2022-12-31
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种耐辐射镜头电动对焦装置及方法,该装置是由耐辐射镜头安装座，驱动螺钉，固定镜筒，驱动凸轮，前端滚珠，后端滚珠，图像传感器安装座，耐辐射电机，电机齿轮，电机固定座，凸轮齿轮，固定法兰组成，该装置的电机及其电路部分均进行了耐辐射加固设计，从而使得该装置尤其适用于耐辐射相机中。使用时，将定焦镜头通过专用夹具安装在该装置内，将不可调焦的定焦镜头转换为可电动对焦的镜头。当相机使用不可调焦的镜头拍照或摄像时，只能对特定的物距成清晰像，将该装置安装在相机内之后，在相机操作界面进行电动或自动对焦，对所有物距皆可清晰成像，最大程度提高了相机的工作范围。由于相机使用了该装置后可进行远程对焦设置，无需更换镜头或者人工旋转镜头对焦，因此该装置尤其适合在辐射等人员无法直接进入的环境下使用。
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公开(公告)号：CN112214952B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202011125363.X
申请日：2020-10-20
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06F30/367 , G06F30/36
Abstract: 本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法，该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关，总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合，准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
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公开(公告)号：CN114912278A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210534852.3
申请日：2022-05-17
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种CMOS图像传感器像素单元多次脉冲读取电荷传输效率的仿真方法，该方法通过在CMOS图像传感器像素单元曝光阶段开始之前，对钳位光电二极管进行复位，设置传输栅栅压为0V，使光电二极管处于积累状态，然后在仿真环境中采用准直光源入射，调用光注入模型，实现光产生过程的模拟，提取此时钳位光电二极管中的光生载流子数目N1，将浮置扩散节点设置为高电位并保持，同时在传输栅上设置脉冲电压，提取每一次传输栅开启后的钳位光电二极管中剩余光生载流子数目N2，直到钳位光电二极管中剩余光生载流子数目N2不再随时间变化时，利用该N2值计算CMOS图像传感器像素单元的电荷传输效率。本发明可以获得电荷传输效率，还可以直观看到电荷传输过程中的微观电势分布，从而分析得到电荷传输的限制机制。
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公开(公告)号：CN114896927A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210539926.2
申请日：2022-05-17
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06F30/337 , G06F30/3308
Abstract: 本发明涉及一种不同光强对辐照后CMOS图像传感器像素单元满阱容量影响的仿真方法，该方法确定氧化物陷阱电荷、类施主型界面态和类受主型界面态作为TCAD软件中电离效应模型的输入参数，通过实验获得γ射线辐照后的暗电流曲线，在对氧化物陷阱电荷、类施主型界面态和类受主型界面态进行电学校准，获得三种缺陷与累积剂量之间的比例因子，建立CMOS图像传感器像素单元电离辐射效应模型，再在CMOS图像传感器像素单元曝光阶段开始之前，对钳位光电二极管进行复位，设置传输栅栅压为0V，然后在TCAD软件仿真环境中采用准直光源入射，调用光注入模型，再设置固定光强，采用瞬态模拟，提取钳位光电二极管中的变化曲线，获得满阱容量，再调用电离辐射效应模型，改变光强，模拟相同累积剂量下，不同光强对满阱容量的影响。本发明可以直观地看出不同光强对辐照后CMOS图像传感器像素单元满阱容量的影响。
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公开(公告)号：CN113568028A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110842992.2
申请日：2021-07-26
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供一种星用辐射剂量传感器的老炼筛选方法，该方法首先对辐射剂量传感器受试样品进行输出转移特性曲线测试，筛选出初值合格的辐射剂量传感器受试样品；其次，对初测合格的受试样品分别是在施加低电场应力同时进行高温应力、高低温循环应力和室温应力三组老炼试验；每组应力试验后，对受试样品的输出转移特性曲线或输出信号进行测试；最后，依据辐射剂量传感器的响应灵敏度，计算出允许的剂量响应参数漂移误差范围，以此判定每组应力试验后受试样品是否通过测试，测试合格的受试样品继续下一组的应力试验，三组应力试验都通过的样品判定为合格；本发明提供的一种对星用辐射剂量传感器进行老炼筛选的方法，在航天领域有广阔的应用前景。
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