公开(公告)号：CN103996673B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201410220512.9

申请日：2014-05-22

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 郭红霞 ,  陈伟 ,  郭旗 ,  何承发 ,  罗尹虹 ,  文林 ,  王玲 ,  张凤祁 ,  赵雯 ,  肖尧

IPC: H01L23/552 ,  G21F1/12

Abstract: 本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法，包括以下步骤：1)制作单层结构复合材料：2)制作多层结构复合材料：3)测量电子束在复合材料中的透射系数：4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数：5)修正电子透射系数；6)采用屏蔽效果最好的复合材料，在器件的相应芯片处进行二次封装。本发明在保证屏蔽效果最好的同时，使封装质量最小，可提高航天器器件抗电离辐射总剂量效应。

公开(公告)号：CN103996673A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410220512.9

申请日：2014-05-22

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 郭红霞 ,  陈伟 ,  郭旗 ,  何承发 ,  罗尹虹 ,  文林 ,  王玲 ,  张凤祁 ,  赵雯 ,  肖尧

IPC: H01L23/552 ,  G21F1/12

Abstract: 本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法，包括以下步骤：1)制作单层结构复合材料：2)制作多层结构复合材料：3)测量电子束在复合材料中的透射系数：4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数：5)修正电子透射系数；6)采用屏蔽效果最好的复合材料，在器件的相应芯片处进行二次封装。本发明在保证屏蔽效果最好的同时，使封装质量最小，可提高航天器器件抗电离辐射总剂量效应。