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公开(公告)号：CN113917304A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111180529.2
申请日：2021-10-11
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、样品测试版、电容‑电压单元模块、源测量单元模块和计算机组成，利用计算机中的扫描软件，设定的频率和电压扫描，得到碳化硅垂直双扩散型晶体管准确的结构电容数据，将结构电容数据经过优化拟合为结构电容曲线，将所得结构电容曲线自动去除尖峰，得到更为平滑的曲线，再对结构电容曲线通过固定的算法运算拟合成为晶体管寄生电容曲线，对辐照前后测试得到的碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容曲线进行比对，自动生成米勒平台区域产生的差值，再设定合理的预值范围，超出预值则会根据实验积累的数据快速判断是否会对器件的开关性能产生严重影响。本发明操作方便快捷，具有一定的通用性。
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公开(公告)号：CN112214952A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011125363.X
申请日：2020-10-20
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06F30/367 , G06F30/36
Abstract: 本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法，该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关，总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合，准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
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公开(公告)号：CN106802427B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201611177450.3
申请日：2016-12-19
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01T1/02 , G05B19/042
Abstract: 本发明涉及辐射环境探测技术领域，涉及一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法。该探测系统包括探头模块、恒流源模块、数据采集模块和控制模块；所述控制模块输入端与PC机相连，控制模块输出端与恒流源模块、数据采集模块和探头模块相连；所述恒流源模块与探头模块相连；所述数据采集模块的输入端与探头模块相连，数据采集模块的输出端与PC机相连；所述探头模块包括SOI结构的辐照传感器。本发明实现了星用PMOS剂量计的传感器国产化；提高了灵敏度，可用于更低累积剂量的测试；基于此结构的探测器便携、灵活、易用，适用于空间环境监测、半导体元器件电离效应评估及寿命预测。
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公开(公告)号：CN113568028B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202110842992.2
申请日：2021-07-26
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供一种星用辐射剂量传感器的老炼筛选方法，该方法首先对辐射剂量传感器受试样品进行输出转移特性曲线测试，筛选出初值合格的辐射剂量传感器受试样品；其次，对初测合格的受试样品分别是在施加低电场应力同时进行高温应力、高低温循环应力和室温应力三组老炼试验；每组应力试验后，对受试样品的输出转移特性曲线或输出信号进行测试；最后，依据辐射剂量传感器的响应灵敏度，计算出允许的剂量响应参数漂移误差范围，以此判定每组应力试验后受试样品是否通过测试，测试合格的受试样品继续下一组的应力试验，三组应力试验都通过的样品判定为合格；本发明提供的一种对星用辐射剂量传感器进行老炼筛选的方法，在航天领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114755550A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210408396.8
申请日：2022-04-19
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种用于总剂量电离辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管开关响应异常变化的测试方法，该方法设计装置是由静电试验平台、样品测试版、脉冲发生器、高压电源、示波器和计算机组成，在一定时间内一定温度条件下利用示波器上的高压探头准确快速地测量碳化硅垂直双扩散型晶体管开关响应时间，测量时需在晶体管的栅极与脉冲发生器连接；然后由脉冲发生器发出预先设定周期，脉冲宽度，高位电压，低位电压的信号，再依据MIL‑STD‑750/3472标准测量器件开关时间的参数，通过计算机对辐照前后测试得到的晶体管开关响应进行比对，生成辐照引起开关响应的退化差值，再设定合理的预值，如果退化差值大于预值则会根据实验积累的数据快速判断器件开关响应的异常情况。本发明操作方便快捷，具有一定的通用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110221336A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910548534.0
申请日：2019-06-24
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01T1/02
Abstract: 本发明涉及一种基于PMOS剂量计的多点测量方法，该方法中涉及探测器是由多点的辐照传感器、多通道选择模块、数据采集模块、电流注入模块、控制模块和PC机组成，所述控制模块输入端与PC机相连，控制模块输出端与多通道选择模块和数据采集模块相连；电流注入模块与多通道选择模块相连；数据采集模块输入端与多点辐照传感器端、控制模块端相连，输出端与PC机相连；多通道选择模块输入端与电流注入模块、控制模块相连，输出端与多点辐照传感器相连；该方法在保持PMOS剂量仪现有的性能指标的前提下，有效的实现在线的多点测量。
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公开(公告)号：CN108037438A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711329107.0
申请日：2017-12-13
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法，该方法是由试验样品分组及测试参数选择；试验样品的总剂量辐照及退火试验；试验样品的负偏压温度不稳定性测量组成，为了保证试验结果的一致性和准确性，首先将样品分为预辐照组、对比组及两个摸底试验组，在摸底试验的基础上对预辐照组开展确定条件下总剂量辐照和退火试验，再将对比组和预辐照组开展相同条件下的负偏压温度不稳定性试验，对比试验结果，获得总剂量辐照对样品负偏压温度不稳定性的影响。本发明提供的方法能够表征总剂量辐照对P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏压温度不稳定性的影响。
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公开(公告)号：CN106802427A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201611177450.3
申请日：2016-12-19
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01T1/02 , G05B19/042
CPC classification number: G01T1/026 , G05B19/0428 , G05B2219/2604 , G05B2219/2656
Abstract: 本发明涉及辐射环境探测技术领域，涉及一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法。该探测系统包括探头模块、恒流源模块、数据采集模块和控制模块；所述控制模块输入端与PC机相连，控制模块输出端与恒流源模块、数据采集模块和探头模块相连；所述恒流源模块与探头模块相连；所述数据采集模块的输入端与探头模块相连，数据采集模块的输出端与PC机相连；所述探头模块包括SOI结构的辐照传感器。本发明实现了星用PMOS剂量计的传感器国产化；提高了灵敏度，可用于更低累积剂量的测试；基于此结构的探测器便携、灵活、易用，适用于空间环境监测、半导体元器件电离效应评估及寿命预测。
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公开(公告)号：CN104133974A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410406739.2
申请日：2014-08-18
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取线性能量传输值随器件深度的变化，编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型，选取离子的典型入射位置，分别开展加固与未加固器件模型的单粒子效应仿真，将加固前器件模型作为参照，与加固后器件模型的单粒子响应进行对比，验证锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的抗辐射加固效果。该方法解决了地面模拟试验成本较高、机时紧张的问题；有效提高了锗硅异质结双极晶体管的抗单粒子效应能力，同时弥补了工艺实验费用昂贵、周期较长的不足。
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公开(公告)号：CN112379240B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202011266943.0
申请日：2020-11-13
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种抗辐射加固SOI材料的总剂量辐射性能评估方法，该方法采用基于商用SOI材料和加固SOI材料制作的晶体管作为试验样品；对基于商用材料和加固材料的试验样品开展相同条件下的总剂量辐照试验，提取辐射在氧化物埋层中引入的氧化物陷阱电荷密度；对加固材料制作的晶体管，开展热载流子注入试验，提取热载流子应力在氧化物埋层中引入的电子陷阱电荷密度；基于以上三种陷阱电荷密度，获得加固材料氧化物埋层的电子陷阱俘获系数。通过该俘获系数与热载流子应力试验，即可获得加固SOI材料的抗辐射性能。该方法的优势在于，通过少量辐照试验结合热载流子应力试验，即可快速获得同一批次加固SOI材料的抗总剂量辐射能力。
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