公开(公告)号：CN104133974A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410406739.2

申请日：2014-08-18

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 郭红霞 ,  郭旗 ,  李培 ,  文林 ,  王信 ,  刘默寒 ,  崔江维 ,  陆妩 ,  余学峰 ,  何承发

IPC: G06F17/50 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取线性能量传输值随器件深度的变化，编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型，选取离子的典型入射位置，分别开展加固与未加固器件模型的单粒子效应仿真，将加固前器件模型作为参照，与加固后器件模型的单粒子响应进行对比，验证锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的抗辐射加固效果。该方法解决了地面模拟试验成本较高、机时紧张的问题；有效提高了锗硅异质结双极晶体管的抗单粒子效应能力，同时弥补了工艺实验费用昂贵、周期较长的不足。