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公开(公告)号：CN115113012B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202210816891.2
申请日：2022-07-12
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种含有长期低剂量率辐照的复合环境试验加速方法，该方法利用温度阶梯辐照识别双极工艺器件的低剂量率损伤增强（ELDRS）效应，并将氢注入作为复合环境地面模拟试验的加速条件，基于辐射损伤因子的表征，对于具有低剂量率损伤增强（ELDRS）倾向的器件进行加速模拟试验，解决高剂量率模拟试验存在的过于低估器件抗辐射性能的问题，对于低剂量率损伤增强（ELDRS‑fre）免疫的器件进行高剂量率/注量率的辐照试验，避免加速模拟试验带来的过于高估器件抗辐射性能的问题，基于氢注入浓度和辐照剂量率的匹配关系，提取加速评估的试验条件，实现双极器件在复合环境下的加速评估，兼顾位移损伤效应和ELDRS效应。本发明所述方法可缩短试验周期、节约成本及提高器件抗辐射性能评估的可靠性。
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公开(公告)号：CN118055625A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410193346.1
申请日：2024-02-21
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供一种P型碳纳米管场效应晶体管的抗总剂量辐射加固方法，主要解决现有加固技术无法兼顾低成本与高性能的技术问题。该方法包括以下步骤：【1】试验样品选择；【2】辐照前参数测试；【3】总剂量辐照试验；【4】辐照后参数测试；【5】重复步骤【3】与步骤【4】，获取多个辐照后的转移特性曲线；【6】建立试验样品辐射损伤敏感度与背栅电压的映射关系；【7】获取P型碳纳米管场效应晶体管的最佳背栅电压，将该最佳背栅电压赋予该类晶体管的背栅端，即可实现该类晶体管的抗总剂量辐射加固。该方法的优势在于无需改变制造工艺条件以及版图设计，即可实现碳纳米管场效应晶体管的低成本抗总剂量加固。
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公开(公告)号：CN113568028B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202110842992.2
申请日：2021-07-26
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供一种星用辐射剂量传感器的老炼筛选方法，该方法首先对辐射剂量传感器受试样品进行输出转移特性曲线测试，筛选出初值合格的辐射剂量传感器受试样品；其次，对初测合格的受试样品分别是在施加低电场应力同时进行高温应力、高低温循环应力和室温应力三组老炼试验；每组应力试验后，对受试样品的输出转移特性曲线或输出信号进行测试；最后，依据辐射剂量传感器的响应灵敏度，计算出允许的剂量响应参数漂移误差范围，以此判定每组应力试验后受试样品是否通过测试，测试合格的受试样品继续下一组的应力试验，三组应力试验都通过的样品判定为合格；本发明提供的一种对星用辐射剂量传感器进行老炼筛选的方法，在航天领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116148912A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211714637.8
申请日：2022-12-29
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01T1/02
Abstract: 本发明提供一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法，主要解决现有技术无法对浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量进行精确测量的技术问题。本发明通过对待测晶体管进行充电后测量，辐照后测量的方法并基于恒流法获取待测晶体管在辐射后与辐射前阈值电压的差值，并依据此方法获得不同辐射剂量下阈值电压的差值，最终计算得到待测晶体管阈值电压的差值随辐射剂量累积的变化曲线。本发明对浮栅器件进行多次编程和擦除，从而大幅提高了辐射剂量的测量量程，进而对辐射过程进行精准控制。
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公开(公告)号：CN117910404A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410097689.8
申请日：2024-01-24
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06F30/367 , G06F30/373 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 本发明涉及一种总剂量条件下GaN HEMT器件栅可靠性仿真方法，该方法基于器件几何结构和工艺参数，构建GaN HEMT器件二维仿真结构；基于计算机辅助设计仿真器中的电学特性计算工具，设置电学特性仿真计算的模型，计算仿真器件的IG‑VG曲线，分析对比仿真结果与试验结果，修正模型参数，使得仿真结果与试验结果相吻合；基于总剂量效应下GaN HEMT器件辐射损伤的关键物理过程，通过在敏感区域P‑GaN/AlGaN/GaN界面处添加总剂量效应的辐射损伤模型，计算仿真总剂量条件下的IG‑VG曲线，分析对比仿真结果与试验结果，修正总剂量效应模型参数，使得仿真结果与试验结果相吻合。该方法可准确定位总剂量效应敏感区域，揭示辐射损伤机制，并可应用至器件研制过程中，减少迭代次数，降低器件研制成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112214952B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202011125363.X
申请日：2020-10-20
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06F30/367 , G06F30/36
Abstract: 本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法，该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关，总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合，准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
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公开(公告)号：CN113568028A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110842992.2
申请日：2021-07-26
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供一种星用辐射剂量传感器的老炼筛选方法，该方法首先对辐射剂量传感器受试样品进行输出转移特性曲线测试，筛选出初值合格的辐射剂量传感器受试样品；其次，对初测合格的受试样品分别是在施加低电场应力同时进行高温应力、高低温循环应力和室温应力三组老炼试验；每组应力试验后，对受试样品的输出转移特性曲线或输出信号进行测试；最后，依据辐射剂量传感器的响应灵敏度，计算出允许的剂量响应参数漂移误差范围，以此判定每组应力试验后受试样品是否通过测试，测试合格的受试样品继续下一组的应力试验，三组应力试验都通过的样品判定为合格；本发明提供的一种对星用辐射剂量传感器进行老炼筛选的方法，在航天领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113156301A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110273436.8
申请日：2021-03-09
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/316
Abstract: 一种基于脉冲激光的模拟电路单粒子瞬态等效方法，基于模拟电路单粒子损伤机制，即重离子和激光入射半导体材料的能量沉积、电荷产生的物理过程，充分考虑电荷收集深度、双光子吸收、参杂浓度等因素的影响，建立了基于有效电荷收集深度内产生等量电荷的等效依据。具有关键信息覆盖全面、精度高、易执行的特点。
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公开(公告)号：CN114217199B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202111503480.X
申请日：2021-12-10
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置，该方法首先构建半导体器件1/f噪声测试中待测样品的变温环境，将1/f噪声测试系统的室温测试盒扩展至变温室，变温室利用稳态气泡原理控温构建了81K‑500K连续可调的变温环境；其次，设计变温室中的样品架及样品夹具板，实现多种封装的半导体器件在变温环境中的安装及封装半导体器件中的温度快速传递，设计待测样品的偏置及测试数据传递通路，实现1/f噪声测试系统的测量电阻单元与变温室中待测样品的电气连接及噪声参数传递。本发明可以实现81K‑500K连续可调温度环境中的多种封装半导体器件的1/f噪声测试，用于半导体器件低频噪声测试及半导体器件缺陷的测试与分析。
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公开(公告)号：CN112214953B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202011125626.7
申请日：2020-10-20
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06F30/367 , G06F30/36
Abstract: 本发明涉及一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，该方法包括晶体管偏置电压提取、晶体管平均偏置电压计算、晶体管辐射陷阱电荷计算、晶体管总剂量效应模型参数更新、电路总剂量辐射损伤仿真、电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算。该方法的理论基础是晶体管辐照偏置条件不同，总剂量辐射损伤特性不同，进而影响电路的总剂量辐射损伤。该方法的优势在于根据电路中晶体管的偏置状态，计算晶体管总剂量辐射损伤，实现电路总剂量辐射效应的精确仿真。
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