一种数字集成电路辐射效应原位测试系统及测试方法

    公开(公告)号:CN116735981A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202310502367.2

    申请日:2023-05-05

    Abstract: 本发明提供一种数字集成电路辐射效应原位测试系统及测试方法,用于解决现有的辐射效应原位测试系统无法实现对数字集成电路的性能和功能进行全面测试的技术问题。测试系统包括驱动单元、采集单元及分析单元;采集单元包括SMU测试模块和至少一个数字向量测试模块,SMU测试模块用于为待测数字集成电路供电并采集待测数字集成电路的功耗电流;数字向量测试模块用于为待测数字集成电路输入电信号激励,并采集待测数字集成电路输出的电平信号;分析单元用于接收SMU测试模块和每个数字向量测试模块采集到的信息,并对其进行处理。

    一种基于Matlab的图像传感器RTS噪声检测分析系统

    公开(公告)号:CN104853117B

    公开(公告)日:2018-03-20

    申请号:CN201510305312.8

    申请日:2015-06-06

    Abstract: 本发明涉及一种基于Matlab的图像传感器RTS噪声检测分析系统,该系统使用Matlab读取采集的图像,并转化为像素灰度值的像素信号;对每个像素信号进行白噪声滤波得到像素信号;使用梯度检测法得到像素信号的梯度变化信号;通过阈值算法得到像素梯度信号噪声阈值,然后对梯度信号去噪;统计每个像素的梯度脉冲个数,并输出作为RTS噪声检测结果;对像素梯度信号每两个脉冲之间的信号求均值得到像素RTS噪声的平均暗电流基底;结合RTS噪声的平均暗电流基底和梯度脉冲信号得到重建的RTS噪声信号。该系统适用任意可见光图像传感器,可以自动实现RTS噪声检测和全参数分析,解决了目前RTS噪声检测提取困难,分析困难问题,更加深入的研究图像传感器的各种工艺和辐射产生缺陷。

    基于p‑i‑n结构的位移损伤剂量探测方法

    公开(公告)号:CN104459372B

    公开(公告)日:2017-09-01

    申请号:CN201410629535.5

    申请日:2014-11-10

    Abstract: 本发明涉及一种基于p‑i‑n结构的位移损伤剂量探测方法,该方法包括筛选p‑i‑n结构的探头,探测器参数调整及确认,在不同放射源下获取探测器响应并标定;根据不同放射源对探头材料的非电离能损NIEL,将探测器响应与不同放射源注量或剂量的关系统一成探测器响应与位移损伤剂量的关系;根据实际探测结果确定损伤增强因子。该方法优势在于其探测的物理量是位移损伤剂量,包含任何能够造成位移损伤效应的粒子;与探测粒子种类、能谱相比,能够直接反映半导体元器件的位移损伤程度;基于此结构的探测器便携、灵活、易用,适用于空间环境监测、半导体元器件位移损伤效应评估及寿命预测。

    一种用于光电材料光致发光谱辐射损伤的测试方法

    公开(公告)号:CN106370629A

    公开(公告)日:2017-02-01

    申请号:CN201610720572.6

    申请日:2016-08-25

    CPC classification number: G01N21/63

    Abstract: 本发明涉及一种用于光电材料光致发光谱辐射损伤分析的测试方法,该方法中涉及装置是由激光器、第一凸透镜、斩波器、低温样品室、载样铜片、待测光电材料、第二凸透镜、第三凸透镜、光栅光谱仪、探测器、锁相放大器和记录仪组成,利用斩波器斩波的具有频率的非连续激光,经过凸透镜聚焦后打在待测光电材料中心位置,样品受激光激发后发出的光经凸透镜收集聚焦并投射入光栅光谱仪的狭缝入口,经光谱仪分光后经由光电探测器接受信号,并经过锁相放大器对信号进行降噪放大,所采集的不同信号得出光电材料的光致发光谱,再将光电材料受高能粒子辐照后,再进行测试一次,即可得到光电材料的光致发光谱辐射损伤。该方法减轻了光电材料辐照前后光致发光谱测试的工作量;结构紧凑,操作简单方便。

    一种基于Matlab的图像传感器RTS噪声检测分析系统

    公开(公告)号:CN104853117A

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201510305312.8

    申请日:2015-06-06

    Abstract: 本发明涉及一种基于Matlab的图像传感器RTS噪声检测分析系统,该系统使用Matlab读取采集的图像,并转化为像素灰度值的像素信号;对每个像素信号进行白噪声滤波得到像素信号;使用梯度检测法得到像素信号的梯度变化信号;通过阈值算法得到像素梯度信号噪声阈值,然后对梯度信号去噪;统计每个像素的梯度脉冲个数,并输出作为RTS噪声检测结果;对像素梯度信号每两个脉冲之间的信号求均值得到像素RTS噪声的平均暗电流基底;结合RTS噪声的平均暗电流基底和梯度脉冲信号得到重建的RTS噪声信号。该系统适用任意可见光图像传感器,可以自动实现RTS噪声检测和全参数分析,解决了目前RTS噪声检测提取困难,分析困难问题,更加深入的研究图像传感器的各种工艺和辐射产生缺陷。

    基于p-i-n结构的位移损伤剂量探测方法

    公开(公告)号:CN104459372A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410629535.5

    申请日:2014-11-10

    Abstract: 本发明涉及一种基于p-i-n结构的位移损伤剂量探测方法,该方法包括筛选p-i-n结构的探头,探测器参数调整及确认,在不同放射源下获取探测器响应并标定;根据不同放射源对探头材料的非电离能损NIEL,将探测器响应与不同放射源注量或剂量的关系统一成探测器响应与位移损伤剂量的关系;根据实际探测结果确定损伤增强因子。该方法优势在于其探测的物理量是位移损伤剂量,包含任何能够造成位移损伤效应的粒子;与探测粒子种类、能谱相比,能够直接反映半导体元器件的位移损伤程度;基于此结构的探测器便携、灵活、易用,适用于空间环境监测、半导体元器件位移损伤效应评估及寿命预测。

    一种基于宇宙射线的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法

    公开(公告)号:CN107273694B

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201710507965.3

    申请日:2017-06-28

    Abstract: 本发明涉及一种基于宇宙射线的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法,该方法通过对同一天在轨暗场测试采集到的十幅图进行统计,得到十幅图中宇宙射线轨迹总数,然后统计每条宇宙射线轨迹在图像上经过的列数,找出每条宇宙射线轨迹中灰度值最大的像素,以该像素为中心像素,其上下左右各个方向上的像素灰度值逐渐降低,寻找各方向上像素的灰度值介于图像背景灰度值的1.5倍和中心像素灰度值之间的所有像素即为宇宙射线信号源覆盖的像素。通过计算宇宙射线轨迹上所有像素的平均灰度值、宇宙射线上方信号源像素的灰度值总和以及宇宙射线下方信号源像素的灰度值总和,计算出总的电荷转移损失率,以此求出基于该条宇宙射线的电荷耦合器件的单次电荷转移效率。本发明实时性强,方法简单,计算结果准确。

    一种星用辐射剂量传感器的老炼筛选方法

    公开(公告)号:CN113568028B

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202110842992.2

    申请日:2021-07-26

    Abstract: 本发明提供一种星用辐射剂量传感器的老炼筛选方法,该方法首先对辐射剂量传感器受试样品进行输出转移特性曲线测试,筛选出初值合格的辐射剂量传感器受试样品;其次,对初测合格的受试样品分别是在施加低电场应力同时进行高温应力、高低温循环应力和室温应力三组老炼试验;每组应力试验后,对受试样品的输出转移特性曲线或输出信号进行测试;最后,依据辐射剂量传感器的响应灵敏度,计算出允许的剂量响应参数漂移误差范围,以此判定每组应力试验后受试样品是否通过测试,测试合格的受试样品继续下一组的应力试验,三组应力试验都通过的样品判定为合格;本发明提供的一种对星用辐射剂量传感器进行老炼筛选的方法,在航天领域有广阔的应用前景。

    一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法

    公开(公告)号:CN116148912A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202211714637.8

    申请日:2022-12-29

    Abstract: 本发明提供一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法,主要解决现有技术无法对浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量进行精确测量的技术问题。本发明通过对待测晶体管进行充电后测量,辐照后测量的方法并基于恒流法获取待测晶体管在辐射后与辐射前阈值电压的差值,并依据此方法获得不同辐射剂量下阈值电压的差值,最终计算得到待测晶体管阈值电压的差值随辐射剂量累积的变化曲线。本发明对浮栅器件进行多次编程和擦除,从而大幅提高了辐射剂量的测量量程,进而对辐射过程进行精准控制。

    一种基于光斑的电荷耦合器件电荷转移效率通用测试方法

    公开(公告)号:CN107144755B

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201710507786.X

    申请日:2017-06-28

    Abstract: 本发明涉及一种基于光斑的电荷耦合器件电荷转移效率通用测试方法,该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、卤钨灯光源、会聚球面镜、样品测试板、电荷耦合器件样品、导轨、三维样品调整台、暗箱、光学准直套筒和计算机组成,将电荷耦合器件样品正对积分球光源出光口,首先进行暗场测试,计算出A、B、C三个通道暗场所有像素位置的灰度值的平均值;再进行亮场测试,计算出三个通道亮场所有像素位置的灰度值的平均值;通过计算得到B、C通道相对于A通道的增益系数;计算暗场条件下样品从三个通道输出的所有像素位置灰度值的平均值;打开卤钨灯光源进行亮场测试,计算样品连同光斑中心在内的25个像元的信号灰度值之和,最后求解出水平转移效率和垂直转移效率。本发明具有通用性,操作简单,结果准确。

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