公开(公告)号：CN104133974A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410406739.2

申请日：2014-08-18

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 郭红霞 ,  郭旗 ,  李培 ,  文林 ,  王信 ,  刘默寒 ,  崔江维 ,  陆妩 ,  余学峰 ,  何承发

IPC: G06F17/50 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取线性能量传输值随器件深度的变化，编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型，选取离子的典型入射位置，分别开展加固与未加固器件模型的单粒子效应仿真，将加固前器件模型作为参照，与加固后器件模型的单粒子响应进行对比，验证锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的抗辐射加固效果。该方法解决了地面模拟试验成本较高、机时紧张的问题；有效提高了锗硅异质结双极晶体管的抗单粒子效应能力，同时弥补了工艺实验费用昂贵、周期较长的不足。

公开(公告)号：CN103996673B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201410220512.9

申请日：2014-05-22

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 郭红霞 ,  陈伟 ,  郭旗 ,  何承发 ,  罗尹虹 ,  文林 ,  王玲 ,  张凤祁 ,  赵雯 ,  肖尧

IPC: H01L23/552 ,  G21F1/12

Abstract: 本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法，包括以下步骤：1)制作单层结构复合材料：2)制作多层结构复合材料：3)测量电子束在复合材料中的透射系数：4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数：5)修正电子透射系数；6)采用屏蔽效果最好的复合材料，在器件的相应芯片处进行二次封装。本发明在保证屏蔽效果最好的同时，使封装质量最小，可提高航天器器件抗电离辐射总剂量效应。

公开(公告)号：CN103996673A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410220512.9

申请日：2014-05-22

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 郭红霞 ,  陈伟 ,  郭旗 ,  何承发 ,  罗尹虹 ,  文林 ,  王玲 ,  张凤祁 ,  赵雯 ,  肖尧

IPC: H01L23/552 ,  G21F1/12

Abstract: 本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法，包括以下步骤：1)制作单层结构复合材料：2)制作多层结构复合材料：3)测量电子束在复合材料中的透射系数：4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数：5)修正电子透射系数；6)采用屏蔽效果最好的复合材料，在器件的相应芯片处进行二次封装。本发明在保证屏蔽效果最好的同时，使封装质量最小，可提高航天器器件抗电离辐射总剂量效应。

公开(公告)号：CN103983874A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410210427.4

申请日：2014-05-16

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 郭旗 ,  何承发 ,  郭红霞 ,  陈伟 ,  文林 ,  孙静 ,  赵雯

IPC: G01R31/00 ,  G01N23/00 ,  G01T1/36 ,  G01T1/29

Abstract: 本发明涉及一种电子加速器及实现电子束低注量环境的方法，通过多孔衰减的方法，在不变动加速器结构、控制系统的前提下，将电子加速器改造成为满足国军标要求的低通量空间辐射环境地面模拟装置。通过蒙特卡罗模拟计算方法和高分辨率测量方法，研究了通过衰减法降低电子束通量后电子束能谱、次级辐射、辐照场均匀性，能够适应电子元器件、材料辐射效应研究和评估方法研究的要求。解决了现有电子加速器在进行电子元器件辐射效应研究时电子通量高的技术问题。

公开(公告)号：CN103983874B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201410210427.4

申请日：2014-05-16

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 郭旗 ,  何承发 ,  郭红霞 ,  陈伟 ,  文林 ,  孙静 ,  赵雯

IPC: G01R31/00 ,  G01N23/00 ,  G01T1/36 ,  G01T1/29

Abstract: 本发明涉及一种电子加速器及实现电子束低注量环境的方法，通过多孔衰减的方法，在不变动加速器结构、控制系统的前提下，将电子加速器改造成为满足国军标要求的低通量空间辐射环境地面模拟装置。通过蒙特卡罗模拟计算方法和高分辨率测量方法，研究了通过衰减法降低电子束通量后电子束能谱、次级辐射、辐照场均匀性，能够适应电子元器件、材料辐射效应研究和评估方法研究的要求。解决了现有电子加速器在进行电子元器件辐射效应研究时电子通量高的技术问题。

公开(公告)号：CN103645430A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201310724817.9

申请日：2013-12-23

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 郭红霞 ,  郭旗 ,  张晋新 ,  文林 ,  陆妩 ,  余学峰 ,  何承发 ,  崔江维 ,  孙静 ,  席善斌 ,  邓伟 ,  王信

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法，该方法构建合理的锗硅异质结双极晶体管器件模型和网格；对构建的锗硅异质结双极晶体管器件模型的半导体器件特性进行仿真；开展锗硅异质结双极晶体管模型关键电学参数校准；在器件模型表面选取典型入射位置，开展单粒子效应物理模型仿真；分析不同位置下各电极电流和电荷收集与时间的关系，及不同位置漏斗势的变化情况，获得锗硅异质结双极晶体管对单粒子效应的敏感位置；在单粒子效应敏感位置附近选取更密集的入射点，开展单粒子效应半导体器件数值仿真，精确定位锗硅异质结双极晶体管单粒子效应敏感区域和大小。该方法具有理论定量分析单粒子损伤效应、缩短考核时间和降低试验成本等优势。