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公开(公告)号：CN108401151B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201810250683.4
申请日：2018-03-26
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H04N17/00
Abstract: 本发明涉及一种互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法，该方法中涉及的远距离传输的图像转接装置是由测试板、第一Camerlink数据线、同轴发送盒、同轴穿罐电缆、同轴接收盒、第二Camerlink数据线、光纤发送端、光纤电缆、光纤接收端和图像采集计算机组成，通过设置图像采集软件的频率和图像模式使其满足互补金属氧化物半导体图像传感器要求，再设置图像传感器成像的增益、积分时间和帧率；然后采集、保存图像，开启单粒子辐照束流；继续采集、保存图像，当单粒子辐照束流达到1×107 ion·cm‑2后，关闭单粒子辐照束流，停止采集、保存图像。根据图像数据准确判断互补金属氧化物半导体图像传感器发生的单粒子效应。该方法可靠性高、数据传输速度快、操作方便、简单易行。
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公开(公告)号：CN107273694B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201710507965.3
申请日：2017-06-28
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06F17/18
Abstract: 本发明涉及一种基于宇宙射线的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法，该方法通过对同一天在轨暗场测试采集到的十幅图进行统计，得到十幅图中宇宙射线轨迹总数，然后统计每条宇宙射线轨迹在图像上经过的列数，找出每条宇宙射线轨迹中灰度值最大的像素，以该像素为中心像素，其上下左右各个方向上的像素灰度值逐渐降低，寻找各方向上像素的灰度值介于图像背景灰度值的1.5倍和中心像素灰度值之间的所有像素即为宇宙射线信号源覆盖的像素。通过计算宇宙射线轨迹上所有像素的平均灰度值、宇宙射线上方信号源像素的灰度值总和以及宇宙射线下方信号源像素的灰度值总和，计算出总的电荷转移损失率，以此求出基于该条宇宙射线的电荷耦合器件的单次电荷转移效率。本发明实时性强，方法简单，计算结果准确。
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公开(公告)号：CN107197236A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710507516.9
申请日：2017-06-28
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H04N17/00
CPC classification number: H04N17/00
Abstract: 本发明涉及一种基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法，该方法通过对在轨暗场测试采集到的其中任一幅图进行计算，得到该幅图的背景信号SBG和图像饱和信号Smax，然后统计该幅图中信号灰度值介于2SBG和Smax之间的热像素信号个数，对于单个热像素信号计算其最亮像素的灰度值，统计单个热像素的拖尾信号所占的像素个数，并计算单个热像素所占拖尾像素的灰度值之和，再计算单个热像素信号转移到输出端的转移次数，根据公式计算出单个热像素的电荷转移损失率，以此求出基于单个热像素的电荷耦合器件的单次电荷转移效率。最后计算所求出的N个电荷转移效率的均值，即为在轨电荷耦合器件的电荷转移效率。本发明实时性强，方法简单快速，计算结果准确。
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公开(公告)号：CN115113012B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202210816891.2
申请日：2022-07-12
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种含有长期低剂量率辐照的复合环境试验加速方法，该方法利用温度阶梯辐照识别双极工艺器件的低剂量率损伤增强（ELDRS）效应，并将氢注入作为复合环境地面模拟试验的加速条件，基于辐射损伤因子的表征，对于具有低剂量率损伤增强（ELDRS）倾向的器件进行加速模拟试验，解决高剂量率模拟试验存在的过于低估器件抗辐射性能的问题，对于低剂量率损伤增强（ELDRS‑fre）免疫的器件进行高剂量率/注量率的辐照试验，避免加速模拟试验带来的过于高估器件抗辐射性能的问题，基于氢注入浓度和辐照剂量率的匹配关系，提取加速评估的试验条件，实现双极器件在复合环境下的加速评估，兼顾位移损伤效应和ELDRS效应。本发明所述方法可缩短试验周期、节约成本及提高器件抗辐射性能评估的可靠性。
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公开(公告)号：CN107197236B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201710507516.9
申请日：2017-06-28
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H04N17/00
Abstract: 本发明涉及一种基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法，该方法通过对在轨暗场测试采集到的其中任一幅图进行计算，得到该幅图的背景信号SBG和图像饱和信号Smax，然后统计该幅图中信号灰度值介于2SBG和Smax之间的热像素信号个数，对于单个热像素信号计算其最亮像素的灰度值，统计单个热像素的拖尾信号所占的像素个数，并计算单个热像素所占拖尾像素的灰度值之和，再计算单个热像素信号转移到输出端的转移次数，根据公式计算出单个热像素的电荷转移损失率，以此求出基于单个热像素的电荷耦合器件的单次电荷转移效率。最后计算所求出的N个电荷转移效率的均值，即为在轨电荷耦合器件的电荷转移效率。本发明实时性强，方法简单快速，计算结果准确。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106802427A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201611177450.3
申请日：2016-12-19
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01T1/02 , G05B19/042
CPC classification number: G01T1/026 , G05B19/0428 , G05B2219/2604 , G05B2219/2656
Abstract: 本发明涉及辐射环境探测技术领域，涉及一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法。该探测系统包括探头模块、恒流源模块、数据采集模块和控制模块；所述控制模块输入端与PC机相连，控制模块输出端与恒流源模块、数据采集模块和探头模块相连；所述恒流源模块与探头模块相连；所述数据采集模块的输入端与探头模块相连，数据采集模块的输出端与PC机相连；所述探头模块包括SOI结构的辐照传感器。本发明实现了星用PMOS剂量计的传感器国产化；提高了灵敏度，可用于更低累积剂量的测试；基于此结构的探测器便携、灵活、易用，适用于空间环境监测、半导体元器件电离效应评估及寿命预测。
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公开(公告)号：CN113156302B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110273437.2
申请日：2021-03-09
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/316
Abstract: 本发明公开了一种模拟电路单粒子瞬态效应的测试表征方法，采用SET幅值‑宽度、幅值概率密度及分布、含有触发阈值参数的SET截面三种方法，建立了完整的模拟电路SET表征方法，采用该方法不仅能够描述模拟电路SET的全部特性，而且解决了模拟电路SET阈值不统一的特殊问题。具有SET特性完整、通用性强、可统计量化的特点。
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公开(公告)号：CN117454742A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311157329.4
申请日：2023-09-08
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所 , 中国科学院空间应用工程与技术中心
IPC: G06F30/27 , G06F30/398 , G06F18/2415 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供了一种用于COTS电子系统的辐射效应量化分析方法，所述方法包括：将电子系统原理图转换为概率图表达形式；定义电子系统中元器件的失效状态；针对元器件开展辐照试验获取辐射效应数据；获得辐射效应数据的统计模型参数；基于模拟样本获得元器件失效概率；将元器件失效概率导入电子系统的概率图表达形式；基于概率图表达形式及相应算法求解电子系统边缘概率及最大后验概率状态。本发明的优势在于：在不依赖大量整机样本的情况下，能够基于COTS辐射效应数据和失效依赖关系计算电子系统失效概率；MAP结果为电子系统RH活动的持续改进提供依据。
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公开(公告)号：CN114779035A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210390576.8
申请日：2022-04-14
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法，该方法采用选择GaN功率器件的低频噪声待测参数；确定GaN功率器件低频噪声测试的偏置条件；获得不同温度下待测参数的噪声功率谱密度；提取不同温度下的产生‑复合(G‑R)噪声；获得不同温度下G‑R噪声的峰值频率；基于G‑R噪声峰值中心频率及温度建立Arrhenius方程；基于Arrhenius方程数据的最佳拟合提取Ea步骤完成。本发明所述方法与其他方法相比优势为：低频噪声测试系统由通用分立仪器组成，不需要额外的系统定制，是相对容易实现的测试技术；该测试接口与半导体参数测试系统兼容，与半导体测试系统的软硬件可集成；该方法适用性更强，普遍适用于商用成品器件；噪声功率谱密度为大量噪声信号采样值的统计结果，具有更低的测试误差。
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公开(公告)号：CN105976888B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201610516217.7
申请日：2016-07-04
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及用于元器件电离辐照的X射线辐照方法，该方法涉及辐照装置是由X光管、准直器、限束板、低能散射滤片、电动三维平台、辐照平台、激光指示器、水循环进出口组成，该方法实现了X射线能量、剂量率连续可调、辐照束斑连续可调，且可以去除低能散射对辐照结果的影响，为元器件电离辐照提供较理想的条件。该方法将为元器件电离总剂量辐射效应研究及试验评估提供方便快捷、低成本的电离辐照条件，对提升电子元器件抗辐射加固的基础支撑能力具有重要意义。
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