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公开(公告)号：CN113156302B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110273437.2
申请日：2021-03-09
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/316
Abstract: 本发明公开了一种模拟电路单粒子瞬态效应的测试表征方法，采用SET幅值‑宽度、幅值概率密度及分布、含有触发阈值参数的SET截面三种方法，建立了完整的模拟电路SET表征方法，采用该方法不仅能够描述模拟电路SET的全部特性，而且解决了模拟电路SET阈值不统一的特殊问题。具有SET特性完整、通用性强、可统计量化的特点。
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公开(公告)号：CN117454742A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311157329.4
申请日：2023-09-08
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所 , 中国科学院空间应用工程与技术中心
IPC: G06F30/27 , G06F30/398 , G06F18/2415 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供了一种用于COTS电子系统的辐射效应量化分析方法，所述方法包括：将电子系统原理图转换为概率图表达形式；定义电子系统中元器件的失效状态；针对元器件开展辐照试验获取辐射效应数据；获得辐射效应数据的统计模型参数；基于模拟样本获得元器件失效概率；将元器件失效概率导入电子系统的概率图表达形式；基于概率图表达形式及相应算法求解电子系统边缘概率及最大后验概率状态。本发明的优势在于：在不依赖大量整机样本的情况下，能够基于COTS辐射效应数据和失效依赖关系计算电子系统失效概率；MAP结果为电子系统RH活动的持续改进提供依据。
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公开(公告)号：CN117368678A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311271354.5
申请日：2023-09-28
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种快速鉴别高温辐照环境下碳化硅功率晶体管导通特性的方法。该方法涉及的装置由鼓风干燥箱、样品测试版、转接座、导通测试模块和计算机组成，在辐照过程中通过远程控制器对鼓风干燥箱的温度进行控制，利用计算机中的测试软件，设定的电压测试，得到碳化硅垂直双扩散型晶体管导通特性数据，再经过优化拟合为随温度变化的导通特性曲线；再将鼓风干燥箱、样品测试版放在钴60伽马射线辐照室内，得到高温辐照环境下碳化硅功率晶体管导通特性曲线，对辐照前后测试得到的晶体管导通特性曲线进行比对，快速判断是否会对器件的导通性能产生严重影响。本发明可快速准确地鉴别碳化硅功率晶体管在高温辐照环境下的导通损伤程度，为相关领域的工程师和研究人员提供重要的参考信息。
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公开(公告)号：CN117310428A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311271744.2
申请日：2023-09-28
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种快速鉴别不同温度辐照环境下碳化硅功率晶体管损伤的方法。该方法涉及的装置由鼓风干燥箱、样品测试版、源测量单元模块和计算机组成，在辐照过程中通过远程控制器对鼓风干燥箱的温度进行控制，利用计算机中的扫描软件，设定的电压扫描，得到碳化硅垂直双扩散型晶体管转移特性数据，再经过优化拟合为转移特性曲线；再将所得转移特性曲线进行绝对值限定，得到更为直观的转移特性曲线，然后对转移特性曲线通过对数坐标的算法运算，对辐照前后测试得到的晶体管转移特性曲线进行比对，生成亚阈值区域产生的漂移量，再设定预值的合理范围，超出预值则会根据实验积累的数据快速判断是否会对器件的性能产生严重影响。本发明可快速准确地鉴别碳化硅功率晶体管在高温辐照环境下的损伤程度，为相关领域的工程师和研究人员提供重要的参考信息。
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公开(公告)号：CN110910946B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201911212780.5
申请日：2019-11-30
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种基于三维叠层封装SRAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统，该系统由三维叠层封装SRAM器件，电源模块，单粒子翻转数据分析模块组成，三维叠层封装SRAM器件与单粒子翻转数据分析模块连接，电源模块与三维叠层封装SRAM器件连接，所述三维叠层封装SRAM器件为3层‑10层，三维封装SRAM器件中各层之间需对齐，电源模块对三维叠层封装SRAM器件的各层分别供电，单粒子翻转数据分析模块通过分析三维叠层封装SRAM器件各层翻转存储单元的相对位置，完成单粒子翻转的在轨甄别，该系统能够在轨甄别单粒子翻转，并获取导致单粒子翻转高能粒子的LET及入射角度信息。进而分析电子器件真实的在轨单粒子翻转率，这对于单粒子效应产生机理、评估方法及加固技术研究具有重要的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116735981A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310502367.2
申请日：2023-05-05
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供一种数字集成电路辐射效应原位测试系统及测试方法，用于解决现有的辐射效应原位测试系统无法实现对数字集成电路的性能和功能进行全面测试的技术问题。测试系统包括驱动单元、采集单元及分析单元；采集单元包括SMU测试模块和至少一个数字向量测试模块，SMU测试模块用于为待测数字集成电路供电并采集待测数字集成电路的功耗电流；数字向量测试模块用于为待测数字集成电路输入电信号激励，并采集待测数字集成电路输出的电平信号；分析单元用于接收SMU测试模块和每个数字向量测试模块采集到的信息，并对其进行处理。
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公开(公告)号：CN113484902A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110840125.5
申请日：2021-07-24
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种PMOS剂量计零温度系数测量及抑制方法，该方法首先将辐射剂量传感器放置于高低温环境试验箱内，开展4个不同温度环境下的应力试验，利用半导体参数测试系统对辐射剂量传感器的输出转移特性曲线Ids‑Vgs进行在线测试，获得Ids‑Vgs曲线簇，并提取出辐射剂量传感器的零温度系数电流值Iztc。再利用电子电路基本原理建立恒流源电路模块为辐射剂量传感器提供恒流Iztc，使得PMOS剂量计温度效应受到抑制，从而保证PMOS剂量计辐射剂量的测量精度。该方法可提高用于探测空间电子元器件被辐照后经电离过程中产生的吸收剂量设备PMOS剂量计的测量精度，为航天器的设计、电子元器件及电子设备可靠性应用提供重要数据支撑，实用性强。
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公开(公告)号：CN108037438B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201711329107.0
申请日：2017-12-13
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法，该方法是由试验样品分组及测试参数选择；试验样品的总剂量辐照及退火试验；试验样品的负偏压温度不稳定性测量组成，为了保证试验结果的一致性和准确性，首先将样品分为预辐照组、对比组及两个摸底试验组，在摸底试验的基础上对预辐照组开展确定条件下总剂量辐照和退火试验，再将对比组和预辐照组开展相同条件下的负偏压温度不稳定性试验，对比试验结果，获得总剂量辐照对样品负偏压温度不稳定性的影响。本发明提供的方法能够表征总剂量辐照对P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏压温度不稳定性的影响。
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公开(公告)号：CN104853117B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201510305312.8
申请日：2015-06-06
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于Matlab的图像传感器RTS噪声检测分析系统，该系统使用Matlab读取采集的图像，并转化为像素灰度值的像素信号；对每个像素信号进行白噪声滤波得到像素信号；使用梯度检测法得到像素信号的梯度变化信号；通过阈值算法得到像素梯度信号噪声阈值，然后对梯度信号去噪；统计每个像素的梯度脉冲个数，并输出作为RTS噪声检测结果；对像素梯度信号每两个脉冲之间的信号求均值得到像素RTS噪声的平均暗电流基底；结合RTS噪声的平均暗电流基底和梯度脉冲信号得到重建的RTS噪声信号。该系统适用任意可见光图像传感器，可以自动实现RTS噪声检测和全参数分析，解决了目前RTS噪声检测提取困难，分析困难问题，更加深入的研究图像传感器的各种工艺和辐射产生缺陷。
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公开(公告)号：CN104459372B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201410629535.5
申请日：2014-11-10
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于p‑i‑n结构的位移损伤剂量探测方法，该方法包括筛选p‑i‑n结构的探头，探测器参数调整及确认，在不同放射源下获取探测器响应并标定；根据不同放射源对探头材料的非电离能损NIEL，将探测器响应与不同放射源注量或剂量的关系统一成探测器响应与位移损伤剂量的关系；根据实际探测结果确定损伤增强因子。该方法优势在于其探测的物理量是位移损伤剂量，包含任何能够造成位移损伤效应的粒子；与探测粒子种类、能谱相比，能够直接反映半导体元器件的位移损伤程度；基于此结构的探测器便携、灵活、易用，适用于空间环境监测、半导体元器件位移损伤效应评估及寿命预测。
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