公开(公告)号：CN108037438B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201711329107.0

申请日：2017-12-13

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 崔江维 ,  郑齐文 ,  魏莹 ,  孙静 ,  余学峰 ,  郭旗 ,  陆妩 ,  何承发 ,  任迪远

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法，该方法是由试验样品分组及测试参数选择；试验样品的总剂量辐照及退火试验；试验样品的负偏压温度不稳定性测量组成，为了保证试验结果的一致性和准确性，首先将样品分为预辐照组、对比组及两个摸底试验组，在摸底试验的基础上对预辐照组开展确定条件下总剂量辐照和退火试验，再将对比组和预辐照组开展相同条件下的负偏压温度不稳定性试验，对比试验结果，获得总剂量辐照对样品负偏压温度不稳定性的影响。本发明提供的方法能够表征总剂量辐照对P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏压温度不稳定性的影响。

公开(公告)号：CN108037438A

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201711329107.0

申请日：2017-12-13

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 崔江维 ,  郑齐文 ,  魏莹 ,  孙静 ,  余学峰 ,  郭旗 ,  陆妩 ,  何承发 ,  任迪远

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法，该方法是由试验样品分组及测试参数选择；试验样品的总剂量辐照及退火试验；试验样品的负偏压温度不稳定性测量组成，为了保证试验结果的一致性和准确性，首先将样品分为预辐照组、对比组及两个摸底试验组，在摸底试验的基础上对预辐照组开展确定条件下总剂量辐照和退火试验，再将对比组和预辐照组开展相同条件下的负偏压温度不稳定性试验，对比试验结果，获得总剂量辐照对样品负偏压温度不稳定性的影响。本发明提供的方法能够表征总剂量辐照对P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏压温度不稳定性的影响。

公开(公告)号：CN1296725C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200410094862.1

申请日：2004-11-17

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 郭旗 ,  任迪远

IPC: G01T1/02 ,  G01T1/24

Abstract: 本发明涉及一种对管式差分输出PMOS辐射剂量计，该剂量计包括对管式差分输出PMOS剂量计探头、测量偏置方法、剂量记录读出技术、温度补偿方法和退火效应修正方法；利用双p-沟道金属-氧化物-半导体晶体管pMOSFET构成的对管式差分输出的PMOS剂量测量探头；利用该探头构成的辐射剂量计；该剂量计的测量技术、读出技术；以及该剂量计所采用的温度补偿技术和对pMOSFET辐射响应退火效应的修正技术。

公开(公告)号：CN1605886A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN200410094862.1

申请日：2004-11-17

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 郭旗 ,  任迪远

IPC: G01T1/24 ,  G01T1/02 ,  G01N23/00

Abstract: 本发明涉及一种对管式差分输出PMOS辐射剂量计，该剂量计包括对管式差分输出PMOS剂量计探头、测量偏置方法、剂量记录读出技术、温度补偿方法和退火效应修正方法；利用双p－沟道金属－氧化物－半导体晶体管pMOSFET构成的对管式差分输出的PMOS剂量测量探头；利用该探头构成的辐射剂量计；该剂量计的测量技术、读出技术；以及该剂量计所采用的温度补偿技术和对pMOSFET辐射响应退火效应的修正技术。