公开(公告)号：CN111788465B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201980015944.7

申请日：2019-07-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吴同 ,  南朋秀 ,  宫川正章

IPC: G01K11/324

Abstract: 例示性实施方式所涉及的温度测定传感器具备：基板；及光纤，其设置于基板的上表面并沿着上表面而延伸。温度测定传感器还具备：作为使上表面的上方的空间和基板的下表面的下方的空间连通的空间的光导入路径；及光耦合部，其设置于上表面并配置于光导入路径上。光耦合部与光纤的端面光学地连接。光纤构成第1图案形状及第2图案形状。第1图案形状比第2图案形状更密集地包含光纤。经由光导入路径从下表面侧入射到光耦合部的光经由光耦合部到达端面。

公开(公告)号：CN106463389B

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201580023430.8

申请日：2015-05-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 平山祐介 ,  宫川正章

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/509 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

Abstract: 保护腔室的内部的构件免受等离子体的影响，防止变质以及消耗。等离子体处理方法包括成膜工序、等离子体处理工序、以及去除工序。在成膜工序中，利用含氧气体的流量与含硅气体的流量之比是0.2～1.4的含氧气体以及含硅气体这两者的等离子体在腔室的内部的构件的表面形成氧化硅膜。在氧化硅膜形成于构件的表面后，在等离子体处理工序中利用处理气体的等离子体对输入到腔室的内部的被处理体进行等离子体处理。在将被等离子体处理后的被处理体输出到腔室的外部后，在去除工序中利用含氟气体的等离子体将氧化硅膜从构件的表面去除。

公开(公告)号：CN107850495A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201780002554.7

申请日：2017-04-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 光成正 ,  田中谕志 ,  守屋刚 ,  松田俊也 ,  宫川正章 ,  岩崎贤也

IPC: G01K11/32

Abstract: 本发明提供温度测量用基板以及温度测量系统，温度测量用基板具备：基板，其为半导体晶片或者平板显示器用基板的任一个；和至少一根光纤，其敷设于所述基板的表面，具有第一图案部、和比所述第一图案部更密地形成的第二图案部。

公开(公告)号：CN101162689B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200710194607.8

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 輿石公 ,  田中秀朗 ,  冈山信幸 ,  宫川正章 ,  水上俊介 ,  清水涉 ,  广濑润 ,  若木俊克 ,  三轮智典 ,  大薮淳 ,  林大辅

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00 ,  H05H1/46 ,  C23F4/00

Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。

公开(公告)号：CN101236915A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810003074.5

申请日：2008-01-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宫川正章 ,  西村荣一

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32623

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，其能够充分改良聚焦环和载置台之间的热传导效率。该基板处理装置(10)包括：收纳晶片W的腔室(11)；配置在该腔室(11)内的基座(12)；配置在基座(12)的上部并用于载置晶片W的静电卡盘(22)；和以包围所载置的晶片W的周边部的方式载置在静电卡盘(22)上的聚焦环(24)，通过印刷处理在聚焦环(24)与静电卡盘(22)的接触面(24a)上形成由树脂构成的热传导膜(39)。

公开(公告)号：CN101162689A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710194607.8

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 輿石公 ,  田中秀朗 ,  冈山信幸 ,  宫川正章 ,  水上俊介 ,  清水涉 ,  广濑润 ,  若木俊克 ,  三轮智典 ,  大薮淳 ,  林大辅

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00 ,  H05H1/46 ,  C23F4/00

Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。

公开(公告)号：CN302040889S

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201230082499.7

申请日：2012-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 吉村章弘 ,  宫川正章 ,  佐藤彻治 ,  桑原有生 ,  长久保启一 ,  水上俊介

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：聚焦环；2．本外观设计产品的用途：用于将产生在半导体晶片上的等离子体的分布扩展到位于等离子加工设备的室中的产品附近，其国际外观设计分类号为08-05；3．本外观设计的设计要点：产品的形状；4．最能表明设计要点的图片或者照片：设计1立体图；5.基本设计：设计1；6．设计1－4的后视图分别与设计1－4的主视图相同，故省略设计1－4的后视图；设计1－4的左视图分别与设计1－4的右视图相同，故省略设计1－4的左视图。