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公开(公告)号：CN115485816B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202180032421.0
申请日：2021-04-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/08 , C23C16/44 , H01L21/31
Abstract: 成膜方法包括下述(A)～(B)。(A)向表面包含相邻的凹部和凸部的基板的所述凹部供给液体。(B)向所述基板表面供给使所述液体发生化学变化的处理气体，通过所述处理气体与所述液体的反应使所述液体从所述凹部向所述凸部的顶面移动，来选择性地在所述基板的所述表面中的所述凸部的所述顶面形成膜。
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公开(公告)号：CN120060831A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411651901.7
申请日：2024-11-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供碳系膜的成膜方法和成膜装置，在有选择地在沟槽、孔等图案的顶部形成碳系膜时，抑制碳系膜的悬突的产生，并且提高生产率。在成膜装置中，使晶片(W)的温度至少高于200℃，将仅由乙炔气体、氩气和氢气构成的成膜气体中的氢气的添加率设定为3％以上来执行成膜处理。
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公开(公告)号：CN112513324A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050065.8
申请日：2019-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/318
Abstract: 提供一种成膜装置，该成膜装置具有：处理容器；支承机构，其将基板支承成能够升降；第1气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面供给第1气体；第2气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的背面供给第2气体；以及第3气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面和背面中的至少任一者供给第3气体。
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公开(公告)号：CN108165954B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201711284172.6
申请日：2017-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供控制在作为基片的晶片面内的膜厚分布的技术。在将供给原料气体和作为反应气体的O2气体来形成单分子层的循环反复进行多次，在晶片(W)形成规定膜厚的SiO2膜时，从形成有在晶片(W)的径向上同心圆状地划分成多个而得的、能够彼此独立地排出气体的第一～第三划分区域(Z1～Z3)的气体排出部(4)排出气体。通过原料气体和O2气体的反应来形成SiO2膜，通过改变原料气体的供给量和O2气体的供给量，使SiO2膜的膜厚变化。因此，通过控制成原料气体的供给量和O2气体的供给量在第一～第三划分区域(Z1～Z3)之间彼此不同，能够调整晶片(W)的径向的膜厚，控制膜厚分布。
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公开(公告)号：CN120072639A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411626463.9
申请日：2024-11-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
Abstract: 本公开提供了一种提高蚀刻对象膜的蚀刻形状的技术，包括：(a)提供包含蚀刻对象膜和蚀刻对象膜上的掩模的基板的工序，掩模包含限定至少一个开口的侧壁；(b)使用由含有碳和氢的处理气体生成的等离子体，在掩模上选择性形成含有碳的附加掩模的工序；和(c)使用由蚀刻气体生成的等离子体，对蚀刻对象膜进行蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN115485816A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180032421.0
申请日：2021-04-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/08 , C23C16/44 , H01L21/31
Abstract: 成膜方法包括下述(A)～(B)。(A)向表面包含相邻的凹部和凸部的基板的所述凹部供给液体。(B)向所述基板表面供给使所述液体发生化学变化的处理气体，通过所述处理气体与所述液体的反应使所述液体从所述凹部向所述凸部的顶面移动，来选择性地在所述基板的所述表面中的所述凸部的所述顶面形成膜。
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公开(公告)号：CN112513324B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201980050065.8
申请日：2019-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/318
Abstract: 提供一种成膜装置，该成膜装置具有：处理容器；支承机构，其将基板支承成能够升降；第1气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面供给第1气体；第2气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的背面供给第2气体；以及第3气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面和背面中的至少任一者供给第3气体。
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公开(公告)号：CN108165954A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711284172.6
申请日：2017-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供控制在作为基片的晶片面内的膜厚分布的技术。在将供给原料气体和作为反应气体的O2气体来形成单分子层的循环反复进行多次，在晶片(W)形成规定膜厚的SiO2膜时，从形成有在晶片(W)的径向上同心圆状地划分成多个而得的、能够彼此独立地排出气体的第一～第三划分区域(Z1～Z3)的气体排出部(4)排出气体。通过原料气体和O2气体的反应来形成SiO2膜，通过改变原料气体的供给量和O2气体的供给量，使SiO2膜的膜厚变化。因此，通过控制成原料气体的供给量和O2气体的供给量在第一～第三划分区域(Z1～Z3)之间彼此不同，能够调整晶片(W)的径向的膜厚，控制膜厚分布。
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