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公开(公告)号：CN113169068B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201980080907.4
申请日：2019-12-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/314 , C23C16/26
Abstract: 在层叠于被蚀刻膜上的碳硬掩模的一个实施方式中，碳硬掩模中所含的亚甲基CH2和甲基CH3的浓度比满足下述式。CH2/(CH2+CH3)≥0.5。
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公开(公告)号：CN101667533A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910173200.6
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。在阴极耦合方式中，尽可能防止在阳极侧的电极上附加沉积膜而对后续工序造成影响，并尽量提高处理的均匀性。将被处理基板(W)载置在下部电极的基座(16)上，并由高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。将在基座(16)的上方与它平行相对配置的上部电极(34)经由环状的绝缘体(35)在电气浮起的状态下安装在腔室(10内。在上部电极(34)的上面和腔室(10)的顶棚之间的空间(50)中设置电容可变的可变电容器(86)。根据处理条件由电容控制部(85)改变可变电容器(86)的电容，对上部电极(34)的接地电容进行切换。
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公开(公告)号：CN118460988A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410128731.8
申请日：2024-01-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/50 , C23C16/52 , C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/44 , G01B11/06 , G01B21/08
Abstract: 本发明提供能够高效率并且高精度地测量基片的膜厚的基片处理系统和膜厚测量方法。基片处理系统包括：基片支承部，其用于支承基片的外缘部，基片具有第一面和作为该第一面的相反面的第二面；处理容器，其用于收纳基片和基片支承部，来对基片进行基片处理；基片输送部，其用于输送进行了基片处理的基片。另外，基片处理系统包括：测量部，其设置在基片输送部输送基片的输送路径，用于测量与层叠在第二面上的膜的膜厚相关的指标；和膜厚推算部，其基于测量出的与第二面的膜的膜厚相关的指标来计算第二面的膜的膜厚，并基于计算出的第二面的膜的膜厚来计算层叠在第一面上的膜的膜厚。
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公开(公告)号：CN101667534A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910176201.6
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。在阴极耦合方式中，尽可能防止在阳极侧的电极上附加沉积膜而对后续工序造成影响，并尽量提高处理的均匀性。将被处理基板(W)载置在下部电极的基座(16)上，并由高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。将在基座(16)的上方与它平行相对配置的上部电极(34)经由环状的绝缘体(35)在电气浮起的状态下安装在腔室(10内。在上部电极(34)的上面和腔室(10)的顶棚之间的空间(50)中设置电容可变的可变电容器(86)。根据处理条件由电容控制部(85)改变可变电容器(86)的电容，对上部电极(34)的接地电容进行切换。
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公开(公告)号：CN100477103C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610008360.1
申请日：2006-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3063 , H01L21/3213 , H01L21/00 , C23F4/00
CPC classification number: C23F1/12 , H01L21/02071 , H01L21/67017 , H01L21/67109 , H01L21/67775
Abstract: 本发明提供一种大气输送室，使得在能够防止由被处理体制造的半导体器件降低质量的同时，还能够提高被处理体处理装置的开工率。输送进行了蚀刻处理的晶片W的加载模块(13)，包括了在其内部配置在上侧的FFU(34)，FFU(34)由风扇单元(37)、加热单元(38)、除湿装置(39)和除尘单元(40)组成，风扇单元(37)的内部装有向下侧送出大气的风扇，除湿装置(39)的内部装有对风扇单元(37)送出的大气进行除湿的干燥过滤器(55)，除尘单元(40)的内部装有将通过除湿装置(39)的大气中的粉尘收集的过滤器，由此FFU(34)将导入加载模块(13)内部上侧的大气进行加热、除湿和除尘，供给到加载模块(13)内部的下侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101047113A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710091349.0
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/311 , H01L21/31 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/513 , C23F4/00 , H01J37/32 , H01J37/00 , H05H1/00 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够使通过电容耦合型的高频放电生成的等离子体密度的空间分布均匀化，并能够对其进行任意控制，提高等离子体的面内均匀性。本发明的等离子体处理装置，下部电极的基座(16)载置被处理基板(W)，通过高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。在基座(16)上方，与其平行的相对配置有上部电极(34)，隔着环状的绝缘体(35)以电浮起的状态安装在腔室(10)上。上部电极(34)的上面与腔室(10)的顶面之间设置有规定的间隔尺寸，其缝隙的一部分或全部形成真空空间(50)。该真空空间(50)的内壁的全部或一部分由片状的绝缘体(52)覆盖。
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公开(公告)号：CN115080918A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210202235.3
申请日：2022-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种统计方法和处理装置。统计方法包括：获取日志信息的步骤，所述日志信息包含由处理基片的处理装置所具有的传感器测量出的、所述处理装置使用了的资源消耗的测量值和测量日期时间；将获取到的所述日志信息中包含的所述资源消耗的测量值和所述测量日期时间保存在存储部中的步骤；和参照所述存储部，对指定的统计期间中的所述测量日期时间所对应的所述资源消耗的测量值进行累计，计算每个所述处理装置的所述资源消耗的累计值的步骤。根据本发明，能够使每个处理装置所使用的消耗能量可视化。
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公开(公告)号：CN112513324A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050065.8
申请日：2019-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/318
Abstract: 提供一种成膜装置，该成膜装置具有：处理容器；支承机构，其将基板支承成能够升降；第1气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面供给第1气体；第2气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的背面供给第2气体；以及第3气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面和背面中的至少任一者供给第3气体。
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公开(公告)号：CN101661863B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200910175087.5
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32091 , H01J37/32165
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。根据本发明，在双频重叠施加方式的电容结合型中，充分地防止和控制在另外一方的相对电极上形成的不期望的膜，同时任意地控制等离子体的密度的空间的分布特性。在下部电极的基座(16)上载置被处理基板(W)，从高频电源(30)施加等离子体生成用的第一高频，施加来自高频电源(70)的离子引入用的第二高频。在基座(16)的上方与其平行地相对地配置的上部电极(34)通过环状的绝缘体(35)安装在腔室(10)内。上部电极(34)通过棒状的电感器(54)以及导线(56)连接到接地电位(通常是到腔室10中)。
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