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公开(公告)号：CN106605292B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201580048051.4
申请日：2015-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/42 , C23C16/44 , C23C16/50 , H01L21/205 , H05H1/46
Abstract: 相对于等离子体保护腔室的内部的构件，防止变质和消耗。等离子体处理方法包括成膜工序、等离子体处理工序以及去除工序。在成膜工序中，利用含硅气体和还原性气体这两者的等离子体，在腔室的内部的构件的表面形成含硅膜。在等离子体处理工序中，在含硅膜形成于构件的表面之后，利用处理气体的等离子体对输入到腔室的内部的被处理体进行等离子体处理。在去除工序中，在等离子体处理后的被处理体输出到腔室的外部之后，利用含氟气体的等离子体从构件的表面去除含硅膜。
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公开(公告)号：CN106463389B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201580023430.8
申请日：2015-05-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/509 , H01L21/205 , H05H1/46
Abstract: 保护腔室的内部的构件免受等离子体的影响，防止变质以及消耗。等离子体处理方法包括成膜工序、等离子体处理工序、以及去除工序。在成膜工序中，利用含氧气体的流量与含硅气体的流量之比是0.2～1.4的含氧气体以及含硅气体这两者的等离子体在腔室的内部的构件的表面形成氧化硅膜。在氧化硅膜形成于构件的表面后，在等离子体处理工序中利用处理气体的等离子体对输入到腔室的内部的被处理体进行等离子体处理。在将被等离子体处理后的被处理体输出到腔室的外部后，在去除工序中利用含氟气体的等离子体将氧化硅膜从构件的表面去除。
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公开(公告)号：CN103155115B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201180012663.X
申请日：2011-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/31138 , H01L21/76831 , H01L21/76898 , H01L23/485 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，其能够使孔形状为垂直来实现微细化，并且与现有技术相比能够减少工序，能够实现生产率的提高。该半导体装置的制造方法具备：在基板形成孔的孔形成工序；在上述孔内形成聚酰亚胺膜的聚酰亚胺膜形成工序；等离子体蚀刻工序，不使用覆盖上述孔内的侧壁部的上述聚酰亚胺膜的掩膜，对基板进行各向异性蚀刻，在残留有上述孔内的侧壁部的上述聚酰亚胺膜的状态下，除去上述孔内的底部的上述聚酰亚胺膜的至少一部分，使上述孔贯穿；和对上述孔内填充导电金属的导电金属填充工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106605292A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201580048051.4
申请日：2015-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/42 , C23C16/44 , C23C16/50 , H01L21/205 , H05H1/46
Abstract: 相对于等离子体保护腔室的内部的构件，防止变质和消耗。等离子体处理方法包括成膜工序、等离子体处理工序以及去除工序。在成膜工序中，利用含硅气体和还原性气体这两者的等离子体，在腔室的内部的构件的表面形成含硅膜。在等离子体处理工序中，在含硅膜形成于构件的表面之后，利用处理气体的等离子体对输入到腔室的内部的被处理体进行等离子体处理。在去除工序中，在等离子体处理后的被处理体输出到腔室的外部之后，利用含氟气体的等离子体从构件的表面去除含硅膜。
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公开(公告)号：CN106463389A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580023430.8
申请日：2015-05-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/509 , H01L21/205 , H05H1/46
Abstract: 保护腔室的内部的构件免受等离子体的影响，防止变质以及消耗。等离子体处理方法包括成膜工序、等离子体处理工序、以及去除工序。在成膜工序中，利用含氧气体的流量与含硅气体的流量之比是0.2～1.4的含氧气体以及含硅气体这两者的等离子体在腔室的内部的构件的表面形成氧化硅膜。在氧化硅膜形成于构件的表面后，在等离子体处理工序中利用处理气体的等离子体对输入到腔室的内部的被处理体进行等离子体处理。在将被等离子体处理后的被处理体输出到腔室的外部后，在去除工序中利用含氟气体的等离子体将氧化硅膜从构件的表面去除。
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公开(公告)号：CN103155115A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180012663.X
申请日：2011-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/31138 , H01L21/76831 , H01L21/76898 , H01L23/485 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，其能够使孔形状为垂直来实现微细化，并且与现有技术相比能够减少工序，能够实现生产率的提高。该半导体装置的制造方法具备：在基板形成孔的孔形成工序；在上述孔内形成聚酰亚胺膜的聚酰亚胺膜形成工序；等离子体蚀刻工序，不使用覆盖上述孔内的侧壁部的上述聚酰亚胺膜的掩膜，对基板进行各向异性蚀刻，在残留有上述孔内的侧壁部的上述聚酰亚胺膜的状态下，除去上述孔内的底部的上述聚酰亚胺膜的至少一部分，使上述孔贯穿；和对上述孔内填充导电金属的导电金属填充工序。
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公开(公告)号：CN101521158B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200910118358.3
申请日：2009-02-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/3086
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法以及等离子体蚀刻装置，能够抑制底切现象的发生并且与现有技术相比能够高速地对单晶硅进行蚀刻。该等离子体蚀刻方法利用处理气体的等离子体，通过形成于单晶硅层(101)的上部的、被图案化为规定图案的光致抗蚀剂层(102)，对该单晶硅层(101)进行蚀刻，在进行单晶硅层(101)的蚀刻的等离子体蚀刻工序之前，使用含有碳的气体例如CF类气体的等离子体，进行在光致抗蚀剂层(102)的侧壁部形成保护膜(103)的保护膜形成工序。
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公开(公告)号：CN101521158A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910118358.3
申请日：2009-02-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/3086
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法以及等离子体蚀刻装置，能够抑制底切现象的发生并且与现有技术相比能够高速地对单晶硅进行蚀刻。该等离子体蚀刻方法利用处理气体的等离子体，通过形成于单晶硅层(101)的上部的、被图案化为规定图案的光致抗蚀剂层(102)，对该单晶硅层(101)进行蚀刻，在进行单晶硅层(101)的蚀刻的等离子体蚀刻工序之前，使用含有碳的气体例如CF类气体的等离子体，进行在光致抗蚀剂层(102)的侧壁部形成保护膜(103)的保护膜形成工序。
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