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公开(公告)号：CN105742150A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610214055.1
申请日：2011-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32568
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。基板处理装置能够抑制在移动电极与筒状容器的一个端壁之间的空间里产生等离子体。基板处理装置(10)包括：用于收容晶圆(W)的筒状的腔室(11)、在该腔室(11)内沿腔室(11)的中心轴线移动自如的喷头(23)、在腔室(11)内与喷头(23)相对的基座(12)、用于将喷头(23)和腔室(11)的盖(14)连接起来的伸缩自如的波纹管(31)，向位于喷头(23)和基座(12)之间的处理空间(PS)施加高频电力并且导入处理气体，喷头(23)与腔室(11)的侧壁(13)不接触，并配设有将喷头(23)与腔室(11)的盖(14)或者侧壁(13)电连接的分流构件(35)。
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公开(公告)号：CN105355585B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201510896410.3
申请日：2010-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 提供一种基板处理装置的基板载置台，不会伴随有部件个数和组装工时的增加，可防止因等离子体进入而引起的粘接剂层的消耗和基部表面中的电弧放电(异常放电)造成的损伤。该基板载置台包括圆板状的基部(41)；由粘接剂层(42)粘接于基部(41)的上部平面的用于载置晶片(W)的圆板状的静电卡盘(23)；和配置在静电卡盘(23)的周围，包围晶片(W)，并覆盖基部(41)的上部平面(41b)的外周部的圆环状的聚焦环(25)，静电卡盘(23)呈现具有上部圆板部(23b)与直径比该上部圆板部(23b)大的下部圆板部(23a)的两阶结构，下部圆板部(23a)嵌合在基部(41)的凹部(41a)中，并通过粘接剂层(42)被粘接在凹部(41)的底部平面上，嵌合部由聚焦环(25)覆盖。
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公开(公告)号：CN105355585A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510896410.3
申请日：2010-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 提供一种基板处理装置的基板载置台，不会伴随有部件个数和组装工时的增加，可防止因等离子体进入而引起的粘接剂层的消耗和基部表面中的电弧放电(异常放电)造成的损伤。该基板载置台包括圆板状的基部(41)；由粘接剂层(42)粘接于基部(41)的上部平面的用于载置晶片(W)的圆板状的静电卡盘(23)；和配置在静电卡盘(23)的周围，包围晶片(W)，并覆盖基部(41)的上部平面(41b)的外周部的圆环状的聚焦环(25)，静电卡盘(23)呈现具有上部圆板部(23b)与直径比该上部圆板部(23b)大的下部圆板部(23a)的两阶结构，下部圆板部(23a)嵌合在基部(41)的凹部(41a)中，并通过粘接剂层(42)被粘接在凹部(41)的底部平面上，嵌合部由聚焦环(25)覆盖。
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公开(公告)号：CN112992642A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011416602.7
申请日：2020-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够降低用于等离子体处理的边缘环的更换频率并且抑制传热气体的泄漏的边缘环和基片处理装置。边缘环具有环状的第一部件和环状的第二部件，第一部件在下表面具有凹部并且由具有耐等离子性的第一材料形成，第二部件配置在第一部件的凹部并且由与第一材料相比刚性低的第二材料形成。
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公开(公告)号：CN102254777A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110076088.1
申请日：2011-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32568
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置能够抑制在移动电极与筒状容器的一个端壁之间的空间里产生等离子体。基板处理装置(10)包括：用于收容晶圆(W)的筒状的腔室(11)、在该腔室(11)内沿腔室(11)的中心轴线移动自如的喷头(23)、在腔室(11)内与喷头(23)相对的基座(12)、用于将喷头(23)和腔室(11)的盖(14)连接起来的伸缩自如的波纹管(31)，向位于喷头(23)和基座(12)之间的处理空间(PS)施加高频电力并且导入处理气体，喷头(23)与腔室(11)的侧壁(13)不接触，并配设有将喷头(23)与腔室(11)的盖(14)或者侧壁(13)电连接的分流构件(35)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102110632A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010582558.7
申请日：2010-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6831
Abstract: 提供一种基板处理装置的基板载置台，不会伴随有部件个数和组装工时的增加，可防止因等离子体进入而引起的粘接剂层的消耗和基部表面中的电弧放电(异常放电)造成的损伤。该基板载置台包括圆板状的基部(41)；由粘接剂层(42)粘接于基部(41)的上部平面的用于载置晶片(W)的圆板状的静电卡盘(23)；和配置在静电卡盘(23)的周围，包围晶片(W)，并覆盖基部(41)的上部平面(41b)的外周部的圆环状的聚焦环(25)，静电卡盘(23)呈现具有上部圆板部(23b)与直径比该上部圆板部(23b)大的下部圆板部(23a)的两阶结构，下部圆板部(23a)嵌合在基部(41)的凹部(41a)中，并通过粘接剂层(42)被粘接在凹部(41)的底部平面上，嵌合部由聚焦环(25)覆盖。
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公开(公告)号：CN101515540A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910005650.4
申请日：2009-02-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32633 , H01J37/32449 , H01J37/32623
Abstract: 本发明提供在防止等离子体泄漏的基础上能够改善挡板的流导的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：被处理基板(W)被搬入和搬出的处理容器(1)；设置在处理容器(1)内并载置被处理基板(W)的载置台(2)；向处理容器(1)内导入处理气体的流入口(17a)；激励处理容器(1)内的处理气体而产生等离子体的高频电源(13)；对处理容器(1)内的处理气体进行排气的排气口(8)；和具有处理气体通过的开口、并且将处理容器(1)的内部划分为等离子体处理空间(1b)和排气空间(1c)的挡板(7)。挡板(7)的开口仅由将多个缝隙连接起来的一个缝隙(26)构成。通过将多个缝隙连接起来而成为一个缝隙(26)，即使在开口面积相同的情况下也能够改善挡板(7)的流导。
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公开(公告)号：CN116895512A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310351671.1
申请日：2023-04-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基片支承部；挡板结构体，其包括上侧挡板和下侧挡板，上侧挡板具有多个第一开口，多个第一开口各自具有第一宽度，下侧挡板具有多个第二开口，多个第二开口各自具有上侧开口部分和下侧开口部分，上侧开口部分具有比第一宽度大的第二宽度，下侧开口部分具有比第一宽度小的第三宽度；和衬套结构体，其包括内侧圆筒状衬套和外侧圆筒状衬套，内侧圆筒状衬套具有多个第三开口，多个第三开口各自具有第四宽度，外侧圆筒状衬套具有多个第四开口，多个第四开口各自具有内侧开口部分和外侧开口部分，内侧开口部分具有比第四宽度大的第五宽度，外侧开口部分具有比第四宽度小的第六宽度。
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公开(公告)号：CN101515540B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910005650.4
申请日：2009-02-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32633 , H01J37/32449 , H01J37/32623
Abstract: 本发明提供在防止等离子体泄漏的基础上能够改善挡板的流导的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：被处理基板(W)被搬入和搬出的处理容器(1)；设置在处理容器(1)内并载置被处理基板(W)的载置台(2)；向处理容器(1)内导入处理气体的流入口(17a)；激励处理容器(1)内的处理气体而产生等离子体的高频电源(13)；对处理容器(1)内的处理气体进行排气的排气口(8)；和具有处理气体通过的开口、并且将处理容器(1)的内部划分为等离子体处理空间(1b)和排气空间(1c)的挡板(7)。挡板(7)的开口仅由将多个缝隙连接起来的一个缝隙(26)构成。通过将多个缝隙连接起来而成为一个缝隙(26)，即使在开口面积相同的情况下也能够改善挡板(7)的流导。
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公开(公告)号：CN302040889S
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201230082499.7
申请日：2012-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 1．本外观设计产品的名称：聚焦环；2．本外观设计产品的用途：用于将产生在半导体晶片上的等离子体的分布扩展到位于等离子加工设备的室中的产品附近，其国际外观设计分类号为08-05；3．本外观设计的设计要点：产品的形状；4．最能表明设计要点的图片或者照片：设计1立体图；5.基本设计：设计1；6．设计1－4的后视图分别与设计1－4的主视图相同，故省略设计1－4的后视图；设计1－4的左视图分别与设计1－4的右视图相同，故省略设计1－4的左视图。
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