公开(公告)号：CN101515540B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200910005650.4

申请日：2009-02-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤彻治 ,  吉村章弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32633 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623

Abstract: 本发明提供在防止等离子体泄漏的基础上能够改善挡板的流导的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：被处理基板(W)被搬入和搬出的处理容器(1)；设置在处理容器(1)内并载置被处理基板(W)的载置台(2)；向处理容器(1)内导入处理气体的流入口(17a)；激励处理容器(1)内的处理气体而产生等离子体的高频电源(13)；对处理容器(1)内的处理气体进行排气的排气口(8)；和具有处理气体通过的开口、并且将处理容器(1)的内部划分为等离子体处理空间(1b)和排气空间(1c)的挡板(7)。挡板(7)的开口仅由将多个缝隙连接起来的一个缝隙(26)构成。通过将多个缝隙连接起来而成为一个缝隙(26)，即使在开口面积相同的情况下也能够改善挡板(7)的流导。

公开(公告)号：CN102254777A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110076088.1

申请日：2011-03-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉村章弘 ,  佐藤彻治 ,  堀口将人 ,  和田畅弘 ,  小林真 ,  辻本宏 ,  田村纯 ,  直井护

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32568

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置能够抑制在移动电极与筒状容器的一个端壁之间的空间里产生等离子体。基板处理装置(10)包括：用于收容晶圆(W)的筒状的腔室(11)、在该腔室(11)内沿腔室(11)的中心轴线移动自如的喷头(23)、在腔室(11)内与喷头(23)相对的基座(12)、用于将喷头(23)和腔室(11)的盖(14)连接起来的伸缩自如的波纹管(31)，向位于喷头(23)和基座(12)之间的处理空间(PS)施加高频电力并且导入处理气体，喷头(23)与腔室(11)的侧壁(13)不接触，并配设有将喷头(23)与腔室(11)的盖(14)或者侧壁(13)电连接的分流构件(35)。

公开(公告)号：CN102110632A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010582558.7

申请日：2010-11-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤彻治 ,  北泽贵 ,  吉村章弘

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/6831

Abstract: 提供一种基板处理装置的基板载置台，不会伴随有部件个数和组装工时的增加，可防止因等离子体进入而引起的粘接剂层的消耗和基部表面中的电弧放电(异常放电)造成的损伤。该基板载置台包括圆板状的基部(41)；由粘接剂层(42)粘接于基部(41)的上部平面的用于载置晶片(W)的圆板状的静电卡盘(23)；和配置在静电卡盘(23)的周围，包围晶片(W)，并覆盖基部(41)的上部平面(41b)的外周部的圆环状的聚焦环(25)，静电卡盘(23)呈现具有上部圆板部(23b)与直径比该上部圆板部(23b)大的下部圆板部(23a)的两阶结构，下部圆板部(23a)嵌合在基部(41)的凹部(41a)中，并通过粘接剂层(42)被粘接在凹部(41)的底部平面上，嵌合部由聚焦环(25)覆盖。

公开(公告)号：CN101515540A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910005650.4

申请日：2009-02-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤彻治 ,  吉村章弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32633 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623

Abstract: 本发明提供在防止等离子体泄漏的基础上能够改善挡板的流导的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：被处理基板(W)被搬入和搬出的处理容器(1)；设置在处理容器(1)内并载置被处理基板(W)的载置台(2)；向处理容器(1)内导入处理气体的流入口(17a)；激励处理容器(1)内的处理气体而产生等离子体的高频电源(13)；对处理容器(1)内的处理气体进行排气的排气口(8)；和具有处理气体通过的开口、并且将处理容器(1)的内部划分为等离子体处理空间(1b)和排气空间(1c)的挡板(7)。挡板(7)的开口仅由将多个缝隙连接起来的一个缝隙(26)构成。通过将多个缝隙连接起来而成为一个缝隙(26)，即使在开口面积相同的情况下也能够改善挡板(7)的流导。

公开(公告)号：CN105742150A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610214055.1

申请日：2011-03-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉村章弘 ,  佐藤彻治 ,  堀口将人 ,  和田畅弘 ,  小林真 ,  辻本宏 ,  田村纯 ,  直井护

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32568

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。基板处理装置能够抑制在移动电极与筒状容器的一个端壁之间的空间里产生等离子体。基板处理装置(10)包括：用于收容晶圆(W)的筒状的腔室(11)、在该腔室(11)内沿腔室(11)的中心轴线移动自如的喷头(23)、在腔室(11)内与喷头(23)相对的基座(12)、用于将喷头(23)和腔室(11)的盖(14)连接起来的伸缩自如的波纹管(31)，向位于喷头(23)和基座(12)之间的处理空间(PS)施加高频电力并且导入处理气体，喷头(23)与腔室(11)的侧壁(13)不接触，并配设有将喷头(23)与腔室(11)的盖(14)或者侧壁(13)电连接的分流构件(35)。

公开(公告)号：CN115116893A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210229166.5

申请日：2022-03-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三枝裕司 ,  半田达也 ,  笹原丽红 ,  旭健史郎 ,  西村和晃 ,  吉村章弘 ,  古泽正树

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及气体处理装置。提供一种能够在使用含氟气体和碱性气体的气体处理时抑制由于微粒而在基板产生缺陷的气体处理装置。对基板实施气体处理的气体处理装置具有：腔室，其收容基板；气体供给机构，其将含氟气体和碱性气体独立地供给；以及气体导入构件，其使自气体供给机构供给来的含氟气体与碱性气体合流，并将含氟气体与碱性气体混合而成的混合气体向腔室导入，气体导入构件的包含含氟气体与碱性气体的合流部位的部分由铝类材料构成，至少在包含合流部位的部分形成有树脂涂层。

公开(公告)号：CN105355585B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201510896410.3

申请日：2010-11-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤彻治 ,  北泽贵 ,  吉村章弘

IPC: H01L21/683

Abstract: 提供一种基板处理装置的基板载置台，不会伴随有部件个数和组装工时的增加，可防止因等离子体进入而引起的粘接剂层的消耗和基部表面中的电弧放电(异常放电)造成的损伤。该基板载置台包括圆板状的基部(41)；由粘接剂层(42)粘接于基部(41)的上部平面的用于载置晶片(W)的圆板状的静电卡盘(23)；和配置在静电卡盘(23)的周围，包围晶片(W)，并覆盖基部(41)的上部平面(41b)的外周部的圆环状的聚焦环(25)，静电卡盘(23)呈现具有上部圆板部(23b)与直径比该上部圆板部(23b)大的下部圆板部(23a)的两阶结构，下部圆板部(23a)嵌合在基部(41)的凹部(41a)中，并通过粘接剂层(42)被粘接在凹部(41)的底部平面上，嵌合部由聚焦环(25)覆盖。

公开(公告)号：CN105355585A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510896410.3

申请日：2010-11-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤彻治 ,  北泽贵 ,  吉村章弘

IPC: H01L21/683

Abstract: 提供一种基板处理装置的基板载置台，不会伴随有部件个数和组装工时的增加，可防止因等离子体进入而引起的粘接剂层的消耗和基部表面中的电弧放电(异常放电)造成的损伤。该基板载置台包括圆板状的基部(41)；由粘接剂层(42)粘接于基部(41)的上部平面的用于载置晶片(W)的圆板状的静电卡盘(23)；和配置在静电卡盘(23)的周围，包围晶片(W)，并覆盖基部(41)的上部平面(41b)的外周部的圆环状的聚焦环(25)，静电卡盘(23)呈现具有上部圆板部(23b)与直径比该上部圆板部(23b)大的下部圆板部(23a)的两阶结构，下部圆板部(23a)嵌合在基部(41)的凹部(41a)中，并通过粘接剂层(42)被粘接在凹部(41)的底部平面上，嵌合部由聚焦环(25)覆盖。

公开(公告)号：CN302040889S

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201230082499.7

申请日：2012-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 吉村章弘 ,  宫川正章 ,  佐藤彻治 ,  桑原有生 ,  长久保启一 ,  水上俊介

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：聚焦环；2．本外观设计产品的用途：用于将产生在半导体晶片上的等离子体的分布扩展到位于等离子加工设备的室中的产品附近，其国际外观设计分类号为08-05；3．本外观设计的设计要点：产品的形状；4．最能表明设计要点的图片或者照片：设计1立体图；5.基本设计：设计1；6．设计1－4的后视图分别与设计1－4的主视图相同，故省略设计1－4的后视图；设计1－4的左视图分别与设计1－4的右视图相同，故省略设计1－4的左视图。