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公开(公告)号：CN111430266B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202010009300.1
申请日：2020-01-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板处理方法及基板处理装置。本发明的课题是提供能够改善针对多种材料暴露的基板的表面处理的选择性的技术。基于本公开的基板处理方法包括维持工序、供给工序、表面处理工序和去除工序。在维持工序中，将表面上暴露有金属即第一材料与第一材料以外的材料即第二材料的基板的至少表面所接触的气氛维持在脱氧气氛。在供给工序中，在利用维持工序维持在脱氧气氛的状态下，对基板的表面供给针对第一材料及第二材料中的第一材料选择性地形成膜的膜形成材料。在表面处理工序中，在通过供给工序在第一材料的表面形成了膜的状态下，进行第二材料的表面处理。在去除工序中，在表面处理工序后，从第一材料的表面去除膜。
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公开(公告)号：CN111630639A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201980008546.2
申请日：2019-01-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 实施方式的基板处理方法包括保持工序和供给工序。保持工序保持基板。供给工序将蚀刻液供给至保持工序中所保持的基板，所述蚀刻液含有：对在基板上露出的金属系的第1材料和硅系的第2材料进行蚀刻的蚀刻剂、以及第1材料和第2材料中、与第2材料反应而在第2材料的表面形成保护层的保护剂，蚀刻剂为含有氟原子和有机溶剂、且实质上不含水分的液体，保护层保护第2材料免受由蚀刻剂带来的蚀刻。
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公开(公告)号：CN100479107C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200580007876.8
申请日：2005-03-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B05B7/04 , B08B3/02
CPC classification number: H01L21/67051 , B01F3/04049 , B05B7/0433 , B08B3/02 , Y10S134/902
Abstract: 本发明的目的在于，在内部混合气体和液体并将液滴与气体一起喷射而清洗基板的基板清洗用双流体喷嘴中，使液滴的粒径和速度均匀化。在基板清洗用双流体喷嘴中，具有：供给气体的气体供给通路、供给液体的液体供给通路、和将内部形成的液滴导出的导出通路，在上述导出通路的末端形成有用于向外部喷射液滴的喷射口，上述喷射口的截面积Sb形成得比上述导出通路的截面积Sa小，并且，上述气体供给通路的出口的截面积Sc形成得比上述导出通路的截面积Sa小。
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公开(公告)号：CN111293065B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201911256495.3
申请日：2019-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 关口贤治
IPC: H01L21/677 , H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供基板处理装置以及基板处理方法。提供能够提高基板处理的面内均匀性的技术。本公开的基板处理装置具备载置部、供给部、阻挡部以及移动机构。载置部载置基板。供给部对载置于载置部的基板供给处理液。阻挡部包围载置于载置部的基板，阻止供给至基板的处理液自基板流出。移动机构对阻挡部的高度进行变更。
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公开(公告)号：CN113169062A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980077095.8
申请日：2019-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种基板清洗方法，包括：在处理容器的内部布置基板的工序；从布置在所述处理容器的内部的气体喷嘴的喷射口喷射气体的工序；使通过来自所述气体喷嘴的气体的喷射而产生的垂直冲击波与所述基板的主表面碰撞的工序；以及通过使所述垂直冲击波与所述基板的所述主表面碰撞，从而将附着在所述基板的所述主表面上的颗粒去除的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111293065A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201911256495.3
申请日：2019-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 关口贤治
IPC: H01L21/677 , H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供基板处理装置以及基板处理方法。提供能够提高基板处理的面内均匀性的技术。本公开的基板处理装置具备载置部、供给部、阻挡部以及移动机构。载置部载置基板。供给部对载置于载置部的基板供给处理液。阻挡部包围载置于载置部的基板，阻止供给至基板的处理液自基板流出。移动机构对阻挡部的高度进行变更。
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公开(公告)号：CN110491770A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910402577.8
申请日：2019-05-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置，能够抑制在基板的表面残留微粒。在基于本发明的基板处理方法中，在基板的表面形成保护液的液膜，使用超临界流体使基板干燥，并从基板的表面去除保护液。在使基板干燥之后，去除残留于基板的表面的微粒。
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公开(公告)号：CN107437517A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710375222.5
申请日：2017-05-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/04 , B08B7/0014 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/67028 , H01L21/67017
Abstract: 提供一种基板清洗方法、基板清洗系统以及存储介质。不会对由与水发生反应而发生溶解或腐蚀的材料形成的基板的表面产生影响地将附着于基板的异物去除。实施方式所涉及的基板清洗方法包括以下工序：成膜处理液供给工序，向基板供给含有挥发成分且用于在基板上形成膜的成膜处理液；剥离处理液供给工序，对成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上发生固化或硬化所形成的处理膜供给使处理膜从基板剥离的剥离处理液；以及溶解处理液供给工序，在剥离处理液供给工序之后，对处理膜供给使处理膜溶解的溶解处理液。在此，成膜处理液含有极性有机物，剥离处理液是不含水分的非极性溶剂，溶解处理液是不含水分的极性溶剂。
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公开(公告)号：CN100501931C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200580012831.X
申请日：2005-04-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/02 , B08B5/02 , G02F1/13 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , G02F2001/1316 , H01L21/67028 , Y10S134/902
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗装置、计算机程序和存储介质，在对晶片实施使用清洗液喷嘴的清洗处理和使用侧漂洗喷嘴的漂洗处理之后的干燥处理中，使晶片旋转，从而开始从纯水喷嘴向晶片的中心点供给纯水，实质上与此同时，开始从气体喷嘴在晶片的中心部中向离开晶片的中心适当长度的点喷射氮气。然后一边使纯水喷嘴朝向晶片的周缘扫描，一边使气体喷嘴在通过晶片的中心后，在比纯水喷嘴的位置更靠径向内侧的区域朝向晶片的周缘扫描。
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公开(公告)号：CN118696404A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202280089335.8
申请日：2022-01-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677
Abstract: 基板处理装置具备基板清洗部、芯片清洗部、芯片贴合部、搬送区域、第一基板搬送臂以及第一框架搬送臂。所述基板清洗部对基板进行清洗。所述芯片清洗部在多个芯片借助带安装于框架的状态下对多个所述芯片进行清洗。所述芯片贴合部对所述基板的主面的不同的贴合区域贴合多个所述芯片。所述搬送区域与所述基板清洗部、所述芯片清洗部以及所述芯片贴合部邻接。所述第一基板搬送臂在所述搬送区域中保持所述基板并搬送所述基板。所述第一框架搬送臂在所述搬送区域中保持所述框架并将多个所述芯片同所述框架一起搬送。所述第一基板搬送臂将所述基板从所述基板清洗部搬送到所述芯片贴合部，所述第一框架搬送臂将多个所述芯片同所述框架一起从所述芯片清洗部搬送到所述芯片贴合部。
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