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公开(公告)号：CN117063266A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202280023841.7
申请日：2022-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明的基片处理方法包括以下处理：对具有彼此朝向相反的第一主面和第二主面且在上述第一主面包含凹凸图案的基片，在上述第一主面的整体露出的状态下，由振子施加振动。
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公开(公告)号：CN111430266B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202010009300.1
申请日：2020-01-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板处理方法及基板处理装置。本发明的课题是提供能够改善针对多种材料暴露的基板的表面处理的选择性的技术。基于本公开的基板处理方法包括维持工序、供给工序、表面处理工序和去除工序。在维持工序中，将表面上暴露有金属即第一材料与第一材料以外的材料即第二材料的基板的至少表面所接触的气氛维持在脱氧气氛。在供给工序中，在利用维持工序维持在脱氧气氛的状态下，对基板的表面供给针对第一材料及第二材料中的第一材料选择性地形成膜的膜形成材料。在表面处理工序中，在通过供给工序在第一材料的表面形成了膜的状态下，进行第二材料的表面处理。在去除工序中，在表面处理工序后，从第一材料的表面去除膜。
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公开(公告)号：CN111630639A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201980008546.2
申请日：2019-01-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 实施方式的基板处理方法包括保持工序和供给工序。保持工序保持基板。供给工序将蚀刻液供给至保持工序中所保持的基板，所述蚀刻液含有：对在基板上露出的金属系的第1材料和硅系的第2材料进行蚀刻的蚀刻剂、以及第1材料和第2材料中、与第2材料反应而在第2材料的表面形成保护层的保护剂，蚀刻剂为含有氟原子和有机溶剂、且实质上不含水分的液体，保护层保护第2材料免受由蚀刻剂带来的蚀刻。
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公开(公告)号：CN111430266A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010009300.1
申请日：2020-01-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板处理方法及基板处理装置。本发明的课题是提供能够改善针对多种材料暴露的基板的表面处理的选择性的技术。基于本公开的基板处理方法包括维持工序、供给工序、表面处理工序和去除工序。在维持工序中，将表面上暴露有金属即第一材料与第一材料以外的材料即第二材料的基板的至少表面所接触的气氛维持在脱氧气氛。在供给工序中，在利用维持工序维持在脱氧气氛的状态下，对基板的表面供给针对第一材料及第二材料中的第一材料选择性地形成膜的膜形成材料。在表面处理工序中，在通过供给工序在第一材料的表面形成了膜的状态下，进行第二材料的表面处理。在去除工序中，在表面处理工序后，从第一材料的表面去除膜。
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公开(公告)号：CN111630639B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201980008546.2
申请日：2019-01-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 实施方式的基板处理方法包括保持工序和供给工序。保持工序保持基板。供给工序将蚀刻液供给至保持工序中所保持的基板，所述蚀刻液含有：对在基板上露出的金属系的第1材料和硅系的第2材料进行蚀刻的蚀刻剂、以及第1材料和第2材料中、与第2材料反应而在第2材料的表面形成保护层的保护剂，蚀刻剂为含有氟原子和有机溶剂、且实质上不含水分的液体，保护层保护第2材料免受由蚀刻剂带来的蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113782467A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110597845.3
申请日：2021-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。提供如下技术：将基板用拒水剂拒水化，抑制基板的凹凸图案的倒塌、另外抑制拒水剂所导致的颗粒的发生。基板处理方法包括下述(A)～(E)。(A)将附着有处理液的基板搬入至处理容器的内部。(B)对前述搬入后的前述基板供给第1有机溶剂，将附着于前述基板的前述处理液去除。(C)对去除了前述处理液的前述基板供给拒水剂，将前述基板拒水化。(D)对前述拒水化了的前述基板供给第2有机溶剂。(E)使附着于前述基板的前述第2有机溶剂挥发，将前述基板干燥。
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公开(公告)号：CN101143713A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710139922.0
申请日：2007-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B01F3/088 , B01F3/0861 , B01F3/0865 , B01F5/10 , B01F15/00253 , B01F15/00331 , B01F15/00396 , B01F15/0243 , B01F15/0412 , B01F15/0437 , B01F15/06 , B01F2015/062 , B01F2215/0036 , B01J19/24 , B01J2219/00103 , B01J2219/24 , C01B15/08 , C11D3/3947 , C11D11/0047 , H01L21/67057
Abstract: 本发明提供在混合硫酸和双氧水时可以充分地生成对从基板上剥离抗蚀剂等有效的卡罗酸。首先用硫酸充满内槽(10)，同时从内槽(10)溢出的硫酸也流入到外槽(12)中。接着向内槽(10)供给双氧水，使双氧水流入外槽(12)内，在该外槽(12)内储存双氧水和硫酸的2种液体。在流入双氧水的同时使回流泵(16)工作。
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公开(公告)号：CN118737885A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410326411.3
申请日：2024-03-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 广城幸吉
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置能够在不使用等离子体的情况下以比较高的蚀刻速率对设置于基板的周缘部的硬度比较高的膜进行蚀刻。基板处理装置具备：照射部，其构成为朝向基板的周缘部照射具有185nm以下的波长的蚀刻用的能量射线；供给部，其构成为向基板的周缘部供给含氧气体或臭氧气体；周缘加热部，其配置为位于基板的上方，构成为沿着基板的周缘部大致圆弧状或大致环状地延伸，并且通过向基板的周缘部照射光来对基板的周缘部进行加热；遮光构件，其配置于基板与周缘加热部之间，构成为对从周缘加热部朝向基板的周缘部照射的光的至少一部分进行遮光；以及驱动部，其构成为变更基板与遮光构件之间的分离距离。
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公开(公告)号：CN116406476A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202180070217.8
申请日：2021-10-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明的基片处理方法包括下述(A)～(C)。(A)准备基片，该基片具有在氧等离子体中暴露过的Low‑k膜或SiN膜、和SiO膜露出的表面。(B)对上述基片的上述表面供给形成自组装单分子膜(SAM)的有机化合物(SAM剂)，在上述Low‑k膜或上述SiN膜形成保护膜。(C)对上述基片的上述表面供给氢氟酸，一边使用上述保护膜阻碍利用上述氢氟酸进行的上述Low‑k膜或上述SiN膜的蚀刻，一边对上述SiO膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN101143713B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710139922.0
申请日：2007-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: B01F3/088 , B01F3/0861 , B01F3/0865 , B01F5/10 , B01F15/00253 , B01F15/00331 , B01F15/00396 , B01F15/0243 , B01F15/0412 , B01F15/0437 , B01F15/06 , B01F2015/062 , B01F2215/0036 , B01J19/24 , B01J2219/00103 , B01J2219/24 , C01B15/08 , C11D3/3947 , C11D11/0047 , H01L21/67057
Abstract: 本发明提供在混合硫酸和双氧水时可以充分地生成对从基板上剥离抗蚀剂等有效的卡罗酸。首先用硫酸充满内槽(10)，同时从内槽(10)溢出的硫酸也流入到外槽(12)中。接着向内槽(10)供给双氧水，使双氧水流入外槽(12)内，在该外槽(12)内储存双氧水和硫酸的2种液体。在流入双氧水的同时使回流泵(16)工作。
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