-
公开(公告)号：CN110610875B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201910509553.2
申请日：2019-06-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种能够削减处理液的废弃量的技术。本发明的基片处理装置包括处理槽、存积部、去除部、混合部和返回路径。处理槽使基片浸渍于包含药液和硅的处理液中进行该基片的蚀刻处理。存积部将从处理槽排出的处理液回收并存积。去除部回收从处理槽排出的处理液的一部分，从回收的处理液中去除硅。混合部将存积部中存积的处理液和由去除部去除了硅后的处理液混合。返回路径将由混合部混合后的处理液返回处理槽。
-
公开(公告)号：CN114551307A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111289481.9
申请日：2021-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。对于具备间距变换机构的基板处理装置削减基板的交接次数。基板处理装置包括：基板保持部，其将多个基板互相平行地以第1等间距保持；基板输送装置，其自基板收纳容器将以第2等间距收纳的多个基板一起取出；以及移载机构，其自基板输送装置接收以第2等间距排列的基板，并将间距转换成第1等间距，将间距转换完成的基板向基板保持部传递。移载机构具有：间距转换单元，其具有多个卡盘和将卡盘彼此之间的间隔在第1等间距与第2等间距之间变更的间距变换机构；以及移动机构，其使间距转换单元在基板输送装置与间距转换单元之间的基板交接位置和间距转换单元与基板保持部之间的基板交接位置之间移动。
-
公开(公告)号：CN114551280A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111332141.X
申请日：2021-11-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，是管理去除基板的一部分的去除量的技术。基板处理装置具备：盒块，其载置用于收容基板的盒；处理块，其处理所述基板；中继块，其在所述盒块与所述处理块之间中继所述基板；以及控制装置。所述处理块包括处理模块，所述处理模块进行去除所述基板的一部分的去除处理。所述中继块包括重量测定部，所述重量测定部测定由所述处理块处理之前的所述基板的重量、或者由所述处理块处理之后的所述基板的重量。所述控制装置包括去除量判定部，所述去除量判定部使用所述重量测定部的测定结果，来计算由所述处理块处理前后的所述基板的重量差，并判定所述去除处理的去除量是否在允许范围内。
-
公开(公告)号：CN1323057A
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：CN01122126.7
申请日：2001-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/16 , G03F7/26
CPC classification number: H01L21/67253 , G03F7/168 , H01L21/67028 , Y10S414/135
Abstract: 在对基片进行涂敷和显影处理的过程中,本发明包含步骤:给基片供应保护溶液而在基片上形成涂层;在基片经过不包含在该系统内的光刻器曝光处理之后在处理区对基片进行显影处理;在形成涂层的步骤之后和在曝光处理之前将基片送入所述腔室,此后减小该气密密封的腔室内的压力到预定的压力并持续预定时间,以便从腔室内的基片上去除附着在基片上的杂质,其中预定压力和预定时间根据测量到的处理区内的杂质密度进行调整。根据本发明,可以在曝光处理之前去除附着在基片的涂层上的分子级杂质比如水分、水蒸气、氧气、臭氧有机物等,和比如细小颗粒的杂质,所以曝光处理可以在更好的条件下进行而不被这些杂质所影响。因为用于减小压力的预定压力和预定时间,或者用于减小压力的速度根据在预定位置测量的杂质密度进行调节,所以附着在基片上的杂质比如水分、氧气等可以在根据附着杂质量的更合适的最小需求条件下去除。
-
公开(公告)号：CN105529288A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510672501.9
申请日：2015-10-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够使液处理后的基板良好地干燥的基板液处理装置和基板液处理方法。在本发明中，使用基板液处理装置(1)自干燥液供给部(23)向基板(3)供给挥发性较高的干燥液，该挥发性较高的干燥液的一部分含有硅系有机化合物，该基板液处理装置(1)包括：纯水供给部(冲洗液供给部(22))，其用于向基板(3)供给纯水；以及所述干燥液供给部(23)，其用于向所述基板(3)供给挥发性比纯水的挥发性高的干燥液。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1218221C
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN01116946.X
申请日：2001-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/16
CPC classification number: G03F7/168
Abstract: 本发明涉及一种对基片进行涂覆和显影处理的方法，这种方法包括如下步骤：在基片上涂覆感光胶并在其上形成涂覆膜；对形成涂覆膜的基片进行加热处理；在加热处理之后冷却基片；对基片上的涂覆层进行曝光处理；在曝光处理之后对基片进行显影处理。还包括如下步骤：在所述形成涂覆层步骤之后所述基片曝光处理步骤之前，对基片施放工艺气体，在涂覆层表面形成工艺膜。因此，工艺膜使得基片免于受大气中氧，水蒸汽之类杂质的影响。
-
公开(公告)号：CN1199238C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN01122126.7
申请日：2001-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/16 , G03F7/26
CPC classification number: H01L21/67253 , G03F7/168 , H01L21/67028 , Y10S414/135
Abstract: 本发明提供基片的涂敷和显影处理方法，即在涂敷和显影处理系统的处理区中给基片提供涂敷液并在基片上形成涂层，在处理区中对经过曝光装置的曝光处理的基片进行显影，在形成涂层后并在曝光处理之前将基片送入腔室，随后减小气密密封腔室内的压力到预定压力并持续预定时间，从腔室内的基片上去除附于基片上的杂质；预定压力和预定时间根据处理区内测得的杂质密度来调整。根据本发明，在曝光处理前去除附在基片涂层上的分子级杂质和细小颗粒，曝光在更好条件下进行而不受杂质影响。因为减压预定压力和预定时间或减压速度根据在预定位置测得的杂质密度来调节，所以，附在基片上的杂质能在根据附着杂质量的更合适的最小需求条件下被除去。
-
公开(公告)号：CN1325130A
公开(公告)日：2001-12-05
申请号：CN01122639.0
申请日：2001-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/16 , G03F7/26
Abstract: 本发明的涂敷和显影系统具有处理区,该处理区有用于在基片上形成涂层薄膜的涂敷单元、用于显影基片的显影单元、用于对基片进行热处理的热处理单元、用于将基片从涂敷单元、显影单元和热处理单元传送或传送到这些单元的第一传送装置,该系统还有一接口部分,在该接口部分中基片至少沿上述处理区和该系统外侧的对基片进行曝光处理的曝光单元之间的路径传送,该系统还有用于容纳上述处理区和接口部分的壳体,用于给上述接口部分供应惰性气体的供气装置,以及排出上述接口部分内的气氛的排气部分,和所述的热处理单元,和用于将基片在该热处理单元和曝光处理单元之间的路径上传送的、位于上述接口部分内的第二传送装置。根据本发明,可以防止分子水平的杂质比如氧气、碱性物质、臭氧和有机物质附着到基片上,从而适于对基片进行处理和加工。
-
公开(公告)号：CN108428645B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201810150054.4
申请日：2018-02-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种更精确地控制处理槽内的处理液的温度的基板液处理装置。基板液处理装置具备：处理槽(34)，其贮存处理液，并且通过将基板浸于所贮存的处理液中来进行基板的处理；循环线(50)，其与处理槽连接；泵(51)，其设置于循环线，用于形成从处理槽出来经过循环线后返回到处理槽的所述处理液的流动；以及加热器(52)，其设置于循环线，加热处理液。设置有设置于包括处理槽和循环线的循环系统内的彼此不同的位置的至少两个温度传感器(81、82、83)。控制器(90、100)基于这至少两个温度传感器的检测温度来控制加热器的发热量。
-
公开(公告)号：CN114551278A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111295785.6
申请日：2021-11-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。一边控制基板周围的气氛一边进行批量式的液处理。基板处理装置包括：处理容器，其具有储存处理液的储存部和封闭储存部的上部的开口的盖部；基板保持部，其将多个基板以铅垂姿势在水平方向上空开间隔地保持；第1旋转轴，其自基板保持部贯穿处理容器的第1侧壁向外侧水平延伸；旋转驱动部，其设于处理容器的外部，使基板保持部旋转；处理流体喷嘴，其设于盖部，自比处理液的液位高的位置向基板或其周围的空间供给处理流体。当盖部位于封闭位置时，处理容器的内部形成密闭的内部空间。当盖部位于开放位置时，能够相对于基板保持部送入送出基板。以各基板的仅下侧部分浸渍于处理液的状态进行液处理。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.026 seconds)
