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公开(公告)号：CN111092031B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201911012334.X
申请日：2019-10-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，该基板处理装置能够防止在从基板表面去除干燥液时发生图案破损。所述基板处理装置包括：基板保持部，其保持基板；干燥液供给部，其对被基板保持部保持的基板的表面供给干燥液；温度调整部，其使基板的表面温度变化；以及控制部，其控制温度调整部。控制部控制温度调整部，以使被供给至基板的表面的干燥液的液膜产生温度差。
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公开(公告)号：CN113451198B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202110266661.9
申请日：2021-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , C23C16/54
Abstract: 本发明提供恰当地控制用于载置基板的载置面的温度的基板载置台及基板处理装置。该基板载置台具有：载置台主体，在该载置台主体的内部具有被冷却面；以及供给流路形成构件，该供给流路形成构件由导热性较所述载置台主体低的材料形成，且具有朝向所述被冷却面喷射制冷剂的冷却喷嘴。
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公开(公告)号：CN108624866B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201810233217.5
申请日：2018-03-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 池田恭子
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种气体供给构件和气体处理装置。提供一种能够防止从由直线流路分支而形成的气体喷出口喷出的气体含有异物的技术。以具备如下构件的方式构成气体供给构件(41)：直线流路(45)，其形成为直线状，从其一端供给气体；所述直线流路(45)分支而形成的气体喷出口(46)；气体的循环路径(47)，其沿着所述直线流路(45)的延长线形成，并且，与该直线流路(45)的另一端连接。并且，在该循环路径(47)中对供给到所述直线流路(45)的气体所含有的异物进行捕集。
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公开(公告)号：CN101665918B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200910171078.9
申请日：2009-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。该成膜装置不仅能够抑制成膜处理时产生颗粒，还能够以比现有技术中的清洁处理时高的温度进行清洁处理，因此，能够提高处理能力。用于在被处理体(W)的表面形成薄膜的成膜装置(12)包括：处理容器(14)；用于在其上载置被处理体的氮化铝制的载置台(62)；用于对被处理体进行加热的加热单元(66)；与载置台对置、用于向处理容器内导入必要的气体的喷淋头部(18)；和用于在处理容器内的清洁处理后的升温时向喷淋头部的周边部供给不活泼性气体的喷淋头周边部气体供给单元(22)。由此，清洁处理时生成的AlF类物质即使在载置台升温时形成颗粒并飞散，也不会附着于与其相对的喷淋头部。
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公开(公告)号：CN101568667A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200880000424.0
申请日：2008-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02271 , C23C16/4486 , H01L21/02181 , H01L21/31612 , H01L21/31645 , H01L21/3185
Abstract: 本发明提供一种气化装置、成膜装置和成膜方法，在对基板供给使液体材料气化了的气体材料，进行成膜处理时，可以高效率气化液体材料，并抑制颗粒的产生。在用于对基板进行成膜处理的液体材料中，产生带有正电或负电且粒径为1000nm以下的气泡，使该液体材料雾化，形成液体材料的雾状物质，进一步，加热该液体材料的雾状物质使其气化。在液体材料中，预先使极其微小的气泡以高均一性进行分散，因此使该液体材料雾化时，能够得到极其微小而且均一的液体材料的雾状物质，容易进行热交换。使该液体材料的雾状物质气化时，可以提高气化效率，并抑制颗粒的产生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108369905B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201680071744.X
申请日：2016-10-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , C23C14/02 , C23C16/02 , H01L21/302
Abstract: 本发明涉及基板清洗装置。对晶圆(W)照射气体团簇从而清洗晶圆(W)的基板清洗装置(100)具有：腔室(1)，其收容晶圆(W)；旋转台(4)，其在腔室(1)内将晶圆(W)支承为能够旋转；喷嘴部(13)，其对支承到旋转台(4)的晶圆(W)照射气体团簇；喷嘴移动部件(10)，其对气体团簇在晶圆(W)上的照射位置进行扫描；排气口(32)，其用于对腔室(1)进行排气；以及控制机构(50)，其以对晶圆(W)的基于旋转台(4)的旋转方向和气体团簇的照射位置的扫描方向进行控制来抑制颗粒再附着于晶圆(W)的方式，控制颗粒的飞散方向。
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公开(公告)号：CN113169062A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980077095.8
申请日：2019-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种基板清洗方法，包括：在处理容器的内部布置基板的工序；从布置在所述处理容器的内部的气体喷嘴的喷射口喷射气体的工序；使通过来自所述气体喷嘴的气体的喷射而产生的垂直冲击波与所述基板的主表面碰撞的工序；以及通过使所述垂直冲击波与所述基板的所述主表面碰撞，从而将附着在所述基板的所述主表面上的颗粒去除的工序。
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公开(公告)号：CN108292598A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680069784.0
申请日：2016-10-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/302 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置的腔室清洁方法，对具有腔室(1)、在腔室(1)内保持被处理基板(W)的台(4)、以及向被处理基板(W)照射气体团束的喷嘴部(13)、并具有利用气体团束处理被处理基板(W)的功能的基板处理装置的腔室(1)内实施清洁时，在腔室(1)内设置规定的反射部件(dW、60)，向反射部件(dW、60)照射气体团束(C)，使被反射部件(dW、60)反射的气流碰撞腔室(1)的壁部，而除去附着于腔室(1)的壁部的颗粒(P)。
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公开(公告)号：CN101665918A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910171078.9
申请日：2009-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。该成膜装置不仅能够抑制成膜处理时产生颗粒，还能够以比现有技术中的清洁处理时高的温度进行清洁处理，因此，能够提高处理能力。用于在被处理体(W)的表面形成薄膜的成膜装置(12)包括：处理容器(14)；用于在其上载置被处理体的氮化铝制的载置台(62)；用于对被处理体进行加热的加热单元(66)；与载置台对置、用于向处理容器内导入必要的气体的喷淋头部(18)；和用于在处理容器内的清洁处理后的升温时向喷淋头部的周边部供给不活泼性气体的喷淋头周边部气体供给单元(22)。由此，清洁处理时生成的AlF类物质即使在载置台升温时形成颗粒并飞散，也不会附着于与其相对的喷淋头部。
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公开(公告)号：CN112385017A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201980045291.7
申请日：2019-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/44 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种除去附着于腔室内的工作台的污染物的清洁方法，该清洁方法包括：将上述腔室内设定为规定的真空压力的第1工序；向上述工作台供给形成冲击波的第1气体的第2工序；向上述工作台供给不形成冲击波的第2气体的第3工序。
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