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公开(公告)号：CN112820721B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202110056692.1
申请日：2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/66 , H01L23/367 , H01L23/538 , H01L21/768 , H01Q1/22 , H01Q1/38 , H01Q1/48 , H01Q1/00
Abstract: 本发明公开了一种集成封装天线，包括至少一个半导体芯片及由上至下依次层压的天线模块基板、铝硅转接板及射频模块基板，天线模块基板包括天线层LCP基体及分别设于天线层LCP基体的顶面和底面的天线图形层和天线接地层，射频模块基板包括射频层LCP基体及分别设于射频层LCP基体的顶面和底面的射频接地层和射频传输布线层，本发明通过低介电常数、低吸湿率、高频稳定性好、损耗低的LCP基板进行天线和射频模块的布线，解决常用转接板散热相对较差、不可作为机械支撑的问题，相比传统的硅转接板或LTCC基板，可以降低成本，并提高散热，同时，本发明完成基板和壳体的集成，实现基板和壳体的结构功能一体化，获得天线模块与射频模块的集成、小型化、轻量化封装。
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公开(公告)号：CN112802809B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110055168.2
申请日：2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/373 , H01L23/538 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L21/768 , H01Q1/22
Abstract: 本发明公开了一种硅铝合金封装基板及其制备方法，该硅铝合金封装基板的基体材料为硅铝合金，所述封装基板上设有曲面天线共型贴装平台、微波信号屏蔽腔体以及平面转接板，所述曲面天线共型贴装平台用于天线共型贴装，所述微波信号屏蔽腔体用于微波信号电路集成，所述封装基板为垂直互连封装基板。本发明提供的硅铝合金封装基板将转接板、微波屏蔽腔体、曲面天线共型贴装平台集中在封装基板上，实现了结构一体成型、一致性，简化了硅铝合金封装基板制备工序，结构强度高，同时实现了结构与功能一体化。本发明还提供了该封装基板的制造方法，该方法相对于传统封装基板制备工艺具有可操作性强，耗时短，成本低，可靠性高等优点。
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公开(公告)号：CN109541561A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811391362.2
申请日：2018-11-21
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种延时组件，用于相控阵雷达，包括：第一功分器，至少包括两路输出端；第一延时放大通道，第一延时放大通道的第一信号端和第一功分器的第一路输出端电性连接；第二延时放大通道，第二延时放大通道的第一信号端和第一功分器的第二路输出端电性连接；第二功分器，和第一延时放大通道的第二信号端电性连接；以及第三功分器，和第二延时放大通道的第二信号端电性连接；其中，第一延时放大通道和/或第二延时放大通道被配置为包括负载态，以实现相控阵雷达在校准状态下关断相控阵雷达的工作通道。该延时组件能够在相控阵雷达校准时关闭非工作通道或延时通道发生故障时，关闭故障通道。
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公开(公告)号：CN112187182B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202011143972.8
申请日：2020-10-22
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明公开了一种星载X频段小型化高次倍频装置，用于将输入频率为40MHz的信号高次倍频产生X频段信号，该装置包括梳频滤波电路以及阶跃倍频电路。梳频滤波电路包括梳状谱发生器、声表滤波器和放大器，该部分电路完成输入信号的20次倍频。阶跃倍频电路包括阶跃二极管、微带滤波器、放大器以及隔离器，该部分电路的倍频次数为11次。整个装置的倍频次数为220次，其输入的参考频率为40MHz，两部分倍频电路采用了上下叠层互联设计，梳频滤波部分的声表滤波器采用了嵌入壳体的安装方式，阶跃倍频电路中的滤波器采用了两极微带滤波器级联，实现了小型化的高次倍频。本发明可广泛应用于各类星载X频段测控数传分系统中。
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公开(公告)号：CN116130365A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310175685.2
申请日：2023-02-28
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种ABF膜高密度基板布线制造方法，包括以下步骤：在衬底基板边缘的两侧分别形成激光通孔定位标记和布线光刻定位标记；利用布线光刻定位标记，在衬底上制备第一层薄膜布线层；将裁剪后的ABF膜真空层压到第一层薄膜布线层上，并进行固化；利用布线光刻定位标记，在ABF膜表面光刻出通孔掩膜；利用激光通孔定位标记和通孔掩膜进行双重精准定位，进行激光钻孔，形成布线通孔；利用布线光刻定位标记，在ABF膜上制备第二层薄膜布线层。该制造方法利用真空层压工艺，改变了原PCB板的层压板级工艺中的工艺复杂、尺寸结构受限的问题；同时利用激光标记以及通孔掩膜双重精准定位，可实现层间的可靠互连，从而满足ABF膜高密度的薄膜布线互连。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112802821B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110056695.5
申请日：2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/538 , H01L23/373 , H01L23/552 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种双面多层布线的铝基转接板，包括铝硅基板、薄膜布线绝缘层、BCB薄膜布线层、第三薄膜金属布线层及LCP基板，BCB薄膜布线层及LCP基板分别设置于铝硅基板的两侧，采用高导热铝硅材料作为转接板衬底，将BCB薄膜布线层与LCP基板进行集成，可同时实现正面高密度布线与反面的射频微波传输功能，并利用垂直互连通柱实现信号的上下传输，并于金属基铝硅高导热衬底上设置基板埋置腔，用于贴装LCP基板，可实现射频微波的散热与自屏蔽功能，适用于各种复杂系统的多功能的多层布线转接板制作。
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公开(公告)号：CN112820721A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110056692.1
申请日：2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/66 , H01L23/367 , H01L23/538 , H01L21/768 , H01Q1/22 , H01Q1/38 , H01Q1/48 , H01Q1/00
Abstract: 本发明公开了一种集成封装天线，包括至少一个半导体芯片及由上至下依次层压的天线模块基板、铝硅转接板及射频模块基板，天线模块基板包括天线层LCP基体及分别设于天线层LCP基体的顶面和底面的天线图形层和天线接地层，射频模块基板包括射频层LCP基体及分别设于射频层LCP基体的顶面和底面的射频接地层和射频传输布线层，本发明通过低介电常数、低吸湿率、高频稳定性好、损耗低的LCP基板进行天线和射频模块的布线，解决常用转接板散热相对较差、不可作为机械支撑的问题，相比传统的硅转接板或LTCC基板，可以降低成本，并提高散热，同时，本发明完成基板和壳体的集成，实现基板和壳体的结构功能一体化，获得天线模块与射频模块的集成、小型化、轻量化封装。
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公开(公告)号：CN112820694A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110056690.2
申请日：2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/48 , H01L23/02 , H01L23/367 , H01L23/538 , H01L23/552
Abstract: 本发明公开了一种芯片屏蔽与气密封装方法，在铝硅基板的芯片埋置处加工芯片埋置槽，并将芯片贴装于芯片埋置槽内，再将多层LCP基板根据电路进行光刻，多层LCP基板层压形成气密盖板，最后将气密盖板和贴装有芯片的铝硅转接板进行层压，通过高频、稳定性好、损耗低且气密的LCP基板进行布线和气密，使用铝硅转接板进行散热和芯片屏蔽，通过将裸芯片埋置于铝硅材料内，以LCP基板进行电性能传输的同时对裸芯片进行气密，相比铝硅壳体与铝合金气密封焊的方法，不仅可提高芯片的散热性能，同时通过铝硅金属腔体对芯片进行屏蔽保护，还可提高组件的集成度，降低组件体积和质量。
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公开(公告)号：CN110596649A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910884941.9
申请日：2019-09-18
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种T/R组件，包括发微波链路和电源控制电路，驱动功放采用GaN功率芯片，末级大功率功放采用GaN功放载片，实现发射链路60W脉冲功率输出，接收支路采用FBAR带通滤波器，满足高带外抑制要求；电源控制电路采用抗辐照加固硅基芯片设计实现，包括电压调制电路和波控电路。其中，电压调制电路实现功放芯片的漏压调制、栅压调制和低噪声放大芯片电压调制，波控电路通过对外围时序信号的串转并处理，实现对TR组件的幅相调节和收发通道的电源调制。组件采用一体化气密封装，并采用射频波珠和SMA匹配结构保证组件的气密性。本发明实现了轻量化、小型化和高可靠性设计，满足星载使用要求。
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公开(公告)号：CN117039374A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310984206.1
申请日：2023-08-07
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明涉及微波滤波器技术领域，尤其涉及基于小型化高频率选择性多层基片集成波导滤波交叉器，包括：金属层组，包括第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层；第二金属层和第三金属层上设有若干个用于耦合的开槽口，第一金属层上设有第一输入端口、交指型槽线和第一输出端口；介质基板组，包括第一介质基板、第二介质基板和第三介质基板，第一介质基板设于第一金属层和第二金属层之间，第二介质基板设于第二金属层和第三金属层之间，第三介质基板设于第三金属层和第四金属层之间；第一介质基板上设有第一谐振腔和第二谐振腔；第二介质基板设有第三谐振腔；第三介质基板设有第四谐振腔和第五谐振腔。
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