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公开(公告)号：CN102891217B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210342053.2
申请日：2012-09-17
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种金刚石/CdTe薄膜太阳能电池的制备方法，电池结构为硅衬底/p型金刚石/n型CdTe三层结构。该方法具有以下工艺步骤：首先，对硅衬底/p型金刚石薄膜进行清洗预处理和表面修饰与改性，在p型金刚石薄膜上进行n型CdTe薄膜沉积形成异质结，CdTe薄膜沉积结束后进行CdCl2退火处理，刻蚀掉窗口层光吸收区的硅衬底，进行金属接触沉积形成薄膜太阳能电池器件。通过该方法可以实现p型金刚石/n型CdTe薄膜太阳能电池的制备，使用p型金刚石作为窗口层材料和n型CdTe作为吸收层材料制备成异质结太阳能电池，解决了宽禁带p型半导体材料在太阳能电池领域的可用性。
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公开(公告)号：CN103289683A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310167245.9
申请日：2013-05-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及用溶胶凝胶过程，制备SiO2包覆的CdS量子点纳米复合薄膜，属半导体纳米复合薄膜制备技术领域。主要解决了包覆后CdS量子点，具良好的分散性，改善发光效率及耐腐蚀性等。具体步骤是以硝酸镉，硫化钠，TGA为主要原料，采用化学水浴法，制备高浓度的CdS量子点溶液；又以TEOS（正硅酸乙酯），无水乙醇，浓盐酸，去离子水为原料，获SiO2溶胶；然后，溶胶与量子点按一定摩尔比混合，并旋涂成膜，为SiO2包覆的CdS量子点纳米复合薄膜；再将此薄膜样品干燥，放入管式退火炉中，在N2气氛中进行退火，获取了SiO2包覆的CdS量子点纳米复合薄膜。CdS纳米颗粒与其他基质复合，有助于提高CdS光电性能，拓展了CdS材料的应用领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103236466A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310117598.8
申请日：2013-04-07
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种铜锌锡硫太阳电池窗口层的制备方法，属太阳能电池薄膜器件制备工艺技术领域。利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列以及利用水热法硫化生长ZnS壳层结构的制备方法。水热法制备的ZnO@ZnS纳米阵列核壳结构与衬底的附着强度较高，具有高透过率、良好的电学特性，能够作为CZTS太阳能电池的窗口层，与后续电池的制备工艺具有良好的衔接。
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公开(公告)号：CN103227239A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310111724.9
申请日：2013-04-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种干法刻蚀两步法铝诱导非晶硅晶化薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备技术领域。利用金属铝的催化作用，在低温下通过两步退火法，将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜，以减少金属沾污。首先在玻璃上作为生长衬底，后续依次制备非晶硅、二氧化硅及铝膜，形成多重界面的结构。然后，进行两步退火，先进行快退，后续将样品置退火炉中进行慢退火、再刻蚀去铝。最后可制得铝诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为50-200nm。本发明可有效缓解金属诱导晶化（MIC）技术中，金属污染，适用于场效应晶体管和薄膜太阳能电池制备。
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公开(公告)号：CN103208563A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310111690.3
申请日：2013-04-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种多晶碘化汞薄膜与金电极形成良好欧姆接触的制备方法，属于半导体厚膜制备技术领域。以经多次提纯后的碘化汞为原材料，采用超声辅助气相沉积装置制得了多晶碘化汞薄膜，再对薄膜进行表面处理，最后真空蒸镀一层金电极阵列。通过该方法可得到较好的金半接触，金电极与薄膜之间有很好的粘附性，I-V的正反响应特性都较好，金属电极漏电流小，性能稳定。该方法制得的多晶碘化汞厚膜探测器特别适合于对X射线、Gama射线的探测，本发明具有潜在的实际应用前景。
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公开(公告)号：CN102888584A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210342060.2
申请日：2012-09-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开一种基于金刚石薄膜上沉积CdTe薄膜的方法。具有以下工艺步骤：首先，将硅衬底/金刚石薄膜进行清洗预处理；之后，将预处理后的金刚石薄膜放入紫外臭氧清洗机中进行表面修饰与改性，降低薄膜表面的带隙与表面态，提高薄膜结合力；之后，进行CdTe薄膜沉积，沉积工艺参数：衬底温度为450～500℃，源温度为550～650℃，沉积室压强为500～1500Pa，沉积时间1～2分钟；CdTe薄膜沉积结束后CdCl2退火处理20～30分钟。通过该方法可以在金刚石薄膜表面沉积高质量的CdTe薄膜，从而实现金刚石薄膜表面CdTe薄膜的高效沉积。
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公开(公告)号：CN102709404A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210205718.5
申请日：2012-06-21
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅薄膜的制备方法，具体来说就是利用金属铜的催化作用在低温下通过循环退火将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜。本发明的主要技术方案是首先在玻璃衬底上生长衬底/非晶硅/二氧化硅/铜膜的结构，然后进行循环式退火，第一次退火完成之后将样品置于腐蚀液中腐蚀并再次循环式退火、腐蚀，并用氮气吹干。最后可制得铜诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为50-200nm。本发明可缓解现有金属诱导晶化（MIC）技术中金属重污染的问题，并适用于薄膜场效应晶体管和薄膜太阳能电池领域。
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