公开(公告)号：CN103236466A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201310117598.8

申请日：2013-04-07

Applicant: 上海大学

Inventor： 李季戎 ,  史伟民 ,  廖阳 ,  钱隽 ,  王国华 ,  杨伟光 ,  沈心蔚 ,  沈介圣 ,  何玲玲 ,  沈忠文

IPC: H01L31/18 ,  C03C17/22

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种铜锌锡硫太阳电池窗口层的制备方法，属太阳能电池薄膜器件制备工艺技术领域。利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列以及利用水热法硫化生长ZnS壳层结构的制备方法。水热法制备的ZnO@ZnS纳米阵列核壳结构与衬底的附着强度较高，具有高透过率、良好的电学特性，能够作为CZTS太阳能电池的窗口层，与后续电池的制备工艺具有良好的衔接。