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公开(公告)号：CN107424929B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201710346507.6
申请日：2017-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 王维一 , 马克·S·罗德尔 , 博尔纳·J·奥布拉多维奇 , 达尔门达·雷迪·帕勒 , 洪俊顾
IPC: H01L21/335 , H01L29/775 , H01L29/06 , H01L29/165 , B82Y10/00
Abstract: 提供了一种形成用于半导体器件的纳米片堆叠件的方法，所述方法包括：在底层上形成多个牺牲层和至少一个沟道层的堆叠件，其中，牺牲层与底层接触，每个沟道层与牺牲层中的至少一个接触，牺牲层由SiGe形成，所述至少一个沟道层由Si形成；在所述堆叠件中形成至少一个源极/漏极沟槽区域以暴露SiGe牺牲层的表面和所述至少一个Si沟道层的表面；在湿氧或者臭氧和UV的环境中氧化SiGe牺牲层的暴露的表面和所述至少一个Si层的暴露的表面。
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公开(公告)号：CN112749787A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011189121.7
申请日：2020-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及半数字交叉式架构的稀疏神经网络层的优化。提供了一种方法和系统。该方法包括将二元矩阵映射到无向图形式，对映射的二元矩阵应用二路图分区算法，其使映射的二元矩阵中的分区之间的边切割最小化，递归应用贪婪算法以找到行或列排列的集合，其使非零从稀疏块到非稀疏块的转移的最大化，并根据所应用的贪婪算法稀疏或致密二元矩阵。
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公开(公告)号：CN111081776A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910993036.7
申请日：2019-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 洪俊顾 , B.J.奥布拉多维克 , 徐康一 , M.S.罗德
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/088
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管、制造其的方法和包括其的片上系统。该制造场效应晶体管的方法包括在衬底上形成鳍、在鳍的彼此相反侧上形成源电极和漏电极、在鳍的位于源电极和漏电极之间的沟道部分上形成栅极堆叠、在鳍的位于栅极堆叠的彼此相反侧上的延伸部分上形成栅极间隔物、去除栅极间隔物的至少一部分以暴露鳍的延伸部分、以及使鳍的延伸部分变薄。在鳍的延伸部分变薄之后，鳍的沟道部分具有第一宽度，并且鳍的延伸部分具有小于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN106711120A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201610972556.6
申请日：2016-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/5286 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L23/485 , H01L23/535 , H01L27/11582 , H01L28/00 , H01L29/0665 , H01L29/785 , H01L23/50 , H01L21/4885
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：基底；电源轨，位于基底上；有源层，位于基底上并与电源轨位于同一层处；以及接触件，将电源轨电连接到有源层。有源层包括源极端子/漏极端子。
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公开(公告)号：CN111081549B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201910987651.7
申请日：2019-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 洪俊顾 , B.J.奥布拉多维奇 , M.S.罗德尔
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管和制造其的方法以及包括其的片上系统。该制造场效应晶体管的方法包括在衬底上形成鳍、在鳍的彼此相反的侧面上形成源电极和漏电极、在鳍的位于源电极和漏电极之间的沟道部分上形成栅极堆叠、在鳍的位于栅极堆叠的彼此相反的侧面上的延伸部分上形成栅极间隔物、去除栅极间隔物的至少部分以暴露鳍的延伸部分、以及对鳍的延伸部分进行氢退火。在对鳍的延伸部分进行氢退火之后，鳍的沟道部分具有第一宽度，并且鳍的延伸部分具有大于第一宽度的第二宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111081776B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201910993036.7
申请日：2019-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 洪俊顾 , B.J.奥布拉多维克 , 徐康一 , M.S.罗德
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/088
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管、制造其的方法和包括其的片上系统。该制造场效应晶体管的方法包括在衬底上形成鳍、在鳍的彼此相反侧上形成源电极和漏电极、在鳍的位于源电极和漏电极之间的沟道部分上形成栅极堆叠、在鳍的位于栅极堆叠的彼此相反侧上的延伸部分上形成栅极间隔物、去除栅极间隔物的至少一部分以暴露鳍的延伸部分、以及使鳍的延伸部分变薄。在鳍的延伸部分变薄之后，鳍的沟道部分具有第一宽度，并且鳍的延伸部分具有小于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN111446080B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202010049595.5
申请日：2020-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01G7/06 , H01L29/78 , G16C60/00 , G06F30/20 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供一种电路元件以及复合场效应晶体管。在一些实施例中，电路元件包含第一端子、第二端子以及层状结构。层状结构可包含连接到第一端子的第一导电层、位于第一导电层上的第一压电层、位于第一压电层上的第二压电层以及连接到第二端子的第二导电层。第一压电层可具有第一压电张量和第一电容率张量，且第二压电层可具有第二压电张量和第二电容率张量，第二压电张量和第二电容率张量中的一个或两个分别地不同于第一压电张量和第一电容率张量。
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公开(公告)号：CN111580783A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010091274.1
申请日：2020-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开一种权重单元和电子装置。权重单元包含：第一场效应晶体管(FET)和第一电阻式存储器元件，第一电阻式存储器元件连接到第一场效应晶体管的漏极；以及第二场效应晶体管和第二电阻式存储器元件，第二电阻式存储器元件连接到第二场效应晶体管的漏极。第一场效应晶体管的漏极连接到第二场效应晶体管的栅极，且第二场效应晶体管的漏极连接到第一场效应晶体管的栅极。
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公开(公告)号：CN111081549A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910987651.7
申请日：2019-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 洪俊顾 , B.J.奥布拉多维奇 , M.S.罗德尔
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管和制造其的方法以及包括其的片上系统。该制造场效应晶体管的方法包括在衬底上形成鳍、在鳍的彼此相反的侧面上形成源电极和漏电极、在鳍的位于源电极和漏电极之间的沟道部分上形成栅极堆叠、在鳍的位于栅极堆叠的彼此相反的侧面上的延伸部分上形成栅极间隔物、去除栅极间隔物的至少部分以暴露鳍的延伸部分、以及对鳍的延伸部分进行氢退火。在对鳍的延伸部分进行氢退火之后，鳍的沟道部分具有第一宽度，并且鳍的延伸部分具有大于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN107424929A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710346507.6
申请日：2017-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 王维一 , 马克·S·罗德尔 , 博尔纳·J·奥布拉多维奇 , 达尔门达·雷迪·帕勒 , 洪俊顾
IPC: H01L21/335 , H01L29/775 , H01L29/06 , H01L29/165 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/66553 , H01L21/02236 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0259 , H01L29/045 , H01L29/0673 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/1054 , H01L29/66636 , H01L29/78 , H01L29/66439 , B82Y10/00 , H01L29/165 , H01L29/775
Abstract: 提供了一种形成用于半导体器件的纳米片堆叠件的方法，所述方法包括：在底层上形成多个牺牲层和至少一个沟道层的堆叠件，其中，牺牲层与底层接触，每个沟道层与牺牲层中的至少一个接触，牺牲层由SiGe形成，所述至少一个沟道层由Si形成；在所述堆叠件中形成至少一个源极/漏极沟槽区域以暴露SiGe牺牲层的表面和所述至少一个Si沟道层的表面；在湿氧或者臭氧和UV的环境中氧化SiGe牺牲层的暴露的表面和所述至少一个Si层的暴露的表面。
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