公开(公告)号：CN109979938A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811494404.5

申请日：2018-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 马克·S·罗德尔 ,  博尔纳·奧布拉多维奇 ,  达尔门达·帕勒 ,  雷维基·森古普塔 ,  穆罕默德·阿里·普尔卡迪里

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明涉及一种互补金属氧化物半导体片上系统，包含一系列部分环绕栅极场效应晶体管。每一个部分环绕栅极场效应晶体管包含：鳍，具有沟道区的堆叠；源区和漏区，位于鳍的相对侧上；介电分隔区，包含第一沟道区与第二沟道区之间的介电材料；栅极堆叠，位于鳍上；以及一对侧壁间隔物，位于栅极堆叠的相对侧上。介电分隔区的一部分具有从介电分隔区的外边缘到相应侧壁间隔物的内边缘的长度。部分环绕栅极场效应晶体管中的一个的介电分隔区的部分的长度与部分环绕栅极场效应晶体管中的另一个的介电分隔区的部分的长度不同。也提供一种场效应晶体管和制造互补金属氧化物半导体片上系统的方法。

公开(公告)号：CN109979938B

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN201811494404.5

申请日：2018-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 马克·S·罗德尔 ,  博尔纳·奧布拉多维奇 ,  达尔门达·帕勒 ,  雷维基·森古普塔 ,  穆罕默德·阿里·普尔卡迪里

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 本发明涉及一种互补金属氧化物半导体片上系统，包含一系列部分环绕栅极场效应晶体管。每一个部分环绕栅极场效应晶体管包含：鳍，具有沟道区的堆叠；源区和漏区，位于鳍的相对侧上；介电分隔区，包含第一沟道区与第二沟道区之间的介电材料；栅极堆叠，位于鳍上；以及一对侧壁间隔物，位于栅极堆叠的相对侧上。介电分隔区的一部分具有从介电分隔区的外边缘到相应侧壁间隔物的内边缘的长度。部分环绕栅极场效应晶体管中的一个的介电分隔区的部分的长度与部分环绕栅极场效应晶体管中的另一个的介电分隔区的部分的长度不同。也提供一种场效应晶体管和制造互补金属氧化物半导体片上系统的方法。

公开(公告)号：CN111640462A

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN202010091338.8

申请日：2020-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 莱恩·M·海雀 ,  提塔许·瑞许特 ,  乔治·凯特尔 ,  雷维基·森古普塔 ,  达尔门达·帕勒 ,  洪俊顾

IPC: G11C13/00 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明公开一种权重单元和存储器装置。权重单元包含：第一场效应晶体管和连接到第一场效应晶体管的漏极的第一电阻式存储器元件；第二场效应晶体管和连接到第二场效应晶体管的漏极的第二电阻式存储器元件，第一场效应晶体管的漏极连接到第二场效应晶体管的栅极，且第二场效应晶体管的漏极连接到第一场效应晶体管的栅极；第三场效应晶体管和连接到第三场效应晶体管的漏极的第三电阻式存储器元件；以及第四场效应晶体管和连接到第四场效应晶体管的漏极的第四电阻式存储器元件，第三场效应晶体管的漏极连接到第四场效应晶体管的栅极，且第四场效应晶体管的漏极连接到第三场效应晶体管的栅极。

公开(公告)号：CN111446080A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN202010049595.5

申请日：2020-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 莱恩·M·海雀 ,  提塔许·瑞许特 ,  乔治·A·凯特尔 ,  洪俊顾 ,  达尔门达·帕勒

IPC: H01G7/06 ,  H01L29/78 ,  G16C60/00 ,  G06F30/20 ,  G06F111/10 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明提供一种电路元件以及复合场效应晶体管。在一些实施例中，电路元件包含第一端子、第二端子以及层状结构。层状结构可包含连接到第一端子的第一导电层、位于第一导电层上的第一压电层、位于第一压电层上的第二压电层以及连接到第二端子的第二导电层。第一压电层可具有第一压电张量和第一电容率张量，且第二压电层可具有第二压电张量和第二电容率张量，第二压电张量和第二电容率张量中的一个或两个分别地不同于第一压电张量和第一电容率张量。

公开(公告)号：CN111446080B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202010049595.5

申请日：2020-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 莱恩·M·海雀 ,  提塔许·瑞许特 ,  乔治·A·凯特尔 ,  洪俊顾 ,  达尔门达·帕勒

IPC: H01G7/06 ,  H01L29/78 ,  G16C60/00 ,  G06F30/20 ,  G06F111/10 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明提供一种电路元件以及复合场效应晶体管。在一些实施例中，电路元件包含第一端子、第二端子以及层状结构。层状结构可包含连接到第一端子的第一导电层、位于第一导电层上的第一压电层、位于第一压电层上的第二压电层以及连接到第二端子的第二导电层。第一压电层可具有第一压电张量和第一电容率张量，且第二压电层可具有第二压电张量和第二电容率张量，第二压电张量和第二电容率张量中的一个或两个分别地不同于第一压电张量和第一电容率张量。

公开(公告)号：CN111580783A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010091274.1

申请日：2020-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 莱恩·M·海雀 ,  提塔许·瑞许特 ,  乔治·凯特尔 ,  雷维基·森古普塔 ,  达尔门达·帕勒 ,  洪俊顾

IPC: G06F7/523 ,  G11C11/16 ,  G11C11/22 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明公开一种权重单元和电子装置。权重单元包含：第一场效应晶体管(FET)和第一电阻式存储器元件，第一电阻式存储器元件连接到第一场效应晶体管的漏极；以及第二场效应晶体管和第二电阻式存储器元件，第二电阻式存储器元件连接到第二场效应晶体管的漏极。第一场效应晶体管的漏极连接到第二场效应晶体管的栅极，且第二场效应晶体管的漏极连接到第一场效应晶体管的栅极。